簡介:本發明公開了一種鉬酸銅納米棒復合電子封裝材料,屬于結構材料技術領域。本發明鉬酸銅納米棒復合電子封裝材料的質量百分比組成如下:鉬酸銅納米棒65?80%、聚丙乙烯5?7%、聚苯乙烯5?7%、烷基聚氧乙烯醚0.05?0.5%、乙酰丙酮鈦3?8%、聚乙烯蠟3?7%、水3?6%,鉬酸銅納米棒的直徑為25?100nm、長度為0.5?3μm。本發明提供的鉬酸銅納米棒復合電子封裝材料具有熱膨脹系數低、導熱系數高、耐老化及耐腐蝕性能優良、易加工、絕緣性好及制備溫度低等特點,在電子封裝領域具有良好的應用前景。
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