環(huán)氧樹脂作為電子封裝技術(shù)的重要支撐材料,需要同時滿足電子元件高集成度、信號傳遞低衰減、底部封裝(underfill)工藝、材料耐疲勞和高可靠性等要求。利用高導熱填料與環(huán)氧樹脂復合,并通過多尺度微納米填充、分散優(yōu)化、界面強化、構(gòu)筑有序結(jié)構(gòu)等方法賦予了環(huán)氧樹脂封裝材料優(yōu)異的導熱性能、高流動和高阻燃性、低熱膨脹和低吸潮率、電絕緣性能,是大功率、高集成ICs快速發(fā)展的保障。
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