鐵電高分子利用兩個穩(wěn)定的偶極取向狀態(tài),以二進制代碼“0”或“1”的形式存貯信息,該方式具有掉電不丟數(shù)據(jù)、超快擦寫速度(微/納秒)、極低的工作電壓(1~5V)、高耐久性的特點,適用于便攜式電子產(chǎn)品。我校用集成電路常用的光刻技術(shù)制備了鐵電高分子的光柵或點陣結(jié)構(gòu),采用干涉光可將特征尺寸縮小到300納米以下,一家法國公司正在嘗試運用該項技術(shù)。 項目階段: