本發明屬于晶圓鍵合技術,為一種短波長光輔助硅片直接鍵合方法,其步驟包括:①清洗;②氧化性氨溶液活化;③將硅片用短波長光繼續輔助活化,活化后取出;短波長光的波長范圍為 100~400nm,短波長光照射光強為 5~30mW/cm<sup>2</sup>,活化時間為 0.5~30分鐘;④預鍵合;⑤退火。經過短波長光輔助活化處理后的鍵合硅片對結合緊密,無需外壓力作用就能實現硅硅直接鍵合。本發明所需設備簡單,鍵合速度快,鍵合周期短,鍵合面積大,鍵合溫度低,且在鍵合強度及鍵合可靠性上具有
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