本發(fā)明公開了一種二維納米 SnSe2 晶體材料的制備方法,采用
化學(xué)氣相沉積法用單質(zhì)硒和鹵化錫在襯底上沉積所需厚度的 SnSe2 晶
體;其中,沉積設(shè)備為水平管式爐,順序設(shè)有上游低溫區(qū)、中心溫區(qū)
以及下游低溫區(qū),所述單質(zhì)硒和鹵化錫分別獨立但緊靠放置于上游低
溫區(qū),所述襯底放置于下游低溫區(qū);利用不同溫區(qū)的溫度差,單質(zhì)硒
蒸汽和鹵化錫蒸汽形成于上游低溫區(qū);兩者反應(yīng)生成 SnSe2,并通過
沉積載氣帶入下游溫區(qū),在襯底上沉
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