本成果涉及一種可用于電子封裝領(lǐng)域的高導(dǎo)熱低介電復(fù)合材料。通過(guò)采用不同的技術(shù)在常見(jiàn)聚合物基材中添加氮化硼,來(lái)制備復(fù)合材料,復(fù)合材料熱導(dǎo)率高于 2 W/(m·K),其介電常數(shù)小于 4。該復(fù)合材料可作為熱界面材料,應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域。