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新型硅基環(huán)柵納米線MOS?器件

2021-01-12 00:00:00
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關(guān)鍵詞: MOS器件
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所屬領(lǐng)域:
新一代信息技術(shù)
項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上,通過高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和

高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合,最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS

器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后,采用氧化和氫氣退火兩種工藝

分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。

項(xiàng)目階段:
產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用
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