已有樣品/n使用有機(jī)電荷轉(zhuǎn)移分子F4TCNQ與MoS2結(jié)合形成范德華界面,通過F4TCNQ與MoS2
之間的電荷轉(zhuǎn)移來降低溝道內(nèi)無柵壓情況下的載流子濃度。MoS2晶體管的開啟電壓
(Von)從負(fù)數(shù)十伏被調(diào)制至0伏附近,F(xiàn)4TCNQ并未導(dǎo)致MoS2晶體管包含遷移率在內(nèi)
的任何電學(xué)性能的下降,其亞閾值擺幅(SS)反而明顯提升。團(tuán)隊成員通過第一性
原理計算以及掃描開爾文探針顯微鏡表征證實了范德華界面處電荷轉(zhuǎn)移的存在性,
并研究了F4TCNQ對Mo
掃碼關(guān)注,查看更多科技成果