可以量產(chǎn)/nInP、GaSb 單晶片主要作為襯底材料外延生長各種微波器件用微結(jié)構(gòu)外延材料 (如 HEMT、HBT)、大功率激光器等的多量子阱材料,中長波紅外探測器材料等, 其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括移動通信、衛(wèi)星通信、導(dǎo)航、光纖通信、高效太陽能電池、夜 視、大氣監(jiān)測、國防技術(shù)等。主要技術(shù):2-4 英寸化合物半導(dǎo)體磷化銦(InP)、銻化 鎵(GaSb)和砷化銦(InAs)單晶生長和晶片加工技術(shù)。
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