采購品目:A02052402真空應用設備
預計采購時間:2022-11
高品質大尺寸半導體單晶金剛石的制備一直是金剛石邁向第三代半導體應用的尚未解決的瓶頸問題,是本實驗室的研究重點,也是世界性的研究難點。當前市場上的微波等離子體化學氣相沉積設備生長金剛石的尺寸通常被限制在2英寸附近,而要將單晶金剛石應用于半導體領域,其尺寸要達到3-4英寸,所以購買的單晶金剛石生長系統的等離子球的尺寸需達到4英寸,具有制備3-4英寸不同類型金剛石半導體的能力,微波功率0.6—10kW可調,真空漏率小于5.0*10-11 Pa*m3/s,輝光面積4英寸,生長襯底托4英寸,并且生長樣品中心與邊緣的溫度差小于5%,滿足未來金剛石半導體的產業發展需求。預購買四英寸單晶金剛石共摻雜生長系統一臺,滿足制備高品質、大尺寸單晶金剛石的要求。該設備廠家60天可發貨,質保期貨到驗收合格之日起12個月,廠家負責安裝及培訓。設備購置后將針對單晶金剛石在半導體應用方面開展技術攻關,對學校學科建設及人才培養等起到推動作用,極大提升本實驗室在國內外的影響力。并對國內相關技術的提升將起到較大的引領作用,極大地提高我國第三代半導體的核心競爭力。
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