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高效液相色譜儀是當今世界上發(fā)展速度最快的分析儀器之一，廣泛地應用于合成化學、石油化學、生命科學、臨床化學、藥物研究、環(huán)境監(jiān)測、食品檢驗及法學檢驗等諸多領域。在構成液相色譜儀系統(tǒng)的各組成部分中，具有樣品分析、分離、制備功能的色譜柱被稱為“液相色譜的心臟”。傳統(tǒng)的液相色譜柱是將色譜填料粉體固定相裝填于不銹鋼套管內(nèi)得到的填充型色譜柱， 色譜學的原理決定了色譜填料越細，柱效越高。為了追求更為卓越的色譜分離性能，通常使用的色譜填料粒子都十分細小。目前，材料科學家們已經(jīng)成功地制備出

成果簡介六方相 YAP 化合物具有特定的晶體結構， 能夠使處于其晶體結構格位的發(fā)光離子發(fā)射出與結構性質(zhì)有關的特征發(fā)射。 六方相 YAP 是 YAP 化合物在自然界的存在物相形式之一， YAP 化合物還有兩種物相存在， 分別為正交相與立方相 YAP。制備 YAP 化合物最簡單易得的方法是高溫固相合成法， 正交相與立方相 YAP 化合物即可通過該方法獲得。 但是， YAP 的相圖顯示其六方相合成溫度較窄， 導致目前未有高溫固相合成法獲得六方相 YAP 的報道。 本成果采用溶膠

目前工業(yè)上廣泛采用的液位調(diào)節(jié)器有浮球式、氣動式和電動液位控制系統(tǒng)。這些液位調(diào)節(jié)器均因執(zhí)行機構動作頻繁、易磨損、易腐蝕而經(jīng)常發(fā)生卡澀故障，使液位失控，以及泄漏等，嚴重影響設備和系統(tǒng)的安全、經(jīng)濟運行。因而在生產(chǎn)實際中，這類設備的液位控制一直是亟待解決的難題。

基因檢測在現(xiàn)代臨床醫(yī)學中的作用越來越重要。基因檢測的第一步是從固定或未固定的生物樣品中提取核酸。傳統(tǒng)的化學方法，通常先用酶消化細胞或組織，再經(jīng)有機溶劑抽提，使被分離的核酸經(jīng)過酒精或異丙醇沉淀，收集并濃縮于水中。整個過程需2-3天。本項目提供了核酸提取新思路，以高壓液相一步法，取代傳統(tǒng)石蠟切片必須先脫蠟再酶消化的繁鎖、費時步驟。完成石蠟切片脫蠟與酶消化整個過程僅20-30分鐘。

產(chǎn)品詳細介紹Shim-pack VP-ODS：Shim-pack VP-ODS是島津已經(jīng)銷售多年的C18反相色譜柱，通用分析柱，擁有分析柱、保護柱、分析/制備用短柱等規(guī)格齊全的產(chǎn)品陣容，有著廣泛的客戶群，經(jīng)證明是分離性能非常優(yōu)異的色譜柱，為了開發(fā)和規(guī)范分析方法，生產(chǎn)一致性的色譜柱的要求逐漸增加。Shim-pack VP-ODS就能滿足您的愿望。目前，由于色譜柱性能的多變性，很多研究者不希望浪費寶貴的時間和樣品。島津研發(fā)的新型Shim-pack VP-ODS柱可以達到GLP/GMP中提出的苛刻要求及增加的有效性的需求。Shim-pack VP-ODS系列采用了獨特的填裝工藝，嚴格的質(zhì)量控制貫穿整個生產(chǎn)過程，此外附有質(zhì)量認證證書，滿足更加嚴格的質(zhì)量要求。每支柱子在出廠前均經(jīng)過嚴格的測試，以確保在某一區(qū)域內(nèi)和全球范圍內(nèi)均能達到相關的要求。Shim-pack VP-ODS色譜柱既是藥學分析方法發(fā)展的最好輔助工具，也是島津新的VP系列HPLC系統(tǒng)的完美補充。  --------------------------------------------------------------------------------訂貨信息： Shim-pack VP-ODS分析柱： 貨號 I.D.×長度(mm) 228-34937-91 4.6mm×150 228-34937-92 4.6mm×250 228-34937-93 6.0mm×150 228-34937-94 2.0mm×150 228-34937-95 2.0mm×250 228-34937-96 4.6mm×150三件套 228-34937-97 2.0mm×150三件套 Shim-pack VP-ODS保護柱：  貨號 I.D.×長度(mm) 228-34937-81 4.6mm×10（含兩個柱芯） 228-34937-82 4.6mm柱套 228-34937-83 2.0mm（含兩個柱芯） 228-34937-84 包括內(nèi)徑為2.0mm的柱套 分析/制備用短柱： 貨號 I.D.×長度(mm) 注釋 228-36849-91 4.6mm×50 5μm填料顆粒直徑，12nm孔徑硅膠ODS柱 228-36849-92 20mm×50 228-36849-93 20mm×100 

霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發(fā)展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創(chuàng)新點在于，將液態(tài)金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態(tài)La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區(qū)寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發(fā)明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業(yè)科學技術獎一等獎（2003.12）。

主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術來延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質(zhì)，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實要求，因此亟需實現(xiàn)晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現(xiàn)了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區(qū)化學氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。

成功開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的新型淺色導電晶須，用晶須替代納米顆粒作為 基體制備導電填料加入纖維基體中，具有比導電超細顆粒更好的分散性，而且由 于晶須是棒狀結構，分散在纖維中可以通過搭接的方式首尾相接，更利于纖維導 電。淺色導電晶須的開發(fā)研究對白色導電纖維的制備提供了理論和實踐基礎，葛 明橋教授團隊開發(fā)的白色導電纖維經(jīng)檢測達到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法 紡絲）達到導電纖維要求，是國內(nèi)導電纖維領域的一項重大突破，可提高白色導 電纖維自產(chǎn)率，應用前景廣闊。 2 關鍵技術 （1）將高速攪拌與化學共沉積法結合，制備出的淺色導電二氧化鈦納米晶 須的電阻率達到了 103 ??cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過濕法紡絲方法制備出復合導電纖維，315 該種纖維的電阻達到了 106?。 （3）與企業(yè)合作制備導電母粒，進而通過熔融紡絲方法制備出各種復合結 構的導電纖維，該種纖維的電阻達到了 109?。 3 知識產(chǎn)權及項目獲獎情況 發(fā)表學術論文 9 篇；申請專利 6 項 4 項目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應釜，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn) 5 投資期望及應用情況 目前已與部分企業(yè)合作，成功制備該導電材料并應用于化纖、纖維素等。