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本發(fā)明公開了一種四分之一雙波片相位延遲器，可在紫外、可見及近紅外的波段范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)消色差，其特征在于，該雙波片相位延遲器由兩個(gè)同種材料或者不同材料的四分之一零級(jí)波片構(gòu)成，該兩零級(jí)波片沿光軸平行布置，且兩光軸夾角為 45°，其中，所述兩個(gè)四分之一零級(jí)波片的中心波長(zhǎng)在波段范圍內(nèi)，且滿足使得兩零級(jí)波片組成的 雙 波 片 在 該 波 段 范 圍 內(nèi) 各 波 長(zhǎng) 點(diǎn) 對(duì) 應(yīng) 的 相 位 延 遲 量 δ_e(λ)與理想相位延遲量值π/2 之間差值的最大值取得最小值。與現(xiàn)

本發(fā)明公開了一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉(zhuǎn)移裝置， 包括薄膜進(jìn)給單元、載帶輸送單元、真空輥吸附單元、壓輥轉(zhuǎn)移單元 和廢料剔除單元，其中薄膜進(jìn)給單元用于薄膜的進(jìn)給運(yùn)動(dòng)并對(duì)薄膜進(jìn) 行模切，模切后的薄膜經(jīng)真空輥吸附單元驅(qū)動(dòng)至壓輥轉(zhuǎn)移單元，模切 后的薄膜在壓輥轉(zhuǎn)移單元中實(shí)現(xiàn)與載帶之間的粘著和固定，廢料剔除 單元?jiǎng)t根據(jù)工況需要提供多種對(duì)廢料的實(shí)時(shí)檢測(cè)和剔除操作。通過(guò)本 發(fā)明，各個(gè)模塊單元之間相互聯(lián)系，共同協(xié)作，實(shí)現(xiàn)對(duì)成卷柔性電子 器件逐片的高速檢測(cè)轉(zhuǎn)移過(guò)程，同時(shí)具備運(yùn)動(dòng)穩(wěn)定性和可靠性好等優(yōu) 點(diǎn)。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

藍(lán)晶微生物致力于打造基于微生物的分子和材料創(chuàng)新平臺(tái)。團(tuán)隊(duì)由清華、北大青年科學(xué)家組成，顧問團(tuán)隊(duì)包括中科院院士，中科院微生物所工業(yè)微生物研究室主任等。致力于利用合成生物學(xué)技術(shù)，提供生物活性分子。業(yè)務(wù)包括合同付費(fèi)業(yè)務(wù)（iGEM科學(xué)教育，Holog平臺(tái)），大客戶定制開發(fā)（PHA業(yè)務(wù)線等）及自產(chǎn)經(jīng)營(yíng)（CBD開發(fā)）。點(diǎn)擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺(tái)進(jìn)行溝通對(duì)接！

（專利號(hào)：ZL 201410057393.X） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種銳鈦礦型二氧化鈦納米晶溶膠的制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明制備過(guò)程包括酯化、前軀體的水解以及產(chǎn)物的洗滌，具體是：控制乙醇與乙酸酯化速度，以控制釋放出水的量，從而控制前軀體水解的速度，在85-120℃酸性條件下，生成的二氧化鈦納米晶轉(zhuǎn)化為銳鈦礦晶型。本發(fā)明制備二氧化鈦的方法簡(jiǎn)單、成本低廉，得到的二氧化鈦納米晶分散性良好，適合于制備太陽(yáng)能電池的光陽(yáng)極。

Al-Si 合金具有低膨脹系數(shù)，良好的耐磨性及鑄造性能，在內(nèi)燃機(jī)活塞、缸 體壓等發(fā)動(dòng)機(jī)動(dòng)力傳動(dòng)件制造領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。過(guò)共晶 Al-Si 合金的微觀組織中 通常存在五瓣星狀、板片狀、八面體和其他復(fù)雜相貌的初晶 Si，這些分布在該 合金基體中的較粗大初晶 Si，嚴(yán)重割裂了合金基體，在外力作用下，合金中的 Si 相尖端和棱角部位易引起局部應(yīng)力集中，從而明顯降低了合金的力學(xué)性能， 尤其是影響其塑性、強(qiáng)度、耐熱性和熱疲勞性能的提高。與此同時(shí)，在過(guò)共晶 Al-Si 合金中，初晶 Si 易出現(xiàn)集聚現(xiàn)象，嚴(yán)重降低了合金的各項(xiàng)性能。要改善 過(guò)共晶 Al-Si 合金的性能,必須同時(shí)對(duì)共晶 Si、初晶 Si 進(jìn)行良好的細(xì)化處理，細(xì) 化、球化初晶 Si，才能使其得以廣泛應(yīng)用。目前國(guó)內(nèi)外實(shí)際生產(chǎn)中通常采取加 磷（P）的方法，亦稱磷變質(zhì)（細(xì)化）處理。含磷變質(zhì)劑主要包括磷鹽或赤磷復(fù) 合變質(zhì)劑及含磷中間合金。其主要存在問題如下： (1)磷鹽或赤磷復(fù)合變質(zhì)劑：處理過(guò)程中產(chǎn)生大量有害氣體，環(huán)境污染嚴(yán)重， 效果不穩(wěn)定，廢品率高。 (2) Cu-P 中間合金：熔點(diǎn)高，加入后難熔化；密度大，易沉淀偏析。 基于上述行業(yè)背景，本課題組研制開發(fā)了一種應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)活塞、壓鑄合 金熔體變質(zhì)處理的新型 Al-P 晶種合金

本發(fā)明之非晶鐵磷合金/V8C7復(fù)合鍍層，所述復(fù)合鍍層的基體材質(zhì)為非晶態(tài)Fe-P合金，F(xiàn)e 含量為復(fù)合鍍層的60-89wt%（優(yōu)選70-85wt%），P 含量為復(fù)合鍍層的10-30wt%（優(yōu)選12-22wt%），所述復(fù)合鍍層中含有固體微粒V8C7，含量為復(fù)合鍍層的1-10wt%（優(yōu)選3-7wt%）。復(fù)合鍍層可以含有各種不同的金屬或合金以及各種不同類型的微粒，其技術(shù)適用性和實(shí)用性寬廣，具有較強(qiáng)的可變性和可操作性，應(yīng)用將日益廣泛。

目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復(fù)雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們?cè)趪?guó)內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長(zhǎng)的微晶硅薄膜，并實(shí)現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項(xiàng)重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，具有綠色、高效、簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。目前需要合作伙伴，把該實(shí)驗(yàn)室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。

一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法，其步驟是：A、將外觀為白色粉狀的四針狀氧化鋅晶須加入到酒石酸鉀鈉的水溶液中形成糊狀或懸濁液，攪拌10～30分鐘，所述的酒石酸鉀鈉和四針狀氧化鋅晶須的摩爾比為0.1～1∶100，；再在攪拌狀態(tài)下緩慢加入與酒石酸鉀鈉等摩爾量氯化銅的水溶液；之后，繼續(xù)攪拌30～60分鐘；最后，經(jīng)過(guò)濾、洗滌、烘干，得表面原位沉積有納米酒石酸銅的四針狀氧化鋅晶須復(fù)合物粉末；B、將復(fù)合物粉末在氫氣氣氛中升溫至270～300℃保溫15～60分鐘，冷卻至室溫，即得。該方法得到的粉末抗菌力強(qiáng)，4小時(shí)殺菌率為98.5％～99.9％；且成本低廉，使用中不變色、易于推廣。