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高性能氮化鎵基電子材料
已有樣品/n中科院半導(dǎo)體所是國(guó)內(nèi)最早開展 GaN 基電子材料研發(fā)的單位，并一直在該領(lǐng)域起著引領(lǐng)、 示范和帶動(dòng)作用。經(jīng)過盡二十年的自主創(chuàng)新，攻克了 2 英寸和3英寸藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底上GaN 基電子材料外延生長(zhǎng)的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，在高阻 GaN 外延材料、高遷移率 GaN 外延材料、高遷移率 AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)材料等方面形成了系統(tǒng)的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，設(shè)計(jì)并研制出了多種具有特色的 AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子材料，并實(shí)現(xiàn)了批量供片。市場(chǎng)預(yù)期：該技術(shù)是采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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異種材料攪拌摩擦焊技術(shù)
上海交通大學(xué)
2021-04-13
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發(fā)現(xiàn)高性能SnTe基熱電材料
熱電材料是能夠?qū)崿F(xiàn)熱能與電能直接相互轉(zhuǎn)換的新能源材料，在熱電制冷和廢熱發(fā)電等方面有著廣泛的應(yīng)用前景，對(duì)于提高現(xiàn)有能源利用率和緩解能源危機(jī)有重要作用。相比于傳統(tǒng)熱電材料PbTe，SnTe由于其廉價(jià)、環(huán)保等優(yōu)勢(shì)而被廣為關(guān)注。然而由于其極低的賽貝克系數(shù)（seebeck coefficient）長(zhǎng)久以來SnTe的最高以及平均熱電轉(zhuǎn)換效率都遠(yuǎn)低于PbTe。 文章指出在銦元素?fù)诫s引入共振能級(jí)的情況下，將SnTe與AgSbTe2復(fù)合，從而在優(yōu)化材料功率因子的同時(shí)，降低了材料的晶格熱導(dǎo)率。此外，透射電鏡表明兩者是以完全固溶的形式而非兩相復(fù)合的形式存在。最終，在873K時(shí)的最高zT優(yōu)值達(dá)到1.3，并在323K-873K溫度區(qū)間內(nèi)的平均zT優(yōu)值達(dá)到0.84，是本征SnTe的3.44倍，為目前該體系平均zT值的最高水平。這種將引入共振能級(jí)和多相固溶結(jié)合起來的方法，也為提升其他體系熱電材料的性能指出了一個(gè)值得嘗試的方向。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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先進(jìn)鑄造耐磨材料制備應(yīng)用
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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碳纖維增強(qiáng)紙基摩擦材料
品摩擦特性穩(wěn)定、磨損率 小、耐高溫，具有傳扭柔和平穩(wěn)、使用壽命長(zhǎng)、耐高溫和過載保護(hù)能力 強(qiáng)等突出優(yōu)點(diǎn)。 申報(bào)發(fā)明專利和實(shí)用新型專利18項(xiàng)，全部技術(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，國(guó) 防科工局鑒定結(jié)論認(rèn)為整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。性能指標(biāo)：1
西北工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
超耐磨自潤(rùn)滑復(fù)合材料
內(nèi)容介紹： 首創(chuàng)了一種有機(jī)-無機(jī)納米復(fù)合材料的制備技術(shù)，操作工藝簡(jiǎn)單、無 污染，納米粒子分散均勻，所制備的材料耐熱性好、機(jī)械強(qiáng)度高、摩擦 系數(shù)低、耐磨性好。 該技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，獲發(fā)明專利1項(xiàng)。性能指標(biāo)：
西北工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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耐熱型全生物降解材料
本項(xiàng)目提供一種耐熱型全生物降解材料的制備方法，以聚乳酸材料為基體樹脂，加入的耐熱改性劑成本較低，且與聚乳酸一樣可完全生物降解，生產(chǎn)過程所用設(shè)備簡(jiǎn)單，只須在通用設(shè)備上做一些改進(jìn)，所制備的耐熱材料與進(jìn)口料相比有明顯的價(jià)格優(yōu)勢(shì)。主要技術(shù)參數(shù)：產(chǎn)品生產(chǎn)周期小于40s, 耐熱溫度超過100℃。可用于一次性餐具的生產(chǎn)。
常州大學(xué)
2021-04-14
CdZnTe高能射線探測(cè)材料與器件
內(nèi)容介紹： 本項(xiàng)目圍繞探測(cè)器用CdZnTe晶體的制備與開發(fā)應(yīng)用，釆用改進(jìn)的垂直 布里奇曼技術(shù)，通過合理設(shè)計(jì)成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探 索了優(yōu)化的晶體生長(zhǎng)和退火改性工藝，生長(zhǎng)出滿足探測(cè)器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對(duì)X射線和y射線等不同能量射線檢測(cè)及應(yīng)用的要求， 解決了探測(cè)器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題，建立了探測(cè)器用CdZnTe晶片的篩選機(jī)制和生產(chǎn)線
西北工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
熱電材料領(lǐng)域重要新進(jìn)展
目前的能源利用體系中超過60%的能量以廢熱的形式排放到環(huán)境中，其中50%以上的廢熱屬于難以回收利用的低溫（＜600K）、低品質(zhì)廢熱。熱電材料由于其可將熱能和電能直接轉(zhuǎn)換的特性，能有效回收和利用體系中的低品質(zhì)廢熱，從而受到人們廣泛關(guān)注。在實(shí)際應(yīng)用中，需要p型和n型兩種熱電半導(dǎo)體材料來組成熱電器件，這兩種熱電半導(dǎo)體的匹配度越好，理論上由其制成的熱電器件
南方科技大學(xué)
2021-04-14
巨熱電勢(shì)的離子熱電材料
基于Seebeck效應(yīng)的熱電轉(zhuǎn)換材料可以實(shí)現(xiàn)熱能與電能之間的直接相互轉(zhuǎn)換，可為物聯(lián)網(wǎng)體系中的小型傳感器或電子設(shè)備提供可持續(xù)工作的電能。目前，基于傳統(tǒng)電子型的熱電轉(zhuǎn)換材料（e-TE）在室溫環(huán)境下捕獲的能量可以達(dá)到毫瓦級(jí)的輸出功率，但是受半導(dǎo)體電聲輸運(yùn)行為的限制，優(yōu)化的熱電勢(shì)約在200 μV/K左右。為獲得1-5伏的供傳感器工作的電壓，在室溫環(huán)境下的小溫差工況下需要成千上萬(wàn)對(duì)n/p傳統(tǒng)電子型熱電對(duì)，增加了熱電器件的集成難度和復(fù)雜程度；或者需要外接DC-
南方科技大學(xué)
2021-04-14