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本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于5G毫米波通信的高增益漸變縫隙陣列天線，包括上層金屬、板材、下層金屬，所述上層金屬和下層金屬疊合在一起形成金屬層，所述金屬層刻蝕在板材上，所述金屬層由微帶轉(zhuǎn)SIW結(jié)構(gòu)、一分八T型SIW功分器、二階感性窗和TSA天線單元組成。本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊、方便設(shè)計(jì)和安裝，T型SIW功分器輸出端口金屬過(guò)孔的引入，引入了感性加載，調(diào)整功分器輸出相位，使得天線在寬頻范圍內(nèi)增益較高，從而提高了天線的增益帶寬，本發(fā)明提出的高增益漸變縫隙陣列天線適用于5G毫米波通信40.5～43.5GHz頻段。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹產(chǎn)品介紹：1、脈沖流量計(jì)、電磁閥、刷卡收費(fèi)控制器分體式設(shè)計(jì)，可靈活安裝；2、安裝方便簡(jiǎn)單，適合浴室、澡堂、公寓等高濕度及各種惡劣環(huán)境使用；3、可以設(shè)定一張卡的用水量，超過(guò)額度拒絕用水；4、在冷水和熱水環(huán)境下均可使用；5、1.77寸彩屏顯示，可直觀顯示用戶姓名、卡號(hào)、余額、消費(fèi)情況等信息；6、脫機(jī)工作可通過(guò)管理卡進(jìn)行費(fèi)率、參數(shù)等設(shè)置；7、自動(dòng)識(shí)別持卡人的合法性，根據(jù)卡內(nèi)賬戶信息決定是否允許消費(fèi)；8、可控制電磁閥及電動(dòng)閥；9、控水器為12v電壓，保證使用者安全；10、IC卡可以擴(kuò)展為一卡通，兼容考勤、門禁、消費(fèi)、停車場(chǎng)等系統(tǒng)；11、可擴(kuò)展補(bǔ)補(bǔ)貼功能，可對(duì)用戶進(jìn)行補(bǔ)貼。產(chǎn)品參數(shù)：外形尺寸：110mm*145mm*45mm卡片類型：M1卡計(jì)費(fèi)方式：計(jì)時(shí)、計(jì)量、計(jì)次屏幕顯示：1.77寸彩屏顯示系統(tǒng)發(fā)卡數(shù)量：可達(dá)100萬(wàn)  工作頻率：13.56MHz卡操作距離：0-50mm卡讀寫速度：<0.3s機(jī)器顏色：白色通訊方式：脫機(jī)、RS485、TCP/IP、無(wú)線433、WIFI、4G供電電壓：DC12V 1A記錄存儲(chǔ)容量：最大可存儲(chǔ)6萬(wàn)條斷電數(shù)據(jù)保存時(shí)間：>10年存儲(chǔ)掛失卡數(shù)目：>100萬(wàn)張                工作環(huán)境: －10℃ ～ ＋100℃

 

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏 輯操作方法，非易失性邏輯器件包括磁頭以及依次附著于襯底上的底 電極、絕緣層，相變磁性薄膜和頂電極；其中相變磁性材料由一種相 變材料基質(zhì)中摻雜鐵磁性元素構(gòu)成，材料的磁性能夠通過(guò)非晶態(tài)-晶態(tài) 相變來(lái)可逆調(diào)控。本發(fā)明基于材料的相變控磁特性實(shí)現(xiàn)“實(shí)質(zhì)蘊(yùn)涵” 邏輯運(yùn)算以及“與”、“或”、“與非”和“或非”四種布爾邏輯運(yùn) 算，其運(yùn)算結(jié)果以材料的剩余磁化存儲(chǔ)在器件中，從而實(shí)現(xiàn)

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介        光纖通信作為一門新興技術(shù)，它具有容量大、中繼距離長(zhǎng)、保密性好、不受電磁干擾和節(jié)省銅材等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái)發(fā)展速度快，已被廣泛應(yīng)用到軍事通信、民用通信等各種領(lǐng)域，是世界新技術(shù)革命的重要標(biāo)志和未來(lái)信息社會(huì)中各種信息的主要傳送工具。在光纖的使用過(guò)程中，光纖線路的耦合對(duì)于其中光功率的傳輸至關(guān)重要。其中存在著兩種主要的系統(tǒng)問(wèn)題：1、如何從多種類型的發(fā)光光源將光功率耦合進(jìn)一根特定的光纖；2、如何將光功率從一個(gè)光纖發(fā)射出來(lái)后經(jīng)過(guò)特定的裝置耦合進(jìn)另外一根光纖。光無(wú)源器件是光纖通信設(shè)備的重要組成部分。它是一種光學(xué)元器件，也是其它光纖應(yīng)用領(lǐng)域不可缺少的元器件。該實(shí)驗(yàn)儀重點(diǎn)介紹了常用的光無(wú)源器件的相關(guān)參數(shù)及測(cè)試方法。為此公司研制出本實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，讓學(xué)生了解和認(rèn)識(shí)光纖耦合的相關(guān)參數(shù)和特性、光無(wú)源器件的相關(guān)參數(shù)及測(cè)試方法等，通過(guò)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的搭建，可以讓學(xué)生更深刻的了解，也能鍛煉學(xué)生校準(zhǔn)光路等方面的動(dòng)手能力，是學(xué)校金工實(shí)習(xí)（工程實(shí)習(xí)）與工程檢測(cè)的不二之選。 二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 650nm激光器與光纖耦合實(shí)驗(yàn) 1550nm光纖激光器與光纖耦合實(shí)驗(yàn) 相同模式光纖之間耦合實(shí)驗(yàn) 不同模式光纖之間耦合實(shí)驗(yàn) 光源與顯微物鏡及準(zhǔn)直器耦合特性對(duì)比實(shí)驗(yàn) 光纖轉(zhuǎn)換器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖變換器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖耦合器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖隔離器特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 波分復(fù)用器和解復(fù)用器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 可調(diào)光纖衰減器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖機(jī)械光開(kāi)關(guān)特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖偏振控制器特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖偏振分束器（PBS）性能能參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn) 不同種類光纖、光纜及光器件認(rèn)知和操作實(shí)驗(yàn) 熔接機(jī)原理及使用實(shí)訓(xùn)操作實(shí)驗(yàn) 剝纖、清潔、切纖及光纖接續(xù)實(shí)訓(xùn)操作實(shí)驗(yàn) 手動(dòng)模式下，光纖熔接實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn) 自定義模式下，光纖熔接實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn) 光纖端面處理基本操作實(shí)驗(yàn) 光纖耦合技術(shù)基本操作實(shí)驗(yàn) 光纖耦合技術(shù)基本操作實(shí)驗(yàn) 光功率耗損法對(duì)光纖熔接質(zhì)量測(cè)試 三、實(shí)驗(yàn)配置參數(shù) 1、光源：波長(zhǎng)1310±20nm，1550±20nm；輸出功率：1-2.5mw，連續(xù)可調(diào)；輸出端口：FC/PC；穩(wěn)定性＜0.5db（5h）；光源類型：LD光源； 2、光功率計(jì)：波長(zhǎng)范圍800-1700nm；輸入接口：FC 校準(zhǔn)波長(zhǎng)：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入損耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波損耗＞65dB； 4、光纖機(jī)械光開(kāi)關(guān)：插入損耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波損耗＞50dB ；開(kāi)關(guān)速度：≦8ms ； 5、高隔離度光纖隔離器：最大插入損耗：0.35dB ；回波損耗：≧50dB ；隔離度：≧30dB ； 6、光纖耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入損耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纖波分復(fù)用器：隔離度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入損耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纖可調(diào)衰減器：0-30db可調(diào)； 9、軟件：配套儀器使用，數(shù)據(jù)采集處理； 10、光纖熔接機(jī)：適用光纖：SM (單模), MM (多模), DS (色散位移)光纖, NZDS (非零色散位移，即G.655光纖)，BIF/UBIF（G.657）； 光纖切割長(zhǎng)度：8-16mm, 被覆光纖直徑250µm，16mm，被覆光纖直徑250µm-1000µm；平均接續(xù)損耗：0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS)；顯示：高性能5.6英寸彩色LCD顯示屏，提供清晰的數(shù)字圖像顯示；電極壽命：2500次；鋰電池容量：典型熔接250次，充電時(shí)間3小時(shí)，可在充電時(shí)使用；電源：交流適配器輸入電壓100-240V  50／60Hz，輸出電壓：DC13.5V /5A，直流輸入電壓11.1v ( 內(nèi)置鋰電池8800mAh )； 四、實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 1、了解光纖連接器及其原理、種類，實(shí)驗(yàn)操作進(jìn)行連接器參數(shù)測(cè)量； 2、掌握光纖頭平端面的處理技術(shù)。 3、掌握光纖之間的耦合、調(diào)試技術(shù)，了解光纖橫向和縱向偏差對(duì)光纖耦合損耗的影響。 4、掌握光纖熔接的基本技術(shù)。 5、熟悉光纖型號(hào)及結(jié)構(gòu)，掌握其裝配方法、使用環(huán)境及保護(hù)措施等；

本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于5G毫米波通信的緊湊型漸變縫隙陣列天線，包括上層金屬層、下層金屬層、介質(zhì)板材以及若干金屬過(guò)孔，所述上層金屬層和下層金屬層分別刻蝕在介質(zhì)板材的正反面上形成金屬層，所述金屬過(guò)孔位于介質(zhì)板材上并且分別連接著上層金屬層和下層金屬層，所述金屬層由微帶轉(zhuǎn)SIW結(jié)構(gòu)、一分八T型SIW功分器以及八個(gè)TSA天線單元組成。本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊、方便設(shè)計(jì)和安裝，由一個(gè)西南微波2.40mm規(guī)格接頭相連，適用于40.5～43.5GHz頻段，可以應(yīng)用到該頻段的5G毫米波移動(dòng)通信系統(tǒng)中。

一種 g-C3N4/NiCo2S4 復(fù)合材料、制備方法及其應(yīng)用。具體是將 g-C3N4 和 NiCo2S4 混合得到，該混合可以是固相混合，也可以是液相 混合，本發(fā)明得到的 g-C3N4/NiCo2S4 復(fù)合材料能極大的增加了提高材 料的穩(wěn)定性，將復(fù)合電極作為超級(jí)電容器工作電極材料進(jìn)行測(cè)試，在 大電流密度條件下仍能具有較高的比電容量、較好的倍率性能和循環(huán) 穩(wěn)定性。

合成了一個(gè)具有光敏性的三苯胺橋聯(lián)的三腳架型鉑配合物Pt-tripod，在體外和體內(nèi)都表現(xiàn)出高潛力的DNA靶向光動(dòng)力治療抗腫瘤效果。機(jī)制研究表明，通過(guò)光照，Pt-tripod可以誘導(dǎo)細(xì)胞產(chǎn)生ROS并快速損傷DNA，也包括G-四鏈體DNA（Chem. Eur. J, 2017, 23: 16442–16446.）。在前期研究的基礎(chǔ)之上，毛宗萬(wàn)教授研究團(tuán)隊(duì)在鉑配合物Pt-tripod與G-四鏈體的NMR結(jié)構(gòu)解析上取得了突破性進(jìn)展。實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)，Pt-tripod能特異性靶向混合I型人體端粒G-四鏈體DNA，并能顯著抑制端粒酶的活性。利用NMR方法深入探索了Pt-tripod與人體端粒G-四鏈體DNA序列Tel26的動(dòng)態(tài)結(jié)合。NMR實(shí)驗(yàn)表明，Pt-tripod可以逐漸誘導(dǎo)人體端粒G-四鏈體Tel26形成多個(gè)“Pt-tripod-Tel26”復(fù)合物，包括單體、二聚和多聚G-四鏈體與Pt-tripod的復(fù)合物。研究團(tuán)隊(duì)確定了其中兩個(gè)復(fù)合物的NMR結(jié)構(gòu)，分別是1:1和4:2 Pt-tripod-Tel26復(fù)合物結(jié)構(gòu)。鉑配合物與G-四鏈體復(fù)合物的結(jié)構(gòu)信息為設(shè)計(jì)合成特異性靶向混合型人體端粒G-四鏈體的鉑合物提供了結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)，同時(shí)對(duì)研究G-四鏈體DNA與小分子的動(dòng)態(tài)結(jié)合以及小分子誘導(dǎo)多聚體G-四鏈體高級(jí)結(jié)構(gòu)的形成具有指導(dǎo)性意義。