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產品詳細介紹2.0電腦有源音箱的無線麥克風改造珠海博納科技越來越多的教室配置了多媒體教學設備，電腦、投影儀、音箱成為標配的教學設備。 越來越多的學校為教師提供了無線麥克風作為輔助教學設備，深受廣大教師喜愛。客戶在與我們交流時提到如下問題：能否在現有音響設備的基礎上使用無線麥克風？我們已經開發出了用于用于改造普通老舊有源音箱用的2.4G無線收發麥克風產品，但對于這種配合電腦用的2.0音箱沒有辦法。因為電腦用的2.0音箱沒有其他音頻輸入接口，麥克風信號無法接入。若添置無線麥克風，需要相應的無線接收器、功放設備、音箱配套使用，增加較多的附加設備。最簡單的也是帶無線麥克風接收功能的有源音箱。這樣，黑板上方的墻上又增加了一對音箱。既有的有源音箱已經是學校的固定資產，全部換為新的2.4G無線有源音箱勢必造成國有資產的浪費，增加了不必要的經費。所以客戶最希望能夠提供一種便捷、經濟的無線改造產品，使原來普通的有源音箱改造成為帶無線麥克風功能的擴音設備。針對客戶上述需求，我們研發了改造設備。簡圖如下： 由圖中可見，改造很簡單。只需配置一套我們研制的改造用2.4G無線麥克風和接收器就可完成改造。改造后可達到如下效果：1. 利用客戶原有的音箱進行麥克風擴音，無需增購新的擴音設備。2. 在播放電腦等多媒體音頻的同時進行麥克風擴音。改造用接收器接收器尺寸：210*135*38mm。 接收器的連接：安裝改造的方法很簡單，無需專業人士指導，更不需要對原有的有源音箱做任何拆卸改造。從圖中可以看出與一般無線麥克風接收器相比，多了一個電腦音頻輸入孔以及一個音頻輸出孔。改造后的音頻輸入輸出就接入在這兩個孔上，用Φ3.5的音頻連接線（隨機器提供）將電腦的音頻輸入到本接收器粉紅色音頻輸入孔內，將原來2.0音箱的Φ3.5音頻插頭插入到本接收器綠色音頻接入孔內。麥克風的使用：接通2.0音箱的電源，打開本接收器的電源開關，可見面板藍色的RF指示燈在閃爍，表示等待麥克風對頻使用，麥克風在3米范圍內打開電源開關便可自動與接收器連接，可在有源音箱內聽到“嗶嗶”的連接提示音。便可使用麥克風進行擴音。聲音的傳輸：電腦等多媒體的聲音可以通過本機傳給音箱，麥克風的聲音被本接收器接收后也傳給音箱。即可單獨傳電腦的聲音、不開電腦室也可單獨使用麥克風進行教學擴音。當然可以同時使用，例如：配樂詩朗誦等。音量的調節：電腦多媒體音量大小的調節，在電腦或多媒體播放軟件上完成。麥克風音量大小的調節，在接收器背面的音量調節孔完成，出廠時設為最大，不要輕易調節。在學校使用的情況下，我們將音量固定在與2.0音箱相匹配的數值。避免孩子們的好奇心引起的誤調整，影響正常教學使用。無線麥克風 圖中我們為客戶準備了3種麥克風供用戶選擇，結合不同的用途可選擇不同的麥克風可實現多種無線擴音的用途。 上述三款麥克風對同一個接收器可以通用，即可以使用麥克風功能，但遙控電腦PPT翻頁功能需要配合HID接口的設備。

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1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明涉及一種半導體發光與顯示器件的制備方法，具體地說，是涉及一種基于紫外光激發的白光發射器件及其制備方法，屬光電集成技術領域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見光區發光的白光發射器件。 技術推廣意向：半導體發光與顯示領域技術創新：本發明具有如下的有益效果：器件結構簡單，無污染，制備成本低；不需要熒光粉，發光效率高；發光性能穩定，光譜波長范圍寬。

本發明公開了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領域釬焊材料。該種無鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設計所需成分配比，預先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無鉛釬料對應無鉛焊點的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。 

本發明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其 制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖 維層、保護層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層 為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極， 并選擇合適的靜電紡絲參數沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維 進行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維 能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉換效率，尤其是對彎曲運動機械 能的捕獲效果。 

本發明公開了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過陽極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個以上，均勻設置在玻璃襯底一側，金屬電極通過金屬引線與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結構；每個金屬電極正上方的SOI蓋帽上設有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對應。本發明具有全解耦、質量小、結構精巧、成本低和便于批量生產等優點，在單個器件內同時實現了對三軸的加速度和角速度的檢測，應用范圍廣，有著良好的市場前景。

本發明屬于電子元器件的封裝設備技術領域，并公開了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺、熱壓 機構、驅動機構和調距機構等，其中熱壓機構被設計為雙路結構，并 用于實現料帶的封合，保證壓力的一致性，進而完成料帶的良好熱封； 驅動機構用于驅動熱壓機構實現垂直方向的上下運動；調距機構用于 調節工作臺兩側的間距以及兩側壓頭的間距，進而實現適應不同寬度 的料帶的熱封。通過本發明，能實現單側壓頭的溫度均勻分布，兩側 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時具備 結構緊湊，便

本發明公開了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測器件及其驅動方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導體量子點，作為光電轉換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉印等方法，沉積可傳感紅外信號的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點層；在量子點光電轉換層上利用濺射方法制備對紅外吸收較少的公共導電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點光電轉換層，以及透明電極構成紅外光敏電阻結構，該光敏電阻吸收紅外信號后，產生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發明提出的紅外探測器件成像面積大，