|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項(xiàng)目主要研究和開(kāi)發(fā)高遷移率透明氧化物半導(dǎo)體薄膜，重點(diǎn)研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導(dǎo)體薄膜;篩選合適的介質(zhì)層材料，研 究和制備優(yōu)質(zhì)致密的透明介質(zhì)層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導(dǎo)電氧化物電極、透明氧化物半導(dǎo)體溝道層和透明介 質(zhì)層構(gòu)成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術(shù)對(duì) I-V 特
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
微流體脈沖噴射儀及配套微流體器件制備儀
微流體數(shù)字化技術(shù)通過(guò)對(duì)裸結(jié)構(gòu)的微噴嘴實(shí)施脈沖的慣性力，使微量流體在慣性力與黏性力交替作用下實(shí)現(xiàn)微流體的脈沖流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)字化可控的微量流體的噴射，適用于液體微噴射、粉體微噴射等領(lǐng)域。 成熟度：基于非晶態(tài)玻璃材料毛細(xì)加工原理，進(jìn)行了拉制、鍛制、殘余應(yīng)力熱處理等工序研究，制作了出微納米級(jí)的微噴嘴、微管道。以玻璃微噴嘴制備儀為平臺(tái)研究了不同拉制參數(shù)、鍛制參數(shù)對(duì)微噴嘴幾何形狀的影響規(guī)律。基于微流體脈沖驅(qū)動(dòng)-控制技術(shù)，分別采用拉制、鍛制的微噴嘴穩(wěn)定地制備了均一的微液滴。 微流體
南京理工大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進(jìn)一步發(fā)展的尺寸限制同時(shí)可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實(shí)現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因?yàn)槠溟g接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實(shí)現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
鎢酸鎘閃爍單晶材料的制備技術(shù)與器件應(yīng)用
寧波大學(xué)晶體材料實(shí)驗(yàn)室在國(guó)際上首次成功開(kāi)發(fā)鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長(zhǎng)技術(shù)，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術(shù)。
一、項(xiàng)目分類
關(guān)鍵核心技術(shù)突破
二、成果簡(jiǎn)介
閃爍單晶是廣泛應(yīng)用于高能射線探測(cè)成像技術(shù)的光學(xué)功能材料。寧波大學(xué)晶體材料實(shí)驗(yàn)室在國(guó)際上首次成功開(kāi)發(fā)鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長(zhǎng)技術(shù)，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術(shù)。近年來(lái)所制備閃爍單晶性能完全達(dá)到射線探測(cè)器制造所要求實(shí)用化指標(biāo)，CWO閃爍單晶材料可廣泛應(yīng)用于安檢設(shè)備、集裝箱檢查系統(tǒng)、CT診療儀等技術(shù)領(lǐng)域。迄今已經(jīng)形成單晶原坯、多規(guī)格晶片和單晶陣列的批量生產(chǎn)能力，相關(guān)材料產(chǎn)品已銷往國(guó)內(nèi)外相關(guān)射線探測(cè)成像設(shè)備制造廠商。
寧波大學(xué)
2022-08-16
大學(xué).jpg){kind=logo}
超聲納米燒結(jié)快速實(shí)現(xiàn)高功率器件的封裝互連
針對(duì)汽車(chē)電子、5G通訊基站、航空航天及電力電子設(shè)備等功率電子元器件難以在高溫、大電流/電壓、潮濕等惡劣工作環(huán)境下服役的難題，并且要求芯片封裝互連接頭尺寸更小、高溫穩(wěn)定性更好、可靠性更高，本團(tuán)隊(duì)首次采用超聲輔助納米燒結(jié)的新型互連工藝，利用納米銀包銅顆粒作為焊料，成功獲得大功率器件高溫高可靠服役要求的互連接頭，為高功率芯片貼裝高導(dǎo)熱界面制造提供了新材料和新工藝。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
基于白光LED器件的可見(jiàn)光無(wú)線通信系統(tǒng)
南京郵電大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
太赫茲波譜與成像理論及功能器件基礎(chǔ)研究
本項(xiàng)目通過(guò)多年研究，發(fā)現(xiàn)了物質(zhì)/結(jié)構(gòu)在太赫茲波段產(chǎn)生的共振、吸收、折射、濾波、偏振等多種新現(xiàn)象和新效應(yīng)。發(fā)展了太赫茲波物質(zhì)探測(cè)、低損傳輸、高速控制和光譜成像的新手段和新方法。在太赫茲波譜應(yīng)用和功能器件研究方面取得了重要進(jìn)展，研制出多種實(shí)用化的太赫茲功能器件。近5 年來(lái)在Appl. Phys. Lett., Optics Letter, Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國(guó)際主流期刊上總共發(fā)表SCI 論文57 篇。申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利22 項(xiàng)，已授權(quán)專利7 項(xiàng)。本項(xiàng)目多項(xiàng)研
電子科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
一種基于憶阻器件的神經(jīng)元電路
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器件的神經(jīng)元電路，本發(fā)明中，突 觸陣列的憶阻器選用部分易失性雙極性電阻轉(zhuǎn)變器件，表達(dá)神經(jīng)元膜 電位的憶阻器選用易失性電阻轉(zhuǎn)變器件，構(gòu)建神經(jīng)元電路，并具有突 觸基本單元。該神經(jīng)元電路能夠?qū)崿F(xiàn)生物神經(jīng)元中的整合放電功能， 表達(dá)出局部分級(jí)電位，突觸具有部分易失性，可以表達(dá)活動(dòng)時(shí)序相關(guān) 的可塑性，與生物學(xué)上神經(jīng)元與突觸在信息存儲(chǔ)、傳遞與處理方面有 極大相似性。本發(fā)明可以為硬件模擬大腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)提供基
華中科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
鈣鈦礦單晶光電器件領(lǐng)域研究新進(jìn)展
新型光電器件中載流子傳輸層與金屬鹵化物鈣鈦礦單晶異質(zhì)原位集成的關(guān)鍵問(wèn)題，在無(wú)機(jī)電子傳輸層上異質(zhì)原位生長(zhǎng)高質(zhì)量全無(wú)機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦單晶方面取得研究進(jìn)展 在全無(wú)機(jī)電子傳輸層
南方科技大學(xué)
2021-04-14
一種磁隧道結(jié)單元及自旋電子器件
本發(fā)明公開(kāi)了一種隧道結(jié)單元及磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，包括依次連接 的第一電極、第一自由層、非磁性絕緣層、釘扎層和第二電極，還包 括連接在第一電極與第一自由層之間的第二自由層，第二自由層的橫 截面積小于自由層的橫截面積；第二自由層和第一自由層一起形成了 復(fù)合自由層結(jié)構(gòu)；第二自由層用于聚集電流，使得第二自由層處的電 流密度大于第一自由層處的電流密度，從而使得第二自由層的磁矩先 于第一自由層發(fā)生翻轉(zhuǎn)；由于第二自由層和第一自由層之間的
華中科技大學(xué)
2021-04-14