|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
核心真空電子器件關(guān)鍵技術(shù)
項(xiàng)目研制出倍頻程和1.5倍頻程寬帶低二次諧波連續(xù)波行波管，二次諧波由-3 dBc降低到-7dBc，是目前國(guó)內(nèi)外此類(lèi)行波管綜合技術(shù)水平最高的指標(biāo)。并且研制出了國(guó)際上第一只高效率W波段脊加載曲折波導(dǎo)行波管及第一只V波段曲折波導(dǎo)寬帶行波管。該項(xiàng)目獲得四川省科技發(fā)明一等獎(jiǎng)。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
高性能紅外光電探測(cè)器件
紅外光電探測(cè)器在國(guó)防軍事方面有重要的應(yīng)用前景，比如紅外制導(dǎo)、紅外追蹤、夜視儀等等。目前國(guó)外使用的主流紅外光電探測(cè)器是基于碲鎘汞的制冷型探測(cè)器和氧化釩/非晶硅的非制冷型探測(cè)器。對(duì)于碲鎘汞探測(cè)器來(lái)說(shuō)，一方面在高質(zhì)量的材料生長(zhǎng)上存在很大的挑戰(zhàn)；另一方面它需要輔助制冷裝置來(lái)提供 77 K 的低溫環(huán)境，極大地限制了其便攜性和廣泛使用性。而基于氧化釩/非晶硅的非制冷型探測(cè)器由于其熱輻射引發(fā)電阻變化的機(jī)制極大地限制了探測(cè)率（小于 10
南京大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
高壓大功率半導(dǎo)體器件IGCT
1. 痛點(diǎn)問(wèn)題
功率半導(dǎo)體是支撐能源領(lǐng)域發(fā)展的核心部件。為實(shí)現(xiàn)3060雙碳目標(biāo)，我國(guó)正在超常規(guī)推動(dòng)新能源發(fā)電、大容量輸配電和電氣化交通等領(lǐng)域，對(duì)電壓等級(jí)4.5kV以上的功率器件需求急速增長(zhǎng)。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯(lián)數(shù)量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風(fēng)電平臺(tái)建設(shè)成本的關(guān)鍵。然而，受工作機(jī)理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級(jí)為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無(wú)法滿足能源發(fā)展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導(dǎo)體器件解決方案。
2020年，中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2000億元，但90%以上依賴進(jìn)口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進(jìn)口。亟需尋求自主可控的功率半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)替代方案。
2. 解決方案
本技術(shù)面向新能源發(fā)電和輸配電領(lǐng)域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門(mén)極換流晶閘管）的設(shè)計(jì)、制備和驅(qū)動(dòng)控制方案，可以提高阻斷電壓和關(guān)斷電流能力、降低器件運(yùn)行損耗，且可以結(jié)合應(yīng)用工況開(kāi)展定制優(yōu)化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅(qū)動(dòng)供電問(wèn)題等，從而實(shí)現(xiàn)大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。
目前團(tuán)隊(duì)已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級(jí)全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發(fā)展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術(shù)提出的IGCT具有通態(tài)損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強(qiáng)等突出優(yōu)勢(shì)，符合能源發(fā)展趨勢(shì)，且制造工藝沿用基本沿用傳統(tǒng)的晶閘管路線，制造成本低，國(guó)內(nèi)工藝基礎(chǔ)好。
清華大學(xué)
2021-10-26
大學(xué).jpg){kind=logo}
二維半導(dǎo)體材料與器件
提出了層數(shù)調(diào)制、柵極電壓調(diào)制和自組裝單分子層調(diào)制等物理、化學(xué)改性策略，顯著調(diào)控了MoS2載流子濃度和功函數(shù)，為開(kāi)發(fā)低接觸電阻的高性能納電子器件提供了手段，研究成果發(fā)表于ACS Nano、APL等知名期刊，應(yīng)邀為Adv. Mater.撰寫(xiě)綜述一篇。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
一種 MEMS 器件的封裝方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種 MEMS 器件的封裝方法，包括 S1 在框架基 板與封蓋的內(nèi)表面上對(duì)稱(chēng)附著圖形化的過(guò)渡金屬化層和釬料層；S2 在 框架基板的釬料層上附著圖形化的自蔓延多層膜；S3 將芯片鍵合固定 在框架基板上并實(shí)現(xiàn)信號(hào)互連；S4 將固定有芯片的框架基板與封蓋進(jìn) 行除氣除濕處理后對(duì)準(zhǔn)堆疊形成封裝結(jié)構(gòu)；S5 對(duì)封裝結(jié)構(gòu)施加壓力、 預(yù)熱后引燃自蔓延多層膜，自蔓延多層膜燃燒并熔化釬料層實(shí)現(xiàn)冶金 互連。本發(fā)明將封蓋直接與框架
華中科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
光譜儀器光柵分光器件與部件
中階梯光柵的刻劃： ICP光譜儀的分光核心部件主要是中階梯光柵，中階梯光柵的二維分光系統(tǒng)，具備更高的分辨能力，使光譜儀具有分析精準(zhǔn)、多元素同時(shí)檢測(cè)以及檢測(cè)速度快等優(yōu)點(diǎn)。 √ 分辨力高 √ 制作難度大
上海理工大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
二維材料中紅外發(fā)光器件
中紅外光譜技術(shù)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療診斷、軍事偵察、工業(yè)控制、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。其中，中紅外光源是實(shí)現(xiàn)中紅外技術(shù)的核心部件之一。作為二維層狀材料家族的新興成員，黑磷（BP）已因其獨(dú)特的性能而得到廣泛研究。
南方科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
白光LED用陶瓷熒光體
功率型白光LED器件由于具有方便解決白光分檔、制備方便、使用靈活、不含有機(jī)物、全無(wú)級(jí)封裝、顯著延長(zhǎng)白光LED的壽命、發(fā)光穩(wěn)定、徹底解決熱猝滅導(dǎo)致的光衰和光色不穩(wěn)等優(yōu)勢(shì)，附加值高、，是市場(chǎng)的焦點(diǎn)，也代表著該行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。據(jù)預(yù)測(cè)，整個(gè)白光LED市場(chǎng)可達(dá)到每年200億美金的市場(chǎng)規(guī)模，占通用照明領(lǐng)域的比例高達(dá)80%
江蘇師范大學(xué)
2021-04-11
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
雙色 LED 植物生長(zhǎng)燈
LED 具有體積小、壽命長(zhǎng)、高亮度、低發(fā)熱的特點(diǎn)，用這種新 型節(jié)能光源代替已有的人工光源進(jìn)行植物的高效生產(chǎn)，在農(nóng)業(yè)中具有廣闊的應(yīng) 用前景和較高的實(shí)用價(jià)值，僅植物工廠化育苗產(chǎn)業(yè)一項(xiàng)就為 LED 光源提供了巨 大的消費(fèi)市場(chǎng)，據(jù)相關(guān)專(zhuān)家的測(cè)算，幼苗僅出口一項(xiàng)就達(dá)到近百億株之巨量， 國(guó)內(nèi)年消費(fèi)量則更大。本項(xiàng)目以植物光合作用的吸收光譜為對(duì)象，通過(guò)基質(zhì)組 成和對(duì) ns2 摻雜離子的設(shè)計(jì)調(diào)控?zé)晒夤庾V，研制出了激發(fā)光譜與近紫外芯片、 發(fā)射光譜與植物光合作用的吸收光譜的匹配，新型藍(lán)紅雙色 LED 植物生長(zhǎng)燈。 光譜輻射范圍從 400-650nm,并通過(guò)調(diào)節(jié)摻雜離子比例，實(shí)現(xiàn)藍(lán)、紅光相對(duì)強(qiáng)度 的可調(diào)節(jié)性。滿足不同植物、不同生長(zhǎng)階段的需求。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-11
LED 芯片高速自動(dòng)分選機(jī)
1.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的名稱(chēng)：LED 芯片高速自動(dòng)分選機(jī)。2.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的用途：用于對(duì) LED 芯片執(zhí)行自動(dòng)分選的裝置。3.本外觀設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)要點(diǎn)：分選機(jī)的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設(shè)計(jì)要點(diǎn)的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產(chǎn)品設(shè)計(jì)要點(diǎn)且不常見(jiàn)，故省略俯視圖和仰視圖。
華中科技大學(xué)
2021-04-11