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中介高Q值微波介質材料
成果描述：本成果研發出一款具有中介高Q值的微波介質材料，主要參數滿足： 介電常數：45±5% Qf：≥35000 溫度系數：≈0 ppm/℃市場前景分析：該材料主要應用于介質加載的腔體濾波器中，可將傳統基于金屬腔的腔體濾波器體積縮小一半左右，在通信基站等領域有非常廣泛的應用前景。與同類成果相比的優勢分析：目前國內有兩三家企業在生產類似的產品，但與日本京瓷等公司的同類型產品在性能上還有一定的差距，本成果研發材料接近日本京瓷產品指標，成本上有很大的優勢。
電子科技大學
2021-04-10
中介高Q值微波介質材料
本成果研發出一款具有中介高Q值的微波介質材料，主要參數滿足： 介電常數：45±5% Qf：≥35000 溫度系數：≈0 ppm/℃
電子科技大學
2015-01-14
教學Q表（低頻）(J0423)
J0423教學Q表（低頻）是測量電感線圈的電感量及它的品質因素（即Q值）的儀器。本儀器具有線路設計合理，操作簡便、性能穩定、讀數符號顯示清晰直觀的特點。該儀器能滿足教學實驗對電感測量和Q值的一般精確度的要求的測量；對電源變壓器的初、次級線圈；電源濾波扼流線圈；音箱分頻器；電視機行輸出變壓器；行、場偏轉線圈；收錄機中的偏磁振蕩線圈；阻流線圈等的電感量及Q值的測量。是供中等專業學校、職業學校、普通中學物理課堂演示實驗的理想儀器。
主要技術性能:? 1、電感測量：A;測量范圍：1mH～10H;? B;電感分檔：1 mH～10 mH；10 mH～100 mH；100 mH～1 H；1 H～10 H分四檔; ??C;測量誤差：不大于±15% ;? 2、Q值測量：A;測量范圍：0～150; ?B;Q值分檔：0～50；0～150分二檔;? C;測量誤差：不大于±20% ; ?3、使用條件：A;電源：電壓：AC200±22V 頻率：50±2Hz。 B;環境溫度：0～40℃; C;相對濕度：不大于80% ;? D;無強電磁場干擾; ?4、安全性能：A;絕緣電阻：電源進線與機殼間電阻不小于20MΩ; ?B;耐電壓：能承受1500V50Hz1min無擊穿飛弧現象; 5、外形尺寸：205㎜×270㎜×135㎜; ?6、 重量:2.1 Kg.; ??7、標準代號: Q/HDB 001-2004 ; ?8、產品符合JY0001－2003; JY0002-2003標準。
杭州電表廠
2021-08-23
教學Q表（高頻）(J0423)
J0423教學Q表（高頻）是測量電感線圈的電感量及它的品質因素（即Q值）的儀器。本儀器線路設計合理，操作簡便、性能穩定、讀數符號采用屏幕數字顯示，具有顯示清晰直觀的特點。該儀器能滿足教學實驗對電感測量和Q值的一般精確度的要求的測量；對收音機和錄音機中的振蕩線圈、中周、天線線圈、分頻線圈；電視機中的中周高頻濾波電感、色碼電感、視放級高頻補償線圈等的電感量及Q值的測量。是供中等專業學校、職業學校、普通中學物理課堂演示實驗的理想儀器。
主要技術性能:? 1、電感測量：A;測量范圍：0.5μH～5 mH。B;電感分檔：0.5μH ～5μH ；5μH ～50μH ；50μH ～500μH ；500μH ～5 mH分四檔;? C;測量誤差：不大于±15%; ??2、Q值測量：A;測量范圍：10～300 ;???? ?B; Q值分檔：10～100；30～300分二檔;? C;測量誤差：不大于±20% ; 3、使用條件：A;電源：電壓：AC200±22V 頻率：50±2Hz 。B;環境溫度：0～40℃; ?C;相對濕度：不大于80% ; D;無強電磁場干擾。 4、安全性能： A;絕緣電阻：電源進線與機殼間電阻不小于20MΩ;? B;耐電壓：能承受1500V50Hz1min無擊穿飛弧現象。
?5、外形尺寸：205㎜×270㎜×135㎜ ;??????? 6; 重量:2.1Kg;???? 7、標準代號: Q/HDB 001-2004 ;??
?8、產品符合JY0001－2003; JY0002-2003標準。
杭州電表廠
2021-08-23
一種提高激光轉盤斬波調 Q 性能的裝置及調 Q 激光器
本發明公開了一種提高激光轉盤斬波調 Q 性能的裝置及包含該 裝置的調 Q 激光器，裝置包括位于諧振腔內部或外部的伽利略望遠鏡 裝置以及位于諧振腔內部用于對壓縮后的激光光束進行調 Q 的轉盤斬 波調 Q 器件。激光介質為一個時，第一伽利略式望遠鏡裝置位于諧振 腔之內，用于壓縮激光光束直徑，以減少 Q 開關時間增強調 Q 效果； 激光介質大于一個時，第二伽利略式望遠鏡裝置位于諧振腔之外，由 各路激光諧振腔共用，用于將多路
華中科技大學
2021-04-14
Si基GaN功率半導體及其集成技術
隨著便攜式電子設備的快速發展，將微型電子設備運用到可穿戴設備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統的硬質電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設備的儲能問題，是實現這些可能性的重要因素之一。 本成果設計并制備了一種新型柔性微型超級電容器，其具有制備工藝簡單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點。
電子科技大學
2021-04-10
Si基GaN功率半導體及其集成技術
電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器
電子科技大學
2021-04-10
高頻高功率密度GaN柵驅動電路
作為第三代半導體代表性器件.硅基GaN開關器件由于具有更小的FOM.能夠把開關頻率推到MHz應用范圍，突破了傳統電源功率密度和效率瓶頸(功率密度提高5-10倍).且具有成本優勢，滿足未來通信、計算電源、汽車電子等各方面需求,開展相關領域的研究對我國在下一代電力電子器件產業的全球競爭中實現彎道超車,具有重要意義。然而,器件物理特殊性需要定制化柵驅動電路和采用先進的環路控制策略，最大程度提高GaN開關應用的可靠性,發揮其高頻優勢。
電子科技大學
2021-04-10
Si基GaN功率半導體及其集成技術
特色及先進性；技術指標 電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結構（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結構如圖2所示。新結構較傳統GaN整流器具有更小的導通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標準，MG-HAD在常溫下擊穿電壓超過1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下擊穿電壓為770V。本器件結果能同時具有低導通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學
2016-06-08
Q波段連續波曲折波導行波管
曲折波導行波管是傳統螺旋線和耦合腔行波管的折中，具有較寬的工作帶寬和較大的功率容量，在毫米波和太赫茲頻段具有獨特的優點。為了進一步提高器件的性能，研制了新型慢波結構，以及毫米波段新型慢波結構真空電子器件。研制成功的Q波段連續波曲折波導行波管突破了高效率曲折波導慢波結構設計、加工與裝配、大電流密度電子槍、大功率連續波輸出等關鍵技術，實現了大功率輸出。 曲折波導慢波結構 Q波段連續波曲折波導行波管應用于衛星通信、電磁干擾等裝備系統中。
電子科技大學
2021-04-10