网上赌场真人发牌-澳门网上赌场空城

項(xiàng)目簡介 一種在鈦金屬表面制備 Ti-Si-C 涂層的方法，其特征是它由涂層合金粉末片制備和 激光熔覆處理組成。其中，Ti 粉、Si 粉和石墨粉經(jīng)混合球磨烘干后，在壓片機(jī)上壓制合 金粉末片，且涂層合金粉末片中各組分的原子個(gè)數(shù)百分比為：Ti 粉 50%，Si 粉 16.7%，C 粉 33.3 %。 產(chǎn)品性能、指標(biāo) 本發(fā)明熔覆工藝性能優(yōu)良，涂層組織致密，界面結(jié)合良好，主要組成相為 α-Ti、TiCx、 Ti5Si3 和 Ti3SiC2，組織為 α-Ti 基體＋

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴(yán)重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實(shí)現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術(shù)發(fā)展和國防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實(shí)現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時(shí)無法有效匹配；同時(shí)Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時(shí)存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實(shí)現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機(jī)理和外延機(jī)制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對當(dāng)前國際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價(jià)值。

小試階段/n本發(fā)明解決單相α-Si3N4超細(xì)粉體制備技術(shù)存在的問題，如原料價(jià)格高、工藝過程復(fù)雜、不易控制、能耗高和工業(yè)化程度低，所制備的產(chǎn)品純度低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和Alpha相含量低。本發(fā)明具有反應(yīng)溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產(chǎn)率高和產(chǎn)業(yè)化前景大的特點(diǎn)；所制備的單相α-Si3N4超細(xì)粉體粒度為100~500nm，無雜相、活性高、顆粒團(tuán)聚小和粒度分布均勻。本發(fā)明處于待轉(zhuǎn)化階段，應(yīng)用范圍廣闊，市場前景可觀，預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益優(yōu)異。

XM-404心臟傳導(dǎo)系模型 ? XM-404心臟傳導(dǎo)系模型可拆分為5部件，顯示心臟的外形與其連接的大血管，左、右心房，左、右心室中的結(jié)構(gòu)，心臟的血管，心臟傳導(dǎo)系是在此基礎(chǔ)上顯示出來的，傳導(dǎo)系統(tǒng)包括竇房結(jié)、 結(jié)間束、房室結(jié)、房室束，左、右束支和浦肯野纖維等。 尺寸：放大3倍，20.5×16×23cm 材質(zhì)：PVC材料

XM-412門靜脈系模型 ? XM-412門靜脈系模型產(chǎn)品上至頸根部作水平切，下至大腿根部、上肢于上三分之一橫切，打開胸腹壁示門靜脈系的組成。 ■ 軀干部示上腔靜脈、左右鎖骨下靜脈、頸內(nèi)靜脈、頭臂靜脈、下腔靜脈、髂總靜脈及奇靜脈的斷段。 ■ 腹腔內(nèi)示肝、胃、腸、食管的部分外形。 ■ 門靜脈系示各級屬支及屬支的配布。 ■ 門靜脈系統(tǒng)主要示腸系膜上下靜脈、脾靜脈附臍靜脈、食管靜脈、胃左右靜脈、膽囊靜脈、胰十二指腸靜脈等以及和門靜脈系有關(guān)的食管靜脈叢、直腸靜脈叢、臍旁靜脈叢、胸腹壁靜脈、腹壁上下靜脈以及腹壁淺靜脈等。 ■ 尺寸：36×17.5×53cm ■ 材質(zhì)：PVC材料

XM-404心臟傳導(dǎo)系模型 ? XM-404心臟傳導(dǎo)系模型可拆分為5部件，顯示心臟的外形與其連接的大血管，左、右心房，左、右心室中的結(jié)構(gòu)，心臟的血管，心臟傳導(dǎo)系是在此基礎(chǔ)上顯示出來的，傳導(dǎo)系統(tǒng)包括竇房結(jié)、 結(jié)間束、房室結(jié)、房室束，左、右束支和浦肯野纖維等。 尺寸：放大3倍，20.5×16×23cm 材質(zhì)：PVC材料

中試階段/n該項(xiàng)目以甘藍(lán)型油菜品種“華雙3號”（2n=38，基因組為AACC）和菘藍(lán)（2n=14，II）的葉肉原生質(zhì)體為材料，通過原生質(zhì)體融合方法得到具有雙親染色體數(shù)之和的體細(xì)胞雜種（2n=52，AACCII）；以體細(xì)胞雜種為母本，與甘藍(lán)型油菜連續(xù)五代回交和選擇，獲得雄蕊心皮化發(fā)育的甘藍(lán)型油菜細(xì)胞質(zhì)雄性不育系，命名為“菘油”細(xì)胞質(zhì)雄性不育系（inap CMS）。將一條菘藍(lán)染色體上的恢復(fù)基因?qū)敫仕{(lán)型油菜，獲得雄蕊發(fā)育基本正常、自交結(jié)實(shí)率高、恢復(fù)性好的恢復(fù)系。利用分子生物學(xué)技術(shù)在恢復(fù)系中

本發(fā)明公開了一種 MnO2/Ni 復(fù)合材料的制備方法及其產(chǎn)品，屬于 MnO2 薄 膜 技 術(shù) 領(lǐng) 域 。 方 法 包 括 ： S1 制 備 濃 度 為 9 ×10^-4mol/L～3.6×10^-3mol/L 的高錳酸鉀溶液；S2 向所述高錳酸鉀溶液中加入硫酸，獲得同時(shí)包括高錳酸鉀和硫酸的混 合 溶 液 ， 所 述 混 合 溶 液 中 硫 酸 的 濃 度 為 1.35 ×10<sup>-</su

（專利號：ZL 201310571526.0） 簡介：本發(fā)明公開一種三元Ni-Ru-S多相催化劑的制備方法，屬于釕催化劑制備技術(shù)領(lǐng)域。該催化劑由載體和活性組分構(gòu)成，載體為ZSM-5、SBA-15、γ-Al2O3以及SiO2中的任一種，活性組分為Ru、Ni，將RuCl3·3H2O、(CH3COO)2Ni·4H2O溶于乙醇中，將載體放入其中，充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆蚝蠛娓桑缓蠓湃敫邏悍磻?yīng)釜中進(jìn)行預(yù)硫化，將預(yù)硫化所得到的黑色固體放入真空干燥箱烘干后制