|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
Bi2Te3薄片/石墨烯復合材料及其制備方法和應用
本發明公開了一種Bi2Te3薄片/石墨烯復合材料，由微米級Bi2Te3薄片和石墨烯組成。由于石墨烯的分散、承載及隔離作用，可有效阻止微米Bi2Te3薄片在熱處理過程中的燒結，以保持晶界對聲子的有效散射，對提高Bi2Te3材料的熱電性能具有重大意義。該復合材料可作為熱電材料。本發明還公開了該復合材料的一步水熱法或一步溶劑熱法的制備方法，具有工藝簡單、成本低、周期短、能耗低等優點。
浙江大學
2021-04-11
一種 Al2O3-TiN 多孔陶瓷材料及其制備方法
傳統的Al2O3-TiN復合材料制備設備及工藝復雜，生產效率低下，成本高，不利于復合材料的推廣應用。本發明將兩種粒徑不同的Al2O3粗細顆粒作為骨料，α-Al2O3、TiO2、Al粉作為細粉按比例混合模壓，采用流動氮氣氣氛下常壓原位反應燒結。在合理的升溫速率、合理的燒結溫度以及保溫時間下制備Al2O3-TiN多孔陶瓷材料。用金屬作結合劑取代傳統燒結結合，可以降低制品的燒結溫度，燒結后制品中的金屬與原料中的物質原位反應形成難熔化合物。
青島農業大學
2021-05-07
1－甲基－4－異丙基－二環［2，2，2］辛烷－2，3－二酸酐的新用途
本發明屬于一種含有以１－甲基－４－異丙基－二環［２，２，２］辛烷－２，３－二酸酐為主要成分，其含量為６０－１００％的組成物作為新型焊接劑的新用途，提供了一種可作為新型焊接劑的具有酸酐官能團為特征結構的單萜類衍生物。制備這個新型焊接劑是以α－松油烯和馬來酸酐的分子間狄爾斯－阿爾德環加成反應產物為原料，使用５％Ｐｄ／Ｃ作為催化劑，用量是原料重量的１－１０％，氫的壓力在０．１－１．０ＭＰａ，加氫反應溫度在２０－３５℃條件下進行的，使用諸如甲醇，乙醇等醇類作為溶劑，使用量為原料重量的２－２０倍。本發明發現的該新型焊接劑，可以用在往電路板上用焊錫焊接電子元件時的焊接工藝之中以及各種需要焊接電子元件的電子產品生產過程當中。它具有很高焊接活性，殘渣少，焊接溫度低，易洗滌，是很有前景的新型焊接劑。
哈爾濱商業大學
2021-05-04
KCL吸收CO 2 制K 2 CO 3 技術
本項目利用有機胺、CO 2使氯化鉀鹽轉化成堿，價值增加，同時轉化過程中利用了CO 2，有利于CO 2 減排，有機胺可循環使用，使整個過程成本大大降低。該工藝采用有機胺直接將KCL轉化成K 2 CO 3，與傳統氨法制堿工藝相比，即先通過吸氨，然后碳化、結晶工藝相比，原料有機胺可以循環利用，使成本大大降低，反應步驟簡單、反應條件溫和，簡單易行，易于工業化生產。
華東理工大學
2021-04-13
HDE8031-2-2-0-600智能鍋爐液位計
產品詳細介紹 HDE8031-2-2-0-600智能鍋爐液位計 HDE8031/2系列智能鍋爐液位計 HDE8031/2系列智能鍋爐汽包液位計，是基于電容測量原理的液位計。它采用斷層掃描技術，通過測量分析測量筒內的液態、氣態介質的介電常數、補償溫度、壓力等變化帶來的影響。經過微處理器運算處理后輸出符合工業標準的4-20mA電流信號，也可輸出RS485數字信號供給使用。。 HDE8031主要應用于火力發電站、煉鋼廠鋼廠等亞臨界壓力鍋爐汽包上。 HDE8032主要用于余熱發電等高溫、中壓鍋爐汽包上。 鍋爐液位計主要技術指標： ●工作電壓：最大：28V 最小：20V ●電 流 環：兩線制4.00mA ～ 20.00mA（±2.5%）●防爆等級：ExiaIICT6 ●防爆參數：Ui=30V,Ii=100mA,Pi=0.75W,Ci=100pF,Li=10uH ●工作壓力：HDE8031 20MPa max HDE8032 6.5MPa max ●測量范圍：1500mm ●測量周期：0.1秒 ●環境溫度：-40℃～65℃ ●介質溫度：HDE8031 600℃ max HDE8032 450℃ max ●防護等級: IP65 聯系人：崔經理 手機：13598007836 電話：0371-53735520 QQ:1043256882 郵箱：hongdaerck@126.com 網址：www.hdekj.com
鄭州宏達爾測控科技有限公司
2021-08-23
一種腫瘤靶向多肽光敏劑鍵合物
本發明公開了一種腫瘤靶向多肽光敏劑鍵合物，屬于生物醫藥領域。所述的腫瘤靶向多肽光敏劑鍵 合物的結構為 A-B-C-D，其中，A 為光動力學治療光敏劑，B 為含正電荷的細胞穿膜肽片段，C 為基質 金屬蛋白酶特異性識別多肽片段，D 為含負電荷的多肽片段。本發明公開的多肽光敏劑鍵合物可以顯著 提高光動力學治療光敏劑在生理條件下的穩定性，極大的減少光動力學
武漢大學
2021-04-14
一種四自由度倒裝鍵合頭
本發明公開了一種四自由度倒裝鍵合頭，包括一個基于滾珠花鍵副的兩自由度串聯機構、一個兩自由度的并聯機構和吸嘴。在串聯機構中，滾珠花鍵軸通過轉動副與滑塊相連，驅動滑塊實現倒裝鍵合頭 Z 方向的移動；其套筒通過另一轉動副固定在機架上，驅動與套筒固連的撥叉實現倒裝鍵合頭 Z 方向的轉動；并聯機構由上、下平臺，以及連接兩者的一條固定支鏈和兩條運動運動支鏈組成，驅動兩條運動支鏈中的移動副實現倒裝鍵合頭 X、Y 方向的微小轉動；并聯機構的上平臺與滾珠花鍵軸固定連接，下平臺安裝拾取/貼放裸芯的吸嘴。本發明實現了倒裝
華中科技大學
2021-04-14
一種短波長光輔助硅片直接鍵合方法
本發明屬于晶圓鍵合技術，為一種短波長光輔助硅片直接鍵合方法，其步驟包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③將硅片用短波長光繼續輔助活化，活化后取出；短波長光的波長范圍為 100～400nm，短波長光照射光強為 5～30mW/cm<sup>2</sup>，活化時間為 0.5～30分鐘；④預鍵合；⑤退火。經過短波長光輔助活化處理后的鍵合硅片對結合緊密，無需外壓力作用就能實現硅硅直接鍵合。本發明所需設備簡單，鍵合速度快，鍵合周期短，鍵合面積大，鍵合溫度低，且在鍵合強度及鍵合可靠性上具有
華中科技大學
2021-04-14
一種面向芯片的倒裝鍵合貼裝設備
本發明屬于芯片貼裝設備相關領域，并公開了一種面向芯片的 倒裝鍵合貼裝設備，包括晶元移動單元、頂針單元、大轉盤單元、小 轉盤單元、基板進給單元)、貼裝運動單元，以及作為以上各單元安裝 基礎的支架等，其中晶元移動單元可對晶元盤實現三自由度運動并實 現晶元的供給;大轉盤單元將脫離晶元盤的芯片精度轉移至吸嘴上， 然后由小轉盤單元對芯片逐一拾取;基板進給單元實現貼裝基板的進 給運動，貼裝運動單元則將拾取完芯片的小轉盤運動至基板貼裝位置， 最終實現芯片的貼裝。通過本發明，各個模塊單元之間相互聯系，共 同協作，顯
華中科技大學
2021-04-14
鴻合HiTepio300X 1600ANSI流明1024×760
產品詳細介紹
北京鴻合世紀科技有限責任公司
2021-08-23