网上赌场真人发牌-澳门网上赌场空城

（專利號：ZL 201510680435.X） 簡介：本發(fā)明公開了一種負(fù)載型Au?Pd/mpg?C3N4納米催化劑催化甲酸脫氫的方法，屬于化學(xué)化工技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將制備好的負(fù)載型Au?Pd/mpg?C3N4納米催化劑置于反應(yīng)器中，將反應(yīng)器置于油浴中升至一定溫度，接著將甲酸和甲酸鈉混合液加入反應(yīng)器中進(jìn)行反應(yīng)，生成的氫氣采用排水法收集。所述Au?Pd/mpg?C3N4納米催化劑是采用Au、Pd和去離子水按照一定摩爾比配置，將載體mpg?C3N4加入上述溶液中，向混合液中添加還原劑，經(jīng)過濾、干燥后制得。與傳統(tǒng)的負(fù)載型催化劑不同的是：根據(jù)本發(fā)明，調(diào)節(jié)催化劑中金屬金、鈀的含量及mpg?C3N4含量就可以制得用于甲酸脫氫制氫氣的高活性、高選擇性負(fù)載型Au?Pd/mpg?C3N4納米催化劑。

技術(shù)分析（創(chuàng)新性、先進(jìn)性、獨(dú)占性） 目前的海洋食品保鮮商用冷鏈主要是3條：①傳統(tǒng)4℃冷藏鏈，貯藏期最短，7天左右,不能滿足商業(yè)流通要求；②冰鮮（冰藏）冷鏈，貯藏期短,15天左右,商業(yè)流通半徑受限；③傳統(tǒng)-18℃以下的凍藏冷鏈，貯藏期長，半年或一年以上，但是存在海洋食品蛋白質(zhì)變性、脂肪氧化和解凍汁液（營養(yǎng)與風(fēng)味）流失等品質(zhì)大幅下降的問題,商業(yè)價(jià)值銳降。 冰溫是繼冷藏和凍藏后的一種新興食品保鮮技術(shù)。包括冰溫貯藏、熟成、發(fā)酵、濃縮、干燥和流通6個(gè)方面，冰溫溫度帶指的是零度到食品凍結(jié)點(diǎn)之間的溫區(qū)，該溫區(qū)加工的食品新鮮味美。在國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目的資助下，本研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)了食品冰溫真空干燥（脫水）實(shí)驗(yàn)機(jī)和中試機(jī)，物料脫水過程中溫度波動(dòng)控制在±0.5℃以內(nèi)。海洋食品的冰點(diǎn)多在-1℃～-2℃，冰溫帶狹小是其商業(yè)應(yīng)用難點(diǎn)，本成果提出“冰溫真空脫水+冰點(diǎn)調(diào)節(jié)劑”方法（實(shí)審中發(fā)明專利：一種拓寬生鮮食品冰溫帶的方法，申請?zhí)?01810870251.3），將食品冰點(diǎn)降至-4℃以下，實(shí)現(xiàn)0℃至-4℃海洋食品非凍結(jié)商業(yè)流通，突破了冰溫技術(shù)應(yīng)用瓶頸。以草魚片為例，適口含鹽量2.5%和含水率60%魚片（冰溫真空脫水后），0℃至-4℃非凍結(jié)貯藏期70天以上，為傳統(tǒng)4℃冷藏的10倍，鮮味成分倍增。 另外，海洋食品0℃至-4℃非凍結(jié)保鮮冷鏈，涉及到“冰溫真空脫水機(jī)”的冷阱制冷系統(tǒng)，0℃至-4℃貯運(yùn)裝置（冷庫和冷藏車）的制冷系統(tǒng)，本團(tuán)隊(duì)“制冷系統(tǒng)中兩相射流泵代替膨脹閥”專利技術(shù)解決了制冷劑節(jié)流損失回收的難題，中試實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，最大節(jié)能幅度達(dá)9%。 冰溫真空脫水（干燥）機(jī) 射流泵供液制冷系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)臺(tái) 創(chuàng)新性： ① 海洋食品0℃至-4℃非凍結(jié)保鮮冷鏈的創(chuàng)建，創(chuàng)新裝置：冰溫真空脫水機(jī)-精密溫控技術(shù)； ② 射流泵代替膨脹閥冷鏈制冷系統(tǒng)節(jié)能技術(shù)，創(chuàng)新設(shè)備：冷鏈用兩相射流泵供液系統(tǒng)-制冷劑節(jié)流損失回收利用技術(shù)。 先進(jìn)性：本成果海洋食品非凍結(jié)保鮮貯藏期國際領(lǐng)先，射流泵代替膨脹閥冷鏈制冷系統(tǒng)的節(jié)能幅度國際領(lǐng)先。 獨(dú)占性：本成果的核心技術(shù)涉及3項(xiàng)授權(quán)發(fā)明專利，為上海海洋大學(xué)獨(dú)有。

（專利號：ZL 201410181859.7） 簡介：本發(fā)明公開了一種磁性Fe3O4納米材料嫁接酸性離子液體(MNPs-IL-HSO4)催化芳胺乙酰化反應(yīng)的方法，屬于有機(jī)化學(xué)合成領(lǐng)域。該乙酰化反應(yīng)中芳胺與乙酸酐的摩爾比為1：1～2，MNPs-IL-HSO4催化劑的摩爾量是所用芳胺的10～15％，在室溫下反應(yīng)15～60min，反應(yīng)后用乙醚稀釋，接著用磁鐵吸附出濾渣并用乙醚洗滌，收集含有乙酰化產(chǎn)物的濾液，濾渣經(jīng)真空干燥后可以循環(huán)使用。本發(fā)明與

1、基礎(chǔ)研究人才。2、化工工藝人才。3、高端化工設(shè)計(jì)人才。4、工藝設(shè)計(jì)人才。

山東大學(xué)多源固廢基土木功能材料產(chǎn)業(yè)示范生產(chǎn)系統(tǒng)招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在山東省魯成招標(biāo)有限公司2408室（濟(jì)南市經(jīng)十東路10567號成城大廈A座），疫情期間招標(biāo)文件采用郵寄方式，不需現(xiàn)場領(lǐng)取。獲取招標(biāo)文件，并于2022年06月14日09點(diǎn)00分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。

D-異抗壞血酸作為維生素 C 的光學(xué)異構(gòu)體，具有抗氧化作用強(qiáng)、氧化速度慢等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于食品、醫(yī)藥、化工等工業(yè)領(lǐng)域。2-酮基-D-葡萄糖酸是 D-異抗壞血酸的前體。經(jīng)篩選獲得一株以(NH4)2SO4 為唯一氮源的高產(chǎn) 2-酮基-D-葡萄糖酸菌株，在 30L 發(fā)酵罐中，發(fā)酵時(shí)間 42 h；產(chǎn)量達(dá)到 265.8 g/L，糖酸轉(zhuǎn)化142率為 1.04 g/g。在 500 L 發(fā)酵罐中，發(fā)酵 48 h，產(chǎn)量達(dá)到 220 g/L，糖酸轉(zhuǎn)化率 0.99 g/g。此生產(chǎn)菌株在發(fā)酵過程中無副產(chǎn)物生成，所得產(chǎn)品純度高。 

具有6.3T矯頑力的鈷?萘環(huán)氮氧自由基分子磁體材料及其制備方法，所述分子磁體化學(xué)式為[Co(hfac)2(EtONapNIT)]n，式中n為1到正無窮的自然數(shù)。其制備方法是將六氟乙酰丙酮鈷的正己烷懸浮液回流超過兩小時(shí)，降溫并加入EtONapNIT的二氯甲烷溶液反應(yīng)，室溫?fù)]發(fā)幾天后得到目標(biāo)產(chǎn)物。所述分子磁體材料的制備方法簡單，反應(yīng)條件溫和，產(chǎn)率高，具有很好的空氣穩(wěn)定性。配合物在零場下展現(xiàn)出慢磁馳豫行為，2K時(shí)具有非常大的磁滯回環(huán)，矯頑場接近6.3T。這種具有大的矯頑場的分子磁體材料，可有效減少信息存儲(chǔ)器件在環(huán)境微擾下產(chǎn)生的信息丟失情況，因此在高密度信息存儲(chǔ)領(lǐng)域具有非常高的潛在應(yīng)用價(jià)值。

本發(fā)明涉及一種納米結(jié)構(gòu)的氧化亞銅基PIN結(jié)太陽能電池及其制備方法。該太陽能電池結(jié)構(gòu)包括：襯底；P型氧化亞銅納米線陣列，該P(yáng)型氧化亞銅納米線陣列生長在襯底上；絕緣層，該絕緣層沉積在P型氧化亞銅納米線陣列表面；N型層，該N型層填充在絕緣層外并且形成一層薄膜；N型歐姆電極，該N型歐姆電極制作在N型層上；P型歐姆電極，該P(yáng)型歐姆電極制作在P型氧化亞銅納米線陣列層上。本發(fā)明中納米線陣列結(jié)構(gòu)可提高電池的結(jié)面積，減小載流子的擴(kuò)散距離，PIN結(jié)構(gòu)可有效增大耗盡層寬度，大大提高載流子的分離和收集效率，從而提高太陽能電池的能量轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明采用的原料豐富、廉價(jià)、無污染，采用的制備方法有電化學(xué)沉積法、磁控濺射法及電子束蒸發(fā)法，都可以大規(guī)模應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中，有廣闊的發(fā)展前景。

本發(fā)明公開了一種鋰、鈰、鉭共摻鈮酸鉍鈣基壓電陶瓷材料及其制備方法，其特點(diǎn)是該壓電陶瓷材料由通式Ca1-x(Li, Ce)x/2Bi2Nb2-yTayO9表示，0.02≤x≤0.15，0.01≤y≤0.3，其中X表示A位鋰、鈰元素的摩爾分?jǐn)?shù)，Y表示B位鉭元素的摩爾分?jǐn)?shù)。采用固相法制備A位鋰、鈰(Li，Ce)，B位鉭(Ta)不同摻雜量的鈮酸鉍鈣(CBN)陶瓷粉體材料；再通過造粒、壓片、排膠、燒結(jié)、被銀、極化的工藝制備鋰、鈰、鉭共摻雜CBN基壓電陶瓷材料。結(jié)果表明在較低的燒結(jié)溫度（～1100）℃下制備得到的鋰、鈰、鉭共摻雜CBN基壓電陶瓷材料，其晶粒比較致密、晶粒均勻，提高了燒結(jié)活性及陶瓷的致密性，使得燒結(jié)效果更好；壓電性能大大提高，并降低其介電損耗。