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一種具備三維多孔結(jié)構(gòu)的納米二氧化鈦-石墨烯復(fù)合材料制備方 法及其產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種用于制備納米二氧化鈦-石墨烯復(fù)合材料的方 法，包括：（a）向濃度為 1-4mg/mL 的氧化石墨烯溶液中加入二氧化 鈦納米顆粒，其中氧化石墨烯與二氧化鈦之間的重量比控制為 10:1～ 1:10，并獲得分散液；（b）將所獲得的分散液置入反應(yīng)釜中，在120-200℃ 的條件下執(zhí)行水熱反應(yīng) 2-12 小時，然后經(jīng)過冷凍干燥處理即得到具備 三維多孔結(jié)構(gòu)的納米二氧化鈦-石墨烯復(fù)合材料產(chǎn)品。本發(fā)明還公開了
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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一種對于二氧化碳 (CO2) 還原反應(yīng)具有高選擇性和活性的電催化劑
開發(fā)出了一種基于鈷酞菁（CoPc）分子的高性能CO 2 還原電催化劑材料。在納米尺度上，CoPc分子通過強π-π相互作用均勻的附著在碳納米管(CNT)外壁上，形成CoPc/CNT復(fù)合物。與CoPc分子相比，該復(fù)合物電催化劑顯著提高了CO 2 還原為一氧化碳（CO，一種在大規(guī)模化工產(chǎn)品制造中廣泛應(yīng)用的重要工業(yè)氣體）反應(yīng)的電流密度并有效改善了催化劑的選擇性以及穩(wěn)定性。在0.1 M 碳酸氫鉀 (KHCO 3 ) 電解質(zhì)中進行電催化CO 2 還原時，CoPc/CNT復(fù)合催化劑能夠在0.52 V的過電勢下穩(wěn)定地維持10mA cm -2 左右電流密度10小時以上，并且CO的法拉第效率始終保持在90%以上。在分子水平上，通過在CoPc分子上引入氰基（CN）,得到的CoPc-CN/CNT復(fù)合物電催化劑在0.1M KHCO 3 水相電解質(zhì)中催化CO 2 還原為CO的法拉第效率在研究的電勢區(qū)間內(nèi)都達到95%以上。該CoPc-CN/CNT電催化劑能夠在0.52V過電勢下進一步提高CO 2 還原的電流密度至15mAcm -2 ，轉(zhuǎn)化頻率（Turnover Frequency, TOF）為4.1s -1 。該復(fù)合催化劑在電催化CO 2 還原中能夠?qū)崿F(xiàn)較高的電極電流密度(可媲美當(dāng)前最好的非均相電催化劑)，同時維持單個催化位點的高活性(可媲美當(dāng)前最好的分子體系電催化劑)。該項研究表明這種分子/納米碳復(fù)合材料是一類非常誘人的能夠轉(zhuǎn)換過剩排放CO 2 為可再生燃料的電催化劑材料。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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物理學(xué)院劉開輝課題組在12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備研究中取得進展
北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室劉開輝教授課題組與合作者提出模塊化局域元素供應(yīng)生長技術(shù)，成功實現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴展至與當(dāng)代主流半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動二維半導(dǎo)體材料由實驗研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。2023年7月4日，相關(guān)研究以“模塊化局域元素供應(yīng)技術(shù)批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物晶圓”（Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply）為題，在線發(fā)表于《科學(xué)通報》（Science Bulletin）。
北京大學(xué)
2023-08-22
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聚（(甲基)丙烯酸-b-苯乙烯-b-丁二烯-b-苯乙烯）嵌段共聚物膠乳及其制備方法
本發(fā)明公開了一種聚（(甲基)丙烯酸-b-苯乙烯-b-丁二烯-b-苯乙烯）嵌段共聚物膠乳及其制備方法，本發(fā)明采用的雙親性大分子可逆加成斷裂鏈轉(zhuǎn)移試劑既作為鏈轉(zhuǎn)移試劑又作為反應(yīng)型乳化劑，通過乳液聚合反應(yīng)直接得到穩(wěn)定的聚（（甲基）丙烯酸-b-苯乙烯-b-丁二烯-b-苯乙烯）嵌段共聚物膠乳；本發(fā)明流程簡單，過程環(huán)保節(jié)能，產(chǎn)物聚（（甲基）丙烯酸-b-苯乙烯-b-丁二烯-b-苯乙烯）嵌段共聚物膠乳在改性瀝青、膠粘劑、聚合物增韌改性等許多領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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成功解析卡波氏肉瘤病毒（KSHV）重要功能蛋白ORF57C端（ORF57-CTD）的單體和二聚體結(jié)構(gòu)
卡波氏肉瘤病毒，又名人類皰疹病毒8型，是一種重要的人類腫瘤病毒，能導(dǎo)致卡波氏肉瘤和B細(xì)胞淋巴瘤等惡性腫瘤。ORF57是KSHV編碼的早期基因，在病毒復(fù)制過程中能穩(wěn)定病毒轉(zhuǎn)錄的mRNA從而促進病毒復(fù)制，是病毒裂解復(fù)制過程中的重要功能蛋白。ORF57蛋白半衰期較短，因此維持其穩(wěn)定性對其發(fā)揮功能至關(guān)重要。既往報道證實ORF57蛋白通過二聚化而得以穩(wěn)定，然而ORF57二聚化的詳細(xì)生化機制長期沒有得到充分的闡明。該研究利用X射線衍射技術(shù)成功解析了ORF57-CTD蛋白3.5?分辨率的二聚體結(jié)構(gòu)和3?分辨率的單體結(jié)構(gòu)，揭示了ORF57-CTD每一個單體球狀核心區(qū)域底部都含有一個保守的鋅離子CHCC結(jié)合序列并結(jié)合一個鋅離子；此外，ORF57-CTD的每個單體N端延伸出一個長臂并包裹住另一個單體核心區(qū)域，且兩個單體的核心區(qū)域以反向平行的形式相互作用。因此，N端長臂和核心區(qū)域的相互作用介導(dǎo)了ORF57的二聚化形成
武漢大學(xué)
2021-04-10
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
華中農(nóng)業(yè)大學(xué)文法學(xué)院實驗室計算機更新采購項目（二次）競爭性磋商公告
華中農(nóng)業(yè)大學(xué)文法學(xué)院實驗室計算機更新采購項目（二次）競爭性磋商
華中農(nóng)業(yè)大學(xué)
2022-06-23
2021-2022年度中國高等教育博覽會“校企合作 雙百計劃” 第二組雙走訪活動圓滿成功
為提升高校人才培養(yǎng)質(zhì)量，推動教育與產(chǎn)業(yè)統(tǒng)籌融合，進一步推選2021-2022年度中國高等教育博覽會“校企合作雙百計劃”（以下簡稱“雙百計劃”）典型案例，中國高等教育學(xué)會于2022年3月19日開展了“雙百計劃”第二組雙走訪活動。本場雙走訪采用線上走訪形式。
中國高等教育博覽會
2022-03-24
【成電重研院】第二屆科創(chuàng)中國·高等學(xué)校技術(shù)交易大會集成電路產(chǎn)業(yè)分論壇在重慶舉辦
4月9日，以“芯”成果·新生態(tài)|集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢”為主題的第二屆科創(chuàng)中國·高等學(xué)校技術(shù)交易大會集成電路產(chǎn)業(yè)分論壇在重慶召開。論壇由中國科協(xié)和重慶市人民政府指導(dǎo)，中國高等教育學(xué)會、中國科協(xié)科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新部、重慶市教育委員會、重慶市科技局、中國科學(xué)技術(shù)出版社共同主辦，電子科技大學(xué)承辦，電子科技大學(xué)重慶微電子產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、成都市電子學(xué)會協(xié)辦。
云上高博會
2023-04-11
林科技大學(xué).jpg){kind=logo}
西北農(nóng)林科技大學(xué)化藥學(xué)院常明欣教授團隊在合成手性二氫喹喔啉酮方面取得新進展
該研究利用二胺作為不對稱還原胺化的胺源，與酮酯在手性銠催化劑作用下高效合成手性3,4-二氫喹喔啉酮。
西北農(nóng)林科技大學(xué)
2022-10-13
錦正茂 硅二極管DT640-BC型裸片溫度計小型溫度傳感器1.4K-500K
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05