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高等教育領域數字化綜合服務平臺
關于公布2021年度化學科學部原創探索計劃項目（第二批）評審會專家的公告
2021年12月9日，化學科學部組織評審2021年度第二批專家推薦類原創探索計劃項目。根據國家自然科學基金委員會相關規定，現發布評審會專家名單。
國家自然科學基金委員會化學科學部
2021-12-15
【第57屆高博會系列報道之三】第二屆云端教學發展大會在陜西西安舉辦
大會以“云網融合教育創新突出應用示范引領”為主題，聚焦教育信息化和教育資源數字化建設，共研新形勢下教育變革路徑，共商新時代云端教學發展大計，共助高校教育教學模式創新與發展。
中國高等教育學會
2022-08-06
中國高等教育學會關于召開第二屆數字時代創新創業教育研討會的通知
為探討當前高校該如何抓住數字經濟和新一輪產業革命的契機，將數字技術積極融入創新創業教育，激發創造，成就創新，賦能創業，持續深化創新創業教育改革，賦能高校專創融合、科創融合、人才培養、數字創業以及高質量雙創實踐教育體系，經研究，中國高等教育學會決定舉辦第二屆數字時代創新創業教育研討會。
中國高等教育學會
2023-03-30
第二屆科創中國·高等學校技術交易大會成功舉辦
4月9日，由中國科協和重慶市人民政府指導，中國高等教育學會聯合重慶市級相關部門共同舉辦，學會科技服務專家指導委員會、哈爾濱工業大學、電子科技大學、重慶大學三所高校參與承辦的第二屆科創中國·高等學校技術交易大會在重慶國際博覽中心順利召開。
云上高博會
2023-04-11
南京師范大學化科院在二氧化碳轉化與利用研究領域取得重要進展
論文在MOF基晶態材料作為光催化劑實現CO2到CO的光催化定向轉化的基礎上，選擇了兼容的反應體系和反應裝置，建立了光催化還原CO2反應和羰基化反應的串聯催化反應體系。
南京師范大學
2022-06-14
一種利用含二氧化碳的硫化氫酸氣制備硫氫化鈉的方法
（專利號：ZL 201310697615.X） 簡介：本發明公開一種利用含二氧化碳的硫化氫酸氣制備硫氫化鈉的方法，屬于脫碳技術領域。該方法首先將含有氫氧化鈉和碳酸氫鈉的緩沖溶液與未脫碳的硫化氫酸氣進行混合反應吸收酸氣中的二氧化碳和部分硫化氫，得到脫碳富液，然后加熱脫碳富液，使脫碳富液中的硫氫化鈉發生水解反應，轉化成氫氧化鈉，水解反應生成的氫氧化鈉與脫碳富液中的游離堿和碳酸氫鈉反應生成碳酸鈉；將脫除二氧化碳后的硫化氫酸氣進入管式混合反應器，
安徽工業大學
2021-01-12
用Bi/Mo/Fe/Ce四組分復合氧化物催化劑合成1,3-丁二烯的方法
本發明公開了一種用Bi/Mo/Fe/Ce四組分復合氧化物催化劑合成1,3-丁二烯的方法。本發明使用該四組分催化劑進行1-丁烯的氧化脫氫生產1,3-丁二烯的方法。更具體的說，采用鐵鹽、鉍鹽、鉬鹽、鈰鹽和去離子水按照一定摩爾比配置，堿液調節pH值，經濃縮、過濾、干燥、焙燒、冷卻后，再通過研磨、篩分得到Bi/Mo/Fe/Ce的四組分復合氧化物催化劑。與由金屬組分構成的常規多組分金屬氧化物催化劑不同的是，根據本發明，可以對金屬組分的比例進行系統研究就可以制得用于1,3-丁二烯制備工藝的高活性、高選擇性Bi/Mo/Fe/Ce四組分復合氧化物催化劑。
浙江大學
2021-04-13
中國高等教育學會關于舉辦第二屆科創中國·高等學校技術交易大會的通知
為全面貫徹落實黨的二十大精神，推動高?？萍紕撔潞统晒D化，服務科技自立自強和區域創新發展，在中國科協和重慶市人民政府的指導下，中國高等教育學會聯合重慶市級相關部門共同舉辦第二屆科創中國·高等學校技術交易大會。本次大會包括主論壇及集成電路、數字經濟、低碳與能源三大產業分論壇，并將與第58·59屆中國高等教育博覽會同期舉行。
中國高等教育學會
2023-03-23
關于高校設備更新改造及數字化建設解決方案供應商名錄（第二批）的公示
公示期2024年1月8日至2024年1月12日。
中國高等教育博覽會
2024-01-08
DT640-BC型裸片溫度計硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17