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多鐵BiFeO3薄膜反鐵磁序應變調控機制
BiFeO3薄膜反鐵磁序的研究是理解磁電耦合效應和實現電場控制磁性的前提，然而觀測反鐵磁結構實驗手段有限，薄膜中多個鐵彈疇的存在進一步使其分析更為困難。因此，BiFeO3薄膜反鐵磁結構及其應變調控的物理機制一直還存在爭議。 研究發現應變可大幅度調控反鐵磁磁矩朝向，且在大的拉應變作用下反鐵磁磁矩朝向與鐵電極化的垂直關系被打破，結合第一性原理揭示應變對反鐵磁序的調控是由Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用和單離子各向異性間相互競爭導致；該工作打破了之前一般認為的Bi
哈爾濱工業大學
2021-04-14
零距離智能高清高亮超短焦3D投影電視
零距離智能高清投影電視，是全球首款120寸智能投影電視，置于普通電視柜上即可欣賞120寸震撼畫面。本投影電視具有全高清1080P分辨率，可打造極致品質生活；采用Android 4.2.2操作系統，應用自由下載(目前手機遙控僅支持安卓4.0以上版本)，內置16G超大存儲空間，1G DDR3內存，還可擴展SD和USB存儲設備。具有Wifi無線/有線，上網功能。內嵌4.0版本藍牙硬件，極致省電，3毫秒超低延遲，傳送距離高達100m。可方便手機，相機，pad等移動設備數據傳送。采用美國德州儀器最新4421處理器，全面支持藍光3D，上下格式，左右格式，場序列，幀序列，DLP3D等所有3D格式。內置高清硬件解碼器，U盤/移動硬盤/SD直插直播功能，智能環境光感技術，根據環自動調節畫面亮度，內嵌2組8W立體揚聲器，無需外接音箱。并且具有豐富的I/O接口設計，支持鼠標操作。如圖所示的是零距離智能高清投影電視效果圖。
上海理工大學
2021-04-13
數字人科技又出新產品——3D打印胚胎模型
3D打印胚胎模型的“全家福”由35個模型組成，包括胚胎總論模型20個，畸變模型15個。
山東數字人科技股份有限公司
2022-05-27
一周科創資訊｜8月28日-9月3日
一周高等教育科技創新政策、熱點新聞導讀
高教科創
2023-09-04
一種Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制備方法
一種Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制備方法。其技術方案是：將60——85wt％的α-Al2O3、5——15wt％的碳源和10——30wt％的單質硅混合，制得混合料。將100份質量的所述混合料、0.5——2份質量的木質素磺酸銨和0.1——0.6份質量的聚羧酸鹽混合，再與20——30份或30——40份質量的水一起攪拌，制得漿體Ⅰ或漿體Ⅱ。將聚氨酯海綿浸入到漿體Ⅰ中，浸漬后擠壓或甩漿，干燥，得到預處理的泡沫陶瓷坯體；再用漿體Ⅱ進行噴涂，干燥，得到泡沫陶瓷坯體。將所述泡沫陶瓷坯體置入高溫爐內，于埋炭氣氛下，依次以1.5——2.5℃/min、0.5——1℃/min和2.5——3.5℃/min的速率升溫至1300——1500℃，保溫2.5——3.5h，即得Al2O3-SiC泡沫陶瓷。本發明制備的制品強度高、抗氧化性能好和抗熱震性能優良。
（注：本項目發布于2015年）
武漢科技大學
2021-01-12
一種單相α-Si3N4超細粉體及其制備方法
本發明涉及一種單相α?Si3N4超細粉體及其制備方法。其技術方案是：先將5——30wt%的單質硅粉、15——45wt%的固態氮源和40——80wt%的鹵化物粉混合均勻，制得混合物；再將所述混合物置入管式電爐內，在氮氣氣氛下以2——10℃/min的升溫速率升至1000——1300℃，保溫2——6小時；然后將所得產物用去離子水反復清洗，直至分別用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出現白色沉淀為止；最后在110℃條件下干燥10——24小時，即得單相α?Si3N4超細粉體。本發明具有反應溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產率高和產業化前景大的特點；所制備的單相α?Si3N4超細粉體粒度為100——500nm，無雜相、活性高、顆粒團聚小和粒度分布均勻。
（注：本項目發布于2015年）
武漢科技大學
2021-01-12
利用轉爐 LT 灰制備氧化鐵紅（α-Fe 2 O 3 ）
LT 灰中主要含有鐵氧化物（磁鐵礦與赤鐵礦）和硅酸鹽（鐵橄欖石和鈣鐵輝石、透輝石），它們物性差異較大，比磁化率在不同量級，利用其物性差異通過強磁場將鐵氧化物和硅酸鹽等雜質分離，實現氧化鐵的富集與提取。提取后的氧化物再經過低溫改性，即可制備α-Fe 2 O 3 產品。
北京科技大學
2021-04-13
一種可折疊式3D掃描儀裝置
本發明公開了一種可折疊式3D掃描儀機構裝置。其主要包括便攜式箱體組件、可調掃描平臺機構組件和底板平臺組件；首先，本裝置整體由步進電機提供動力，經電機軸和轉盤支座直連提供扭矩，再由轉盤支座與轉盤連接帶動掃描物體旋轉；掃描儀平臺機構提供了可調節高度裝置，所以安裝在掃描平臺上的激光器可以進行不斷地釆點掃描，兩者配合來完成三維圖像。
南京工程學院
2021-01-12
一種In2Se3納米線及其制備方法和應用
本發明提供一種In2Se3納米線及其制備方法和應用。該In2Se3納米線的制備方法包括如下步驟：第二載氣將氣相Se輸送到含有催化劑的襯底上并與In2O3接觸，再通入第一載氣將In2O3還原，然后在所述襯底上沉積生長得到In2Se3納米線。本發明制備方法簡單高效，可以對納米線的均勻度、直徑、長度進行調控，制備得到的In2Se3納米線克服了現有技術中In2Se3納米線短而稀疏的劣勢。
蘭州大學
2021-01-12
極光爾沃3D創客教育方案整體解決方案
深圳市極光爾沃科技股份有限公司
2021-08-23