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一種溴鉛銫單晶制備方法
本發(fā)明公開了一種溴鉛銫單晶制備方法，采用鍍有碳膜的具有 圓錐形尖端的安瓿裝載溴鉛銫粉料，具體包括如下步驟：將安瓿抽真 空密封；對安瓿按其圓錐形尖端到溴鉛銫粉料頂端的方向梯度加溫， 使置于安瓿中的溴鉛銫粉料充分熔化；對安瓿緩速降溫，直到溴鉛銫 粉料頂端的溫度比溴鉛銫的凝固點低 0～5℃后保溫，完成溴鉛銫單晶 生長；對溴鉛銫單晶分階段降溫：第一階段快速降溫，使溴鉛銫單晶 快速冷卻；第二階段慢速降溫，實現(xiàn)溴鉛銫單晶晶體相變
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種磁隧道結(jié)及其制備方法
本發(fā)明公開了一種磁隧道結(jié)及其制備方法。磁隧道結(jié)包括第一 電極層，以及依次形成在第一電極層上的第一磁性層、絕緣隧穿層、 第二磁性層和第二電極層；第一磁性層和第二磁性層至少其中之一為 CoFe(R)/FePt 結(jié)構(gòu)；CoFe(R)/FePt 結(jié)構(gòu)由 CoFe(R)層和 FePt 層疊加而 成，CoFe(R)層較 FePt 層靠近所述絕緣隧穿層；CoFe(R)層的材料為摻 入 R 的 CoFe，R 為 B、Al 和 Ni 至少其中之一。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種頸椎按摩儀及其控制方法
本發(fā)明公開一種頸椎按摩儀，包括按摩頭驅(qū)動裝置和固定裝置，按摩頭驅(qū)動裝置包括按摩頭、楔行滑塊、楔行滑塊驅(qū)動電機、按摩頭裝置驅(qū)動電機；按摩頭上下移動用于對頸椎施加力的作用，楔行滑塊驅(qū)動電機驅(qū)動楔行滑塊前后移動，從而使按摩頭上下移動，按摩頭裝置驅(qū)動電機用于驅(qū)動按摩頭裝置水平方向移動從而按摩不同的頸椎關(guān)節(jié)；固定裝置包括頭部固定帶、頸部提升塊、肩部固定塊，分別用來固定頭部、頸部和肩部的位置，從而使按摩頭能準確的依次對各個頸
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種人工氣候室控制方法
本發(fā)明是一種人工氣候室的控制方法，通過傳感器元件實時檢測氣候室內(nèi)部的溫度、濕度，并用濾波器對信號進行濾波處理，濾除外界或傳感器干擾帶來的信號擾動。然后在考慮光照產(chǎn)熱作用的情況下，控制器采用帶預(yù)測的滯后魯棒控制處理算法，穩(wěn)定、準確地控制氣候室內(nèi)部的溫度、濕度，采用燈光分級前饋的方法直接設(shè)定光照度，最后通過執(zhí)行器作用于人工氣候室。該控制方法采用最少的操作動作，在最小能耗下實現(xiàn)人工氣候室溫度、濕度及光照的高效控制。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非金屬雜質(zhì)檢測方法
本發(fā)明公開了一種非金屬雜質(zhì)檢測方法，包括以下步驟:1)將 平板電容器與直流電源連接，使平板電容器的兩電極板之間形成穩(wěn)定 電場;將平板電容器與信號處理裝置連接，以在信號處理裝置中顯示 平板電容器的電容值的信號波形;2)使被測導(dǎo)磁件從平板電容器的兩 電極板之間通過;3)觀察信號處理裝置中獲得的平板電容器的電容值 的信號波形是否存在突變區(qū)域，以判斷被測導(dǎo)磁件上是否存在非金屬 雜質(zhì)。本發(fā)明通用性強，信號處理裝置集成信號讀取和輸出功能，用 于檢測雜質(zhì)的裝置具有體積小、重量輕、通用性強、造價低等優(yōu)點， 能極好地
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非金屬雜質(zhì)檢測方法
本發(fā)明公開了一種非金屬雜質(zhì)檢測方法，包括以下步驟：1)將 平板電容器與直流電源連接，使平板電容器的兩電極板之間形成穩(wěn)定 電場；將平板電容器與信號處理裝置連接，以在信號處理裝置中顯示 平板電容器的電容值的信號波形；2)使被測導(dǎo)磁件從平板電容器的兩 電極板之間通過；3)觀察信號處理裝置中獲得的平板電容器的電容值 的信號波形是否存在突變區(qū)域，以判斷被測導(dǎo)磁件上是否存在非金屬 雜質(zhì)。本發(fā)明通用性強，信號處理裝置集成信號讀取和輸出功能，用 于檢測雜質(zhì)的裝置具有體積小、重量輕、通用性強、造價低等優(yōu)點， 能極好地
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種心電信號降噪方法
本發(fā)明公開了一種心電信號降噪方法，包括以下步驟：(1)對原始心電信號進行均值濾波，計算每一信號點的梯度值 gi 及衰減系數(shù) hi并判斷該信號點為邊緣信號點或非邊緣信號點；(2)對原始心電信號的進行非部均值降噪，得到非局部均值預(yù)濾波結(jié)果；(3)對步驟(2)中獲得的非局部均值預(yù)濾波結(jié)果，根據(jù)步驟(1)獲得的梯度值 gi 結(jié)果修正。本發(fā)明對不同的心電信號波段，自適應(yīng)調(diào)整衰減系數(shù)，有效抑制心電信號中噪聲的同時更好地保護信號細節(jié)，濾波效果良好。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種生物電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種生物電極及其制備方法。所述生物電極包括絕緣外殼和電極線，所述電極線包括多個工作電極線、一個或多個參比電極線和對電極線，所述電極線側(cè)表面包覆有絕緣蠟，樹脂封裝于絕緣外殼中，所述外殼尖端開口，其尖端開口口徑在 0.4mm 至 2mm之間，所述電極線的檢測端通過所述開口與待測生物樣本接觸。其制備方法包括以下步驟：(1)將絕緣蠟溶解于易揮發(fā)的有機溶劑中得到絕緣液，均勻涂覆在電極線側(cè)表面，待有機溶劑揮發(fā)；(2)將電極線同時插入絕緣外殼中，將樹脂灌入外殼，固化后，將外殼尖端打磨光滑。本發(fā)明提供的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法
本發(fā)明公開了一種低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統(tǒng)的 VDMOS 器件結(jié)構(gòu)中引入一塊與 源區(qū)摻雜雜質(zhì)相同的摻雜區(qū)。該摻雜區(qū)位于柵氧層正下方且與基區(qū)和柵氧層緊密接觸。相應(yīng)地，新?lián)诫s 區(qū)上方的柵極采用中空結(jié)構(gòu)。本發(fā)明 VDMOS 器件可有效降低溝道導(dǎo)通電阻和頸區(qū)電阻，從而降低 VDMOS 器件的導(dǎo)通電阻；同時，采用中空結(jié)構(gòu)的柵極既可避免新?lián)诫s區(qū)對擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結(jié)電容，提高 VDMOS 的開關(guān)速度。本發(fā)明方法工藝簡
武漢大學(xué)
2021-04-14
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基于移動協(xié)助的延遲容忍網(wǎng)絡(luò)路由方法
本發(fā)明涉及基于移動協(xié)助的延遲容忍網(wǎng)絡(luò)路由方法。在網(wǎng)絡(luò)模型建立階段，本發(fā)明在網(wǎng)絡(luò)中設(shè)置了緩沖區(qū)、緩存節(jié)點以及按照某種固定軌跡移動的基站。普通的傳感器節(jié)點進行數(shù)據(jù)的收集，然后節(jié)點將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至位于緩沖區(qū)域內(nèi)固定設(shè)置的緩存節(jié)點。移動基站在緩沖區(qū)域內(nèi)按照特定的軌跡周期性地移動，并在移動的過程中收集緩存節(jié)點的數(shù)據(jù)。在設(shè)計基站的移動軌跡時，通過均衡移動基站軌跡內(nèi)的節(jié)點和軌跡外的節(jié)點將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至基站的傳輸延遲與能量消耗進行設(shè)計。在數(shù)據(jù)路由階段，本發(fā)明在該網(wǎng)絡(luò)模型下的數(shù)據(jù)路由中，同時考慮了節(jié)點的運動狀態(tài)和節(jié)點的剩余能量。通過利用移動協(xié)助的網(wǎng)絡(luò)模型以及合理的數(shù)據(jù)路由，有效的延長了網(wǎng)絡(luò)壽命和數(shù)據(jù)傳輸成功率。
四川大學(xué)
2016-10-11