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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務平臺
一種高速電主軸轉(zhuǎn)子-軸承-外殼系統(tǒng)動態(tài)設計方法
本發(fā)明提供了一種高速電主軸轉(zhuǎn)子?軸承?外殼系統(tǒng)動態(tài)設計方法，其包括以下步驟：步驟1，將高速電主軸轉(zhuǎn)子?軸承?外殼系統(tǒng)簡化為雙轉(zhuǎn)子耦合動力學模型；步驟2，高速電主軸轉(zhuǎn)子?軸承?外殼系統(tǒng)動態(tài)特性分析；步驟3，高速電主軸轉(zhuǎn)子?軸承?外殼系統(tǒng)動態(tài)設計，以獲得盡可能大的轉(zhuǎn)子臨界轉(zhuǎn)速和軸端靜剛度。采用本發(fā)明提供的高速電主軸轉(zhuǎn)子?軸承?外殼系統(tǒng)動態(tài)設計方法，能夠大幅提高該類電主軸動態(tài)設計精度，并縮短設計周期，為該類高速電主軸設計提供有效的方法。
東南大學
2021-04-11
高速間歇分度裝置及其在齒輪飛刀圓弧倒角中的應用
本發(fā)明提出一種高速間歇分度裝置，包括曲柄滑塊機構(gòu)、液壓系統(tǒng)和同步齒形帶齒輪機構(gòu)，所述液壓系統(tǒng)包括柱塞泵和柱塞缸，該柱塞泵和柱塞缸通過單向閥連接，所述同步齒形帶齒輪機構(gòu)包括同步齒形帶和與其嚙合的齒輪，該同步齒形帶與柱塞缸活塞連接，驅(qū)動力通過所述曲柄滑塊機構(gòu)轉(zhuǎn)化為所述柱塞泵活塞的往復運動，并帶動柱塞缸活塞間歇運動，進而驅(qū)動同步齒形帶運動從而使齒輪間歇轉(zhuǎn)動，即可實現(xiàn)對固設在齒輪上的工件的分度。本發(fā)明還提出了該分度裝置在齒輪飛刀圓弧倒角加工中應用。本發(fā)明可實現(xiàn)齒輪圓弧倒角加工的連續(xù)進行，不需要工件、刀具進行
華中科技大學
2021-01-12
高速加工機床整機結(jié)構(gòu)熱力學建模與熱設計方法
本發(fā)明提供了一種高速加工機床整機結(jié)構(gòu)熱力學建模與熱設計方法，其包括以下步驟：步驟1：高速加工機床三維數(shù)字化建模；步驟2：高速加工機床主要熱源發(fā)熱功率和相關(guān)換熱系數(shù)計算計算；步驟3：機床平面結(jié)合部熱阻參數(shù)計算；步驟4：高速加工機床整機結(jié)構(gòu)熱力學建模與熱特性計算；步驟5：高速加工機床整機結(jié)構(gòu)熱態(tài)設計方法。采用本發(fā)明提供的高速加工機床整機結(jié)構(gòu)熱力學設計方法，能夠大幅提高高速加工機床整機結(jié)構(gòu)熱力學建模精度，縮短設計周期。不僅便于高速加工機床的正向設計，而且提高一次設計成功率。
東南大學
2021-04-13
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鋁合金表面復合高速鋼耐磨層的制備方法
研發(fā)階段/n本發(fā)明涉及一種鋁合金表面復合高速鋼耐磨層的制備方法，首先，在鋁合金表面熱噴涂０．２ｍｍ－１．５ｍｍ厚度的高速鋼涂層，然后通過攪拌摩擦加工，使熱噴涂的高速鋼涂層均勻鑲嵌、熔合在鋁合金表面層中，形成一層良好的耐磨層，涂層和基體間產(chǎn)生冶金結(jié)合。本發(fā)明通過攪拌摩擦加工，使熱噴涂涂層均勻鑲嵌、熔合在鋁合金表面層中，形成一層良好的耐磨層，涂層和基體間產(chǎn)生冶金結(jié)合。本發(fā)明獲得的高速鋼耐磨層硬度＞５２０ＨＶ，結(jié)合強度＞７０ＭＰａ。
湖北工業(yè)大學
2021-01-12
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山區(qū)高速公路隧道運行光環(huán)境及應對技術(shù)研究
北京工業(yè)大學
2021-04-14
高速高分辨率碳納米管X射線源
本項目已完成完成了小試階段，進入中試階段，擁有獨立知識產(chǎn)權(quán)，采用獨有的兼?zhèn)涓唠娏髅芏群痛蟀l(fā)射電流的碳納米管場致發(fā)射陣列為電子源，并設計了精細的聚焦透鏡的電子槍，制備出的高速碳納米管X射線管及碳納米管CT球管，具有快速啟動、超低劑量輻射、高分辨率、低功耗、運動閃拍等傳統(tǒng)X射線管無法實現(xiàn)的性能，可滿足新一代CT設備或全數(shù)字X光透射成像設備中的要求，進而推動整個CT產(chǎn)業(yè)和全數(shù)字X光成像設備步入全新的發(fā)展階段。微焦點管：分辨率0.5-30μm可調(diào)，束流5-200μA；，醫(yī)用CT球管：0.3-1.2mm可調(diào)，
電子科技大學
2021-04-14
一種缸體浮動的高壓高速往復密封實驗測試平臺
1. 痛點問題
液壓往復密封作為航空液壓系統(tǒng)的關(guān)鍵基礎，其泄漏導致的液壓系統(tǒng)減能或失效，輕則影響航空裝備的完好率，重則造成飛行事故。關(guān)于往復密封的研究距今已有了80多年的歷史，現(xiàn)該技術(shù)的理論模型和實驗仿真等在低壓、低速工況下的研究已較為成熟。然而近幾年隨著主機裝配性能的不斷提高，往復密封的研究也要往保證高壓高速下密封性能和密封壽命的方向突破，高壓高速的嚴苛工況給往復密封技術(shù)提出了更高的要求。
往復密封技術(shù)是涉及材料學、機械學、力學、摩擦學及傳熱學等多個學科的綜合性密封技術(shù)，對于往復密封系統(tǒng)中的摩擦力和泄漏量等物理量的測量本身就有一定難度，在高壓高速的工況下測量的難度會更大；不僅如此，想要控制系統(tǒng)內(nèi)的高壓，并且讓活塞桿有較穩(wěn)定的高速運動，在實現(xiàn)上也有技術(shù)難度；另外，高壓高速的艱難工況會給密封系統(tǒng)帶來較為嚴重的溫升，由密封界面的摩擦導致的大量摩擦生熱，只能通過活塞桿和實驗缸體內(nèi)的油液運走，所以對于這樣的高壓高溫系統(tǒng)，必須要設計合理的冷卻系統(tǒng)控制密封界面和實驗缸體內(nèi)的溫度。
2. 解決方案
為了使實驗裝置能夠成功模擬高壓高速的惡劣工況，并解決在此工況下的測量難題，本發(fā)明提供一種高壓高速往復密封實驗測試平臺的方案和結(jié)構(gòu)設計，整套實驗設備以實驗缸體為核心，配套提供高速往復運動的驅(qū)動裝置、進行系統(tǒng)降溫的冷卻裝置，并且將實驗缸體浮動式安裝以準確地測得密封圈摩擦力。
本發(fā)明通過組合偏心輪、導桿、直線軸承等傳動裝置，形成了曲柄滑塊機構(gòu)，實現(xiàn)了活塞桿的往復高速運動，將直線軸承布置在缸體兩側(cè)，可以有效地平衡導桿傳遞給實驗桿的力矩，同時可以通過設計偏心輪的轉(zhuǎn)動慣量，平衡高速往復運動所帶來的慣性沖擊；將整個缸體浮動安裝，并用力傳感器將其與機架相連，實現(xiàn)了密封圈摩擦力的測量。
清華大學
2021-11-05
大斷面淺埋隧道下穿高速公路施工技術(shù)
本新技術(shù)成果來自省部級科技計劃，獲得省部（學會）三等以上科技獎勵，并獲得國家發(fā)明專利授權(quán)。該成果成功解決了大斷面淺埋隧道下穿高速公路的施工技術(shù)難題，研究成果處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。該成果已在國內(nèi)下穿高速公路隧道施工當中推廣應用。
西南交通大學
2016-06-27
一種非對稱磁盤陣列高速緩存調(diào)度方法
本發(fā)明公開了一種非對稱磁盤陣列高速緩存調(diào)度方法，屬于計 算機存儲技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過選擇不參與重構(gòu)的盤作為犧牲盤，減 少該犧牲盤的緩存大小，并相應增加參與重構(gòu)磁盤的緩存的大小，減 少了對于失效盤以及參與重構(gòu)盤的 I/O 請求次數(shù)，加速了失效盤的重 構(gòu)速度，減少了用戶的 I/O 響應時間，提高了存儲系統(tǒng)的可用性、可 靠性及系統(tǒng)的性能。
華中科技大學
2021-04-14
面向5G前傳的高速半導體激光器
5G新基建是國家的重要發(fā)展戰(zhàn)略，寬溫高可靠的25Gb/s DFB(分布反饋)激光器芯片是5G光傳輸核心光芯片，也是當前5G建設的卡脖子問題之一。自主可控的5G光模塊DFB激光器芯片對解決光通信“空芯化”問題，推進“中國芯”國家重大戰(zhàn)略實施，保障我國通信基礎設施安全具有重要的經(jīng)濟和社會效益。因DFB激光器的微分增益隨溫度上升迅速下降，常規(guī)的DFB激光器面臨嚴重的高溫高帶寬瓶頸。面對5G應用要求的-40~85℃的寬溫應用場景，常規(guī)DFB激光器芯片往往是超頻運行，嚴重影響可靠性。因此，研制全國產(chǎn)寬溫25Gb/s DFB激光器芯片，同時兼顧低成本高可靠需求對推進“中國芯”國家重大戰(zhàn)略實施具有重要意義。
本成果創(chuàng)新性地提出一種溝中溝脊波導DFB激光器結(jié)構(gòu)，相比較常規(guī)DFB激光器，在脊兩側(cè)對稱的刻蝕兩個溝槽。此結(jié)構(gòu)可抑制注入載流子的橫向擴散，提高對光場的束縛，提高芯片帶寬，滿足芯片高速工作需要。芯片的高溫輸出光功率大于10mW，單模抑制比大于40dB，實測寬溫25Gb/s眼圖及誤碼率均達到商用需求。同時，相比較常規(guī)芯片，其制作過程只需多加一步簡單的刻蝕，無需二次外延，成本低，做了2000小時的老化試驗，其功率變化小于0.5%，具有高可靠性。
圖1（a）常規(guī)DFB激光器芯片截面圖（b）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片截面圖（c）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片概圖（d）（e）（f）分別為常規(guī)芯片、溝脊距為2μm、溝脊距為6μm SEM圖
圖2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規(guī)芯片響應曲線對比（d）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規(guī)芯片響應帶寬對比，帶寬可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼圖（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背傳輸及10km傳輸誤碼率曲線
圖3（a）（b）25℃和85℃下常規(guī)芯片與溝中溝脊芯片2000小時老化實驗結(jié)果，功率變化小于0.5%
華中科技大學
2022-10-11