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（專利號(hào)：ZL 201410351149.4） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種綠色制備14-芳基-14H-二苯并[a，j]氧雜蒽類衍生物的方法，屬于化學(xué)材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該制備反應(yīng)中芳香醛與2-萘酚的摩爾比為1：2，催化劑的摩爾量是所用芳香醛的3～5％，反應(yīng)溫度為110℃，反應(yīng)時(shí)間為10～30min，反應(yīng)結(jié)束后加入水冷卻，有大量固體析出，碾碎固體，靜置，抽濾，所得濾渣水洗、干燥后用95％乙醇水溶液重結(jié)晶，真空干燥后得到純14-芳基-14H-二苯并

東南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院落地式高速冷凍離心機(jī)采購(gòu)招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在東南大學(xué)采購(gòu)中心網(wǎng)（https://dnzb.seu.edu.cn/）獲取招標(biāo)文件，并于2022年06月16日14點(diǎn)30分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。

天津大學(xué)化工學(xué)院?jiǎn)嗡募?jí)桿液相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀采購(gòu)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商

  在碲化鉛-硫化鉛的贗二相體系中，由于硫化鉛在碲化鉛中的固溶度有限，隨著硫化鉛組分含量的增加，會(huì)發(fā)生從納米析出到旋節(jié)分解等一系列的相分離過程，從而在材料中形成了包含原子尺度的點(diǎn)缺陷、納米尺度的相界面以及介觀的晶/相界面等的全尺度分層結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)全波譜聲子的有效散射，因而實(shí)現(xiàn)超低的晶格熱導(dǎo)率。在該工作中，何佳清課題組不僅在實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了對(duì)該全尺度分層結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，而且利用球差透射電鏡技術(shù)對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入而細(xì)致的表征，并進(jìn)一步在理論上為分層結(jié)構(gòu)的最 優(yōu)化給予了有力的論證。此外，針對(duì)材料在高溫的電學(xué)性能的飽和效應(yīng)，何佳清課題組做出了另辟蹊徑但又非常合理的解釋，認(rèn)為被局限在晶界或者相界面的Na離 子在高溫(>600K)時(shí)發(fā)生向母體材料的擴(kuò)散和重新固溶，從而引起針對(duì)載流子濃度的調(diào)制效應(yīng)，有力的保證了PbTe-PbS贗二相在高溫區(qū)的整體熱電性能。       該工作是在何佳清課題組前期工作(Nature communications, 2014, 5, 4515)上的又一進(jìn)步，再次驗(yàn)證了碲化鉛-硫化鉛體系作為塊體熱電材料具有廣泛的應(yīng)用前景。

北京交通大學(xué)（前沿）高速鐵路設(shè)備設(shè)施服役狀態(tài)智能感知與態(tài)勢(shì)分析研究項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商

基于阿爾茲海默癥（AD）病理機(jī)制和血腦屏障（BBB）藥物滲透限制，該團(tuán)隊(duì)全面總結(jié)了近年來靶向阻斷AD疾病進(jìn)程的納米藥物應(yīng)用進(jìn)展，并探討了以病理機(jī)制指導(dǎo)的納米藥物設(shè)計(jì)原則。

在大面積柔性襯底上直接生長(zhǎng)集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長(zhǎng)過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無(wú)法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長(zhǎng)模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長(zhǎng)策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對(duì)特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線生長(zhǎng)界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動(dòng)晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長(zhǎng)：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長(zhǎng)速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長(zhǎng)速度提高了3個(gè)數(shù)量級(jí)。值得一提的是，即便在此高速生長(zhǎng)過程中，IPSLS納米線的生長(zhǎng)路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調(diào)控激光照射時(shí)序，可以對(duì)納米線生長(zhǎng)動(dòng)態(tài)過程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對(duì)生長(zhǎng)液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對(duì)超長(zhǎng)納米線的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長(zhǎng)高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長(zhǎng)策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長(zhǎng)和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動(dòng)各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。