网上赌场真人发牌-澳门网上赌场空城

本發(fā)明公開了一種高壓陶瓷電容器的充放電壽命檢測裝置，包 括可調(diào)高壓直流電路、脈沖形成電路、放電電路和檢測電路；可調(diào)高 壓直流電路是用于將交流電壓轉(zhuǎn)換成直流電壓，提供可調(diào)的高壓直流 電壓；脈沖形成電路用于在試品電容器兩端產(chǎn)生脈沖高壓；放電電路 用于試品電容器的放電；所述檢測電路用于判斷試品電容器是否失效， 當(dāng)放電電路中的陡化開關(guān)連續(xù)導(dǎo)通失敗，試品電容器放電電路無電流， 且通過檢測試品電容器的充電電壓和放電電流顯著減小時(shí)，判斷試品 電容器失效。本發(fā)明可以檢測高壓陶瓷電容器在高電壓、大電流、陡 脈沖的條件

小試階段/n針對多孔介質(zhì)燃燒器用泡沫陶瓷目前存在的常溫強(qiáng)度以及熱震穩(wěn)定性能差等問題，本發(fā)明制備了一種Al2O3-SiC復(fù)合泡沫陶瓷。該陶瓷克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷，具有強(qiáng)度高、抗氧化性能好和抗熱震性能優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明屬于物理化學(xué)材料制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鑭摻雜鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛透明陶瓷的制備方法，先以MgO、Nb2O5、PbO、TiO2和La2O3為原料，用高能球磨法制備PMN-PT粉體，再用干壓成型或冷等靜壓工藝壓制陶瓷坯體，燒結(jié)后在氧氣氛條件下間歇抽真空保溫得到PMN-PT透明陶瓷。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：（1）采用上述方法制備的PMN-PT陶瓷，具有不含焦綠石相的純鈣鈦礦相，致密度高，紅外波段透光率最高可達(dá)67%，接近其理論透光率。（2）本制備方法中采用高能球磨，而不是傳統(tǒng)工藝中的行星球磨，轉(zhuǎn)速快，得到的粉體粒徑小、成分均勻，而且耗時(shí)短。（3）使用廉價(jià)的普通燒結(jié)爐，采用一步燒結(jié)，降低粉體制備工藝耗時(shí)，可以制備復(fù)雜形狀透明陶瓷，適合工業(yè)化批量生產(chǎn)、成本低。新一代信息技術(shù)是當(dāng)前國家十三五戰(zhàn)略規(guī)劃新興產(chǎn)業(yè)，也是山東省新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)化十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)之一。在信息通信領(lǐng)域，電光開關(guān)、電光調(diào)制器是光通信領(lǐng)域的核心器件，而鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛基透明電光陶瓷則是開發(fā)上述器件的核心材料。鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛基透明電光陶瓷的專利技術(shù)與相關(guān)企業(yè)，如青島海泰光電技術(shù)有限公司、青島浦芮斯光電科技有限公司等單位，合作研發(fā)生產(chǎn)基于PMN-PT透明陶瓷的高性能電光器件，擴(kuò)展其在光通信領(lǐng)域的應(yīng)用，推進(jìn)我國光通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)。也可和相關(guān)企業(yè)轉(zhuǎn)讓，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹PZT-JL03型壓電陶瓷居里點(diǎn)溫度測試儀背景簡介：    壓電陶瓷的居里溫度是指壓電材料從鐵電相轉(zhuǎn)變成順電相的相變溫度，對于所有的壓電陶瓷產(chǎn)品來說，壓電材料都具有一個(gè)臨界溫度Tc即居里溫度，在臨界溫度以下壓電陶瓷表現(xiàn)出鐵電相，此時(shí)壓電陶瓷處于極化有序狀態(tài)，溫度超過臨界溫度Tc，壓電陶瓷則由鐵電相轉(zhuǎn)變?yōu)轫橂娤啵藭r(shí)壓電陶瓷內(nèi)部電偶極距雜亂無章，處于極化無序狀態(tài)，也就是我們常說的發(fā)生了退極化現(xiàn)象。溫度小于260K以下，壓電陶瓷的鐵電性能也會(huì)隨著溫度的降低而逐漸減弱。一、產(chǎn)品介紹：  PZT-JL03型壓電陶瓷居里點(diǎn)溫度測試儀是一款針對壓電陶瓷居里點(diǎn)溫度測試測的設(shè)備，該設(shè)備可以直接測試出樣品的居里點(diǎn)變化曲線及變化溫度點(diǎn)，對于判斷樣品的居里點(diǎn)溫度簡單而實(shí)用。儀器可以電腦設(shè)置電腦溫度段，充分判斷不同樣品不同的溫度點(diǎn)變化。二、主要技術(shù)參數(shù)：高溫度：1200℃控溫精度：±1℃顯示：數(shù)字顯示加熱區(qū)：獨(dú)立的加熱區(qū)電源：220V接口：USB接口測試方式：軟件控制

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 壓電陶瓷，是一種能夠?qū)C(jī)械能和電能互相轉(zhuǎn)換的功能陶瓷材料。壓電陶瓷到底是一種什么樣的材料呢？壓電陶瓷屬于無機(jī)非金屬材料。這是一種具有壓電效應(yīng)的材料。所謂壓電效應(yīng)是指某些介質(zhì)在力的作用下產(chǎn)生形變，引起介質(zhì)表面帶電，這是正壓電效應(yīng)。反之，施加激勵(lì)電場，介質(zhì)將產(chǎn)生機(jī)械形變，稱逆壓電效應(yīng)。這種奇妙的效應(yīng)已經(jīng)被科學(xué)家應(yīng)用在與人民生活密切相關(guān)的許多領(lǐng)域，以實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、傳感、驅(qū)動(dòng)、頻率控制等功能 特性：納米級分辨率      無摩擦，無間隙      剛度強(qiáng)，使用壽命長      可選擇位置傳感功能進(jìn)行閉環(huán)控制      真空兼容，可在高溫或低溫下操作      機(jī)械接頭形式：螺紋、圓球、平頭      可根據(jù)客戶要求定制應(yīng)用：通信，光纖調(diào)節(jié)      顯微鏡微調(diào)，機(jī)械工程      微系統(tǒng)技術(shù)，你米定位技術(shù)      半導(dǎo)體設(shè)備，精密儀器      閥門（真空管）      度量衡/干涉度量學(xué)      生命科學(xué)/生物技術(shù)   

項(xiàng)目成果/簡介:如何快速、有效的提高煤層透氣性，并長時(shí)間的保持增透技術(shù)產(chǎn)生的大量裂隙，進(jìn)而有效的、長時(shí)間的提高和保持煤層的高透氣性，是目前煤層氣開采領(lǐng)域的主要研究方向之一。實(shí)踐已經(jīng)證明，兩淮礦區(qū)利用地面鉆井的方法預(yù)抽未采動(dòng)煤層瓦斯的嘗試均未達(dá)到預(yù)期效果。因此，在現(xiàn)有技術(shù)條件下，在兩淮礦區(qū)直接從地面開采未采動(dòng)煤層瓦斯難以實(shí)施。

如何快速、有效的提高煤層透氣性，并長時(shí)間的保持增透技術(shù)產(chǎn) 生的大量裂隙，進(jìn)而有效的、長時(shí)間的提高和保持煤層的高透氣性， 是目前煤層氣開采領(lǐng)域的主要研究方向之一。實(shí)踐已經(jīng)證明，兩淮礦區(qū)利用地面鉆井的方法預(yù)抽未采動(dòng)煤層瓦斯的嘗試均未達(dá)到預(yù)期效 果。因此，在現(xiàn)有技術(shù)條件下，在兩淮礦區(qū)直接從地面開采未采動(dòng)煤 層瓦斯難以實(shí)施。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí) 會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動(dòng)通信—LTE 技術(shù)

本實(shí)用新型提供一種用于提高現(xiàn)有數(shù)控系統(tǒng)運(yùn)動(dòng)精度的裝置。該裝置安裝在原數(shù)控系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)器之間， 無需對原數(shù)控系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)器做任何調(diào)整和改變，方便實(shí)用。在進(jìn)行一種零件的重復(fù)加工時(shí)，通過大容量存 儲(chǔ)器記憶數(shù)控系統(tǒng)的控制和誤差信號，并依據(jù)一定的學(xué)習(xí)算法，得到下一個(gè)零件加工所需新的控制信號并 進(jìn)行運(yùn)動(dòng)控制，新的控制信號將減小上一個(gè)零件加工時(shí)的運(yùn)動(dòng)誤差。經(jīng)過多次記憶——學(xué)習(xí)的過程，可使 運(yùn)動(dòng)誤差減小，從而提高數(shù)控機(jī)床的輪廓運(yùn)動(dòng)精度。控制裝置包括微處理器、大容量存儲(chǔ)器以及數(shù)控系統(tǒng) 進(jìn)給運(yùn)動(dòng)控制指令信號、學(xué)習(xí)后的控制輸出信號、位置檢測信號接口等。

本發(fā)明公開了一種利用數(shù)字基高比時(shí)間模型的高程定位精度提升方法,包括首先,利用數(shù)字基高比時(shí)間模型建立立體測圖的交會(huì)影像數(shù)與高程定位精度的關(guān)聯(lián)模型第二,根據(jù)交會(huì)影像數(shù)與高程定位精度的關(guān)聯(lián)模型構(gòu)建相機(jī)陣列系統(tǒng)第三,將相機(jī)陣列系統(tǒng)搭載在飛機(jī)平臺(tái)上對地面拍照,獲取影像序列第四,采用多基線影像編組方法對影像序列進(jìn)行立體測圖,解求地面點(diǎn)三維坐標(biāo)。