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面向手勢(shì)識(shí)別的稀疏二值網(wǎng)絡(luò)激活圖像編解碼硬件加速器
本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種面向手勢(shì)識(shí)別的稀疏二值網(wǎng)絡(luò)激活圖像編解碼硬件加速器。本發(fā)明的硬件加速器包括：激活圖像編碼單元，編碼圖像存儲(chǔ)單元，編碼圖像解碼單元。該加速器針對(duì)稀疏二值網(wǎng)絡(luò)的激活圖像中存在大量相同向量進(jìn)行壓縮，這些相同的向量是由于二值化的手勢(shì)邊緣作為輸入所產(chǎn)生的，壓縮激活圖像可以有效地降低片上存儲(chǔ)容量，降低數(shù)據(jù)搬運(yùn)功耗，進(jìn)而降低芯片功耗；該加速器能夠?qū)嚎s后的激活圖進(jìn)行譯碼，在譯碼過(guò)程中跳過(guò)重復(fù)的計(jì)算，從而減少計(jì)算次數(shù)，提升計(jì)算速度，有效地提升硬件性能。本發(fā)明具有低功耗，低延時(shí)的特性，有效地降低硬件資源，提升硬件的能效比。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
基于二維半導(dǎo)體材料的電荷超注入存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于二維半導(dǎo)體材料的電荷超注入存儲(chǔ)器及其制備方法。本發(fā)明通過(guò)存儲(chǔ)疊層能帶設(shè)計(jì)，在實(shí)現(xiàn)閃存的非易失性存儲(chǔ)特性；通過(guò)橫向電場(chǎng)設(shè)計(jì)以及器件的仿真模擬設(shè)計(jì)，利用二維半導(dǎo)體材料的原子級(jí)薄層特性，顯著增強(qiáng)最大橫向電場(chǎng)從而提升電荷的注入效率，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器中電荷的超注入機(jī)制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)閃存的亞納秒編程。本發(fā)明存儲(chǔ)器在維持十年數(shù)據(jù)保持能力的同時(shí)，大幅提升了電荷注入效率，將編程速度提升至亞納秒，為解決電荷存儲(chǔ)領(lǐng)域超快編程和長(zhǎng)保持時(shí)間無(wú)法共存的重大挑戰(zhàn)提供新的解決方案。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
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一種基于纖維基膜反應(yīng)器的苯酚加氫制環(huán)己酮反應(yīng)裝置
本發(fā)明屬于膜催化技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種基于纖維基膜反應(yīng)器的連續(xù)苯酚加氫制環(huán)己酮反應(yīng)裝置。包括膜反應(yīng)器、用于為膜反應(yīng)器提供恒溫條件的加熱組件以及用于將反應(yīng)物料實(shí)現(xiàn)循環(huán)的動(dòng)力組件，所述膜反應(yīng)器包括下組件、儲(chǔ)料罐和上組件，小環(huán)形墊片和大環(huán)形墊片之間設(shè)置有若干纖維基催化膜。本發(fā)明采用柔性膜材料，緩沖液體和氣體進(jìn)料過(guò)程中的沖擊力，并且通過(guò)設(shè)計(jì)的膜組件，實(shí)現(xiàn)柔韌性膜材料在夾持和應(yīng)用過(guò)程中不易損壞，保證了反應(yīng)過(guò)程中的穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)了環(huán)己酮的連續(xù)綠色高效制備。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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面向中高壓智能配電網(wǎng)的橋臂復(fù)用電力電子變壓器
本發(fā)明公開了一種面向中高壓智能配電網(wǎng)的橋臂復(fù)用電力電子變壓器，包括模塊化多電平變流器、輸入串聯(lián)輸出并聯(lián)隔離型DC，DC變換器和變流器；模塊化多電平變流器輸出的正極連接第一個(gè)隔離型DC，DC變換器模塊的輸入側(cè)逆變橋前一橋臂的中間點(diǎn)，負(fù)極連接最后一個(gè)隔離型DC，DC變換器模塊的輸入電容負(fù)端；相鄰兩個(gè)隔離型DC，DC變換器模塊的連接方式為前一模塊的輸入電容負(fù)端連接后一模塊的逆變橋前一橋臂的中間點(diǎn)；隔離型DC?DC變換器的輸入電容串聯(lián)而成的橋臂作為上一級(jí)模塊化多電平變流器的電容橋臂，前后兩級(jí)共用一個(gè)電容橋臂。本發(fā)明中MMC跟隔離型DC，DC變換器共用一組電容橋臂，降低了系統(tǒng)成本；可以避免在MMC模塊輸出電壓短路的情況下，ISOP輸入電容短路的問(wèn)題。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種雙膜電容式壓力傳感器及制作方法
本發(fā)明涉及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特指一種雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底中心位置上設(shè)有淺槽，淺槽中心位置設(shè)有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽底面延至玻璃襯底底面，淺槽上設(shè)有可測(cè)量低壓差的電容C1與可測(cè)量高壓差的電容C2，可測(cè)量低壓差的電容C1包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測(cè)量高壓差的電容C2包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔(71)與可測(cè)量低壓差的電容C1對(duì)應(yīng)設(shè)置，可測(cè)量低壓差的電容C1與可測(cè)量高壓差的電容C2對(duì)應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明采用變間距原理實(shí)現(xiàn)壓力到電容的轉(zhuǎn)換，可測(cè)量低壓差的電容C1與可測(cè)量高壓差的電容C2分別實(shí)現(xiàn)了微壓段和高壓段的高精度測(cè)量，不僅提高了壓力測(cè)量精度，也提升了傳感器的測(cè)量范圍。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種高速無(wú)位置傳感器開關(guān)磁阻電機(jī)的控制方法及其系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種高速無(wú)位置傳感器開關(guān)磁阻電機(jī)的控制方法及其系統(tǒng)，針對(duì)勵(lì)磁相相電流的峰值時(shí)刻會(huì)與轉(zhuǎn)子到達(dá)該勵(lì)磁相定轉(zhuǎn)子齒交疊點(diǎn)位置時(shí)刻之間存在偏移量的實(shí)際情況，對(duì)傳統(tǒng)的相電流梯度法中將勵(lì)磁相相電流峰值時(shí)刻直接作為該勵(lì)磁相定轉(zhuǎn)子齒交疊點(diǎn)位置時(shí)刻的方法加以修正，以得到該勵(lì)磁相正確的定轉(zhuǎn)子齒交疊點(diǎn)位置,從而更加準(zhǔn)確地估算出開關(guān)磁阻電機(jī)勵(lì)磁相的關(guān)斷時(shí)刻和下一勵(lì)磁相的開通時(shí)刻，實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)地高速無(wú)位置傳感器開關(guān)磁阻電機(jī)控制。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種特殊Y分支型彎曲結(jié)構(gòu)的1x16光分路器
本發(fā)明公開了一種特殊Y分支型彎曲結(jié)構(gòu)的1x16光分路器，所述1x16光分路器的整體長(zhǎng)度Z＝35000μm，每?jī)蓚€(gè)相鄰輸出波導(dǎo)的間距Xθ＝127μm，輸入波導(dǎo)和輸出波導(dǎo)的截面均為6μm×6μm的矩形。傳統(tǒng)1x16光分路器存在輸入端口和輸出端口之間的距離長(zhǎng)的問(wèn)題，導(dǎo)致光分路器整體長(zhǎng)度長(zhǎng)，難以達(dá)到目前光電子器件高度集成化的要求。本發(fā)明則解決了傳統(tǒng)1x16光分路器存在的該問(wèn)題，本發(fā)明1x16光分路器體積小、損耗低，符合光電子器件高度集成化的要求。
湖北工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
ATOMOS廣播級(jí)轉(zhuǎn)換器3G/HD/SD-sdi轉(zhuǎn)hdmi高清
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
北京寰宇佳視技術(shù)有限責(zé)任公司
2021-08-23
ATOMOS廣播級(jí)轉(zhuǎn)換器3G/H/SD-sdi轉(zhuǎn)hdmi同時(shí)
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
北京寰宇佳視技術(shù)有限責(zé)任公司
2021-08-23
ATOMOS廣播級(jí)轉(zhuǎn)換器hdmi轉(zhuǎn)3G/HD/SD-sdi高清
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北京寰宇佳視技術(shù)有限責(zé)任公司
2021-08-23