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其主要可用于監(jiān)測和保護(hù)國境、軍事基地、發(fā)電廠、核設(shè)施及監(jiān)獄等的分布式光纖傳感防入侵系統(tǒng)，以及用于大壩、橋梁、輸油/氣管道的分布式光纖傳感工程結(jié)構(gòu)安全檢測系統(tǒng)已經(jīng)成為目前研究的重點(diǎn)。

北大科研團(tuán)隊(duì)在《科學(xué)》雜志發(fā)表的成果，標(biāo)志著碳管電子學(xué)領(lǐng)域、以及碳基半導(dǎo)體工業(yè)化的共同難題被攻克。科研團(tuán)隊(duì)表示，如果碳基信息器件技術(shù)，可以充分利用碳管在物理、電子、化學(xué)和機(jī)械方面的特殊優(yōu)勢，就有希望生產(chǎn)出性能優(yōu)、功耗低的芯片。課題組采用多次聚合物分散和提純技術(shù)得到超高純度碳管溶液，并結(jié)合維度限制自排列法，在4英寸基底上制備出密度為120 /μm、半導(dǎo)體純度高達(dá)99.9999%、直徑分布在1.45±0.23 nm的碳管陣列，從而達(dá)到超大規(guī)模碳管集成電路的需求。?基于這種材料，批量制備出場效應(yīng)晶體管和環(huán)形振蕩器電路，100nm柵長碳管晶體管的峰值跨導(dǎo)和飽和電流分別達(dá)到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室溫下亞閾值擺幅為90mV/DEC。

一、研究背景 熱浸鍍鋅是用于鋼鐵材料腐蝕防護(hù)最主要的方法之一。為了應(yīng)對現(xiàn)代科技對鋼鐵耐腐蝕性日益增長的要求，歐美、日韓等一些發(fā)達(dá)國家先后研發(fā)出了一批具有高耐腐蝕性的熱浸鍍用Zn-Al系合金材料（見表1），尤其是Zn-Al-Mg合金具有優(yōu)異的耐腐蝕性，如日本新日鐵公司開發(fā)的SuperDyma合金鍍層，耐蝕性大約為普通純鋅鍍層的15倍以上，可與部分不銹鋼相媲美，但是成本遠(yuǎn)低于不銹鋼產(chǎn)品，具有極大的市場價(jià)值。 我國是世界上最大的熱鍍鋅板生產(chǎn)國，而山東省的熱鍍鋅板產(chǎn)能位居全國第一，但絕大部分為普通鍍鋅板，以及少量的鍍鋁鋅硅板產(chǎn)品。因此，研究和開發(fā)高耐腐蝕性Zn-Al-Mg合金鍍層材料，對山東省鋼鐵材料產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級具有非常重要的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)價(jià)值。 二、項(xiàng)目內(nèi)容 本項(xiàng)目系統(tǒng)研究了Ti, Sb元素對熱浸鍍Zn-11Al-3Mg合金組織與性能的影響。通過XRD對Zn-11Al-3Mg-Ti-Sb合金試樣進(jìn)行了物相分析，通過SEM和EDS觀察和分析了合金試樣的組織結(jié)構(gòu)，通過洛氏硬度計(jì)測量分析了合金試樣的硬度性能，通過電化學(xué)阻抗分析和電化學(xué)極化分析，研究了不同含量Ti、Sb元素對合金耐腐蝕性能的影響，并在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了鋼板熱浸鍍實(shí)驗(yàn)。 三、項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化可行性分析 前已述及，本項(xiàng)目市場前景非常廣闊，目前日韓等國生產(chǎn)的熱浸鍍Zn-Al-Mg板材在國內(nèi)市場已有銷售，售價(jià)比國內(nèi)普通熱鍍鋅板貴一倍以上，產(chǎn)品增值極為顯著。本項(xiàng)目技術(shù)創(chuàng)新達(dá)到了國內(nèi)領(lǐng)先水平，已經(jīng)獲得國家發(fā)明專利授權(quán)（圖4），技術(shù)轉(zhuǎn)化條件趨近成熟，實(shí)驗(yàn)室也進(jìn)行了小批量的熱浸鍍實(shí)驗(yàn)。我們希望與省內(nèi)具有較強(qiáng)實(shí)力的熱浸鍍板生產(chǎn)廠家進(jìn)行合作，繼續(xù)完成相關(guān)性能的測試和中試試驗(yàn)，早日實(shí)現(xiàn)該項(xiàng)目的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。 四、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人及團(tuán)隊(duì)簡介 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人：周國榮，博士，副教授，目前主要從事金屬板材涂鍍材料的研究，承擔(dān)山東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃1項(xiàng)，完成山東省博士基金1項(xiàng)，同時(shí)參與了多項(xiàng)國家和省部級項(xiàng)目的研究，已發(fā)表SCI/EI收錄的研究論文20余篇，已獲國家發(fā)明專利授權(quán)3項(xiàng)，曾于2011年10月赴韓國國立慶尚大學(xué)訪學(xué)1年； 項(xiàng)目組成員包括教授1人、副教授2人、講師2人、碩士研究生2人，秉持嚴(yán)謹(jǐn)踏實(shí)、團(tuán)結(jié)協(xié)作的精神，致力于實(shí)踐“學(xué)以致用、學(xué)有所用”的宗旨，期望發(fā)揮高校科研能力強(qiáng)之長，增補(bǔ)企業(yè)研發(fā)力量弱之短，努力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)學(xué)研緊密結(jié)合，將實(shí)驗(yàn)室的科研能力轉(zhuǎn)化為企業(yè)的產(chǎn)品競爭力，為祖國早日成為世界制造強(qiáng)國添磚加瓦！

本發(fā)明公開了一種高光譜圖像端元個(gè)數(shù)自動(dòng)估計(jì)的端元提取方 法，首先使用 PPI 算法計(jì)算高光譜圖像中所有像元的 PPI 值，根據(jù)像 元的 PPI 值確定初始候選端元集，并對初始候選端元按 PPI 值由大到 小進(jìn)行排序；然后依次剔除初始候選端元集中獨(dú)立性最弱的候選端元， 同時(shí)獲得隨端元個(gè)數(shù)遞減的候選端元集的重構(gòu)精度曲線和端元獨(dú)立性 曲線，通過尋找這兩條曲線變化的顯著性位置確定端元個(gè)數(shù)的取值范 圍；最后利用 SGA 算法獲取不同端元個(gè)數(shù)下的二次選擇候選端元集， 根據(jù)這些候選端元集所構(gòu)成的重構(gòu)精度曲線，確定最終的端元個(gè)數(shù)， 同時(shí)獲得最終的端元提取結(jié)果。本發(fā)明不需要事先給定端元的個(gè)數(shù)， 有利于端元提取的自動(dòng)化處理，同時(shí)提取的端元準(zhǔn)確性高。 

本發(fā)明公開了一種高流變軟土強(qiáng)夯置換時(shí)填料的運(yùn)移軌跡探測實(shí)驗(yàn)裝置，主要由模型試驗(yàn)箱、夯擊加載系統(tǒng)、外部觀測系統(tǒng)、金屬探測系統(tǒng)和位移分析系統(tǒng)五個(gè)部分組成。其中，金屬探測系統(tǒng)內(nèi)嵌于模型箱裝置兩側(cè)擋板中，并通過擋板外壁開口槽與外接位移分析系統(tǒng)相連接，用于在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程中對顆粒運(yùn)移軌跡的信號探測。夯擊加載系統(tǒng)通過支架固定于模型箱正上部，通過刻度可人工精確定位強(qiáng)夯下夯錘縱橫向位置，同時(shí)手動(dòng)調(diào)節(jié)落距，從而模擬實(shí)現(xiàn)自由落錘等復(fù)雜動(dòng)作。本裝置制造簡單、測量結(jié)果準(zhǔn)確可靠，通過電磁信號追蹤，可以獲取在強(qiáng)夯沖擊荷載作用下高流變軟土填料的運(yùn)移軌跡，制造簡單、測量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

本發(fā)明公開了一種利用數(shù)字基高比時(shí)間模型的高程定位精度提升方法,包括首先,利用數(shù)字基高比時(shí)間模型建立立體測圖的交會(huì)影像數(shù)與高程定位精度的關(guān)聯(lián)模型第二,根據(jù)交會(huì)影像數(shù)與高程定位精度的關(guān)聯(lián)模型構(gòu)建相機(jī)陣列系統(tǒng)第三,將相機(jī)陣列系統(tǒng)搭載在飛機(jī)平臺上對地面拍照,獲取影像序列第四,采用多基線影像編組方法對影像序列進(jìn)行立體測圖,解求地面點(diǎn)三維坐標(biāo)。

本發(fā)明提供一種用長效高親和香精微膠囊的柔順劑制備及應(yīng)用，首先以非離子表面活性劑和雙親性高分子制備成復(fù)合分散劑，香精為芯材，醚化蜜胺樹脂為壁材，制備得到香精微膠囊；再以其為原料制備了一種長效高親和的芳香微膠囊柔順劑；提供了這種長效高親和的芳香微膠囊柔順劑的應(yīng)用方法。本發(fā)明效果為采用一種簡便環(huán)保的制備方法得到香精微膠囊，可以適用于各種離子體系的柔順劑、洗衣液等，其香精含量可達(dá)20%-30%，固含量可達(dá)22-35%，相比市售其他香精微膠囊產(chǎn)品固含量可提高10%-15%，對香精包裹率可達(dá)60%-70%，且具有良好的穩(wěn)定性。同時(shí)，以這種香精微膠囊為原料制備的長效高親和的芳香微膠囊柔順劑對織物的上香效果良好，織物留香時(shí)間長，靜置留香可達(dá)6個(gè)月，揉搓后具有香氣爆發(fā)力。

一種寬輸入范圍高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電壓源，包括電壓預(yù)調(diào)節(jié)電路和帶隙基準(zhǔn)核電路，電壓預(yù)調(diào)節(jié)電路產(chǎn)生一個(gè)低溫漂、高電源抑制比的預(yù)調(diào)節(jié)電壓Ｖｒｅｇ對帶隙基準(zhǔn)核電路進(jìn)行供電，帶隙基準(zhǔn)核電路包括啟動(dòng)電路、負(fù)溫度系數(shù)電流ＩＣＴＡＴ產(chǎn)生電路、正溫度系數(shù)電流ＩＰＴＡＴ產(chǎn)生電路和非線性電流ＩＮＬ產(chǎn)生電路，非線性電流ＩＮＬ產(chǎn)生電路用于補(bǔ)償負(fù)溫度系數(shù)電流ＩＣＴＡＴ產(chǎn)生電路中的高階溫度分量，通過疊加電流ＩＣＴＡＴ、ＩＰＴＡＴ、ＩＮＬ并由電流?電壓轉(zhuǎn)換電路得到近似零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓Ｖｒｅｆ。

具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點(diǎn)的全新二維半導(dǎo)體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應(yīng)晶體管器件、量子輸運(yùn)和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(yīng)(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時(shí)具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達(dá)~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動(dòng)態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應(yīng)時(shí)間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。

本實(shí)用新型公開了一種高變形能力裝配式框架結(jié)構(gòu)梁柱的連接節(jié)點(diǎn)，屬于裝配式建筑領(lǐng)域。該裝置包括預(yù)制牛腿柱和預(yù)制梁，還包括連接件，連接件呈C型結(jié)構(gòu)，用于自上而下卡設(shè)在牛腿外側(cè)，預(yù)制梁的一端具有一體成型的連接塊，預(yù)制牛腿柱的牛腿上開設(shè)有用于收納連接塊的連接槽，連接塊的底部設(shè)置有第一定位齒，牛腿的上端面開設(shè)有與第一定位齒相配合的第二定位齒，連接件、牛腿和預(yù)制梁通過螺栓緊固連接。本實(shí)用新型提供螺栓隱藏在預(yù)制件內(nèi)部，提高使用壽命的同時(shí)也避免了預(yù)埋式不便于修復(fù)更換的問題；通過第一定位齒和第二定位齒便于