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RGT-50-RT兒童秤身高坐高計附有身長計，測量體重的同時又可以測量兒童的身高及其坐高。產品符合國際法制計量組織建議第三號（OIML International Recommendation NO.3）和中華人民共和國行業標準QB2065《人體秤》。 一、技術參數 型號：RGT-50-RT 最大秤量：50kg 分度值（d）：50g 身高測量范圍：60－160cm 坐高測量范圍：38－100cm 身高計分度值：0.5cm 承重板面積：37.5×27.5cm 外形尺寸：58×51×78cm 凈重：22kg 二、兒童秤身高坐高計組裝 1、打開包裝，去除包裝物； 2、將立柱組件通過螺釘和墊圈與底座聯接，擰緊； 3、把計量杠桿小心地穿入視準器內； 4、將立柱組件中的傳力桿鉤在計量杠桿上的重點環上； 5、將計量杠桿的支點刀移至支點刀承中； 6、將掛鉤套在力點刀上； 7、座椅組裝：將兩塊靠板兩側的圓柱壓入座椅框相應的凹槽內； 8、座椅安裝：通過4-M4x16、壓板將座椅安裝在底座上； 三、兒童秤身高坐高計的操作 秤必須定期檢查，尤其當移動后，根據以下要求進行操作：將平放在水平、平坦、堅實的地面上，站上，走下秤臺數次，使秤的各個活動零部件處于自然狀態。 零位調整：將秤的游砣置于零位，掛上砣掛，秤的標尺指示器必須自然地上升、下降，不能碰到上下邊框。如果碰到邊框，則要通過旋轉調整砣桿調整砣的位置，使得指示器滿足上述要求。 秤重操作： 1、根據你的大約重量，將適當數量及重量的增砣掛在砣掛上； 2、站在秤上，調整游砣位置，直到指示器在框內上下均勻地擺動（如果指示器在框內上下均勻地擺動，就沒有必要等到指示器停止擺動再去讀重量）； 3、游砣所指示的及增砣指示的重量之和，就是你的體重。 秤重方式：秤重方式分為站立、坐式、臥式三種。 四、兒童秤身高坐高計身高測量的操作 1、將測量板置于水平位置，將座板向后掀起，站在臺面上； 2、將身高計的內管拉起，中管不能拉起，然后將內管往下壓，直到測量板接觸你的頭頂；這時小螺帽上邊圈右邊刻度指示的高度就是你的高度，如果你低于 106cm；如果你高于106cm，那么繼續向上拉動內管，帶動中管上升，使測量板超過你的頭頂，然后將中管往下壓，使測量板接觸你的頭頂，那么大螺母上 邊圈的右邊的讀數就是你的身高。 五、坐高測量的操作 1、將測量板置于水平位置，將座板向前放平，坐在凳面上； 2、將身高計的內管拉起，中管不能拉起，然后將內管往下壓，直到測量板接觸你的頭頂，這時小螺帽上邊圈左邊刻度指示的高度就是你的坐高，如果你的坐高低于 84cm；如果你高于84cm，那么繼續向上拉動內管，帶動中管上升，使測量板超過你的頭頂，然后將中管往下壓，使測量板接觸你的頭頂，那么大螺母上邊圈 的左邊的讀數就是你的坐高。 相關產品： 兒童電子秤-電子兒童秤 電子兒童秤-兒童電子秤 兒童秤身高坐高計 本文中所有關于兒童秤身高坐高計http://www.xinman8.com/331.html的文字、參數、圖片等如有產品更新換代、參數變動請聯系我們的銷售、技術工程師。

本發明公開了一種帶有多孔泡沫金屬換熱結構的太陽能光伏光熱集熱器，該集熱器采用上下雙冷卻通道結構，并結合多孔泡沫金屬層(6)進行換熱強化，降低了太陽能光伏元件的溫度，提高光伏元件發電效率，同時將太陽能光伏元件所產生的大量熱量及時傳遞給冷卻氣體，冷卻氣體從集熱器出氣口(11)排出后可以用于預熱、干燥或者室內供暖等用途。本發明所使用的泡沫金屬具有高熱導率及高比表面積，可以有效地改善傳統太陽能光伏光熱集熱器的冷卻效率，并且采用下進上出的流式，使得換熱過程接近逆流換熱，換熱效率達到最高。

主要作了以下幾方面探索： 在低維納米結構的合成、納米光電器件制造與性能分析方面有良好的研究基礎。在納米光電器件方面，長期從事納米光電器件的研究與開發，已經成功地合成了一系列納米結構以及它們異質和復合納米結構，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基礎上制造了基于單個納米結構的光電器件，測試了其性能。其中發表在國際頂尖一區期刊《Advanced Materials》上的論文被美國加州大學、中科院重點實驗室、澳大利亞昆士蘭大學等相關課題組報道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等國際著名刊物引用達 123 次；發表在國際頂尖一區期刊《Advanced FunctionMaterials》上的論文被北京大學、清華大學、香港理工大學、臺灣國立大學、新加坡南洋理工大學、日本東北大學、美國華盛頓大學等國際名校相關課題組報道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等國際著名刊物引用達 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超導與鐵磁雙層結構中，觀察到磁相關的近鄰和耦合效應。證明了超導層中的邁斯納電流與磁層耦合提供的磁場之間存在的相互作用，并明確了來自于超導層的空穴電荷傳輸到反鐵磁層內，使得在靠近超導層的反鐵磁薄層內電荷的重新分布，進而發生了鐵磁性轉變的物理機制。在錳氧化物和銅氧化物組成的鐵磁/超導/鐵磁/反鐵磁異質結中觀察到大的負磁阻峰，這是在接近超導轉變溫度附近的混合態所具有的獨特現象，是自旋相關的界面散射的實驗證據；另外，我們還發現該類氧化物鐵磁/超導異質結中系統發現磁阻峰即隨溫度變化，其磁阻峰發生正、負性逆轉的奇特效應，這是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3負磁阻相互競爭的結果。其次，利用飛秒激光泵浦探測技術對YBCO/LCMO 異質結進行了泵浦探測，觀測了低溫下鐵磁序和超導序的競爭情況，為進一步研究 YBCO/LCMO 的近鄰效應打下了基礎。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 摻 雜 量 的YBCO/YSZ 準多層膜中觀察到 YSZ 摻雜薄膜發生了化學反應，導致了具有納米數量級鈣鈦礦異質相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉積中形成了c-軸關聯的缺陷。角度相關的J c (H,T)在 H//c區域附近出現的二次峰揭示了c-軸關聯缺陷的存在。基于各向異性磁通釘扎理論，我們分離了各向同性釘扎和各向異性釘扎對臨界電流密度的貢獻。分析表明所研究的準多層膜中產生了各向異性的缺陷，由此形成強釘扎中心，使得準多層膜在高場下仍具有較高的臨界電流密度。 應用唯象含時Ginzburg-Landau 理論并使用有限元方法研究了二維、三維介觀超導體的渦旋態性質。對于具有不同形狀和不同方向外場作用下的介觀超導體中觀察到了渦旋管交叉纏繞現象。其次，通過對電流驅使下的含弱連接的介觀超導帶的分析，觀察到了介觀超導帶磁化強度隨時間的周期性變化。另外,在我們所研究的小超導環中出現了穩定多渦旋態。隨著內半徑的增長,我們發現了穩定基態的(l:L)和(2:L)多渦旋態現象。 該項目已獲上海市自然基金項目立項支持。

本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

在規范采樣及針對性測試條件下，釋光測年技術應用在埋藏陶器、燒土類考古受熱材料的年代學研究中具有高準確度的優勢，并有望確定最后一次考古受熱事件（如祭祀、焚燒、烹煮等）的高精度年代。

一種寬光譜、強吸收的表面光伏型光探測器的制備方法，其作法是：以鈦箔為陽極，鉑為陰極，對鈦箔進行氧化，得非晶態TiO2納米管陣列；經處理后，得TiO2納米管陣列；將鈦箔置于高溫反應釜內，再將Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反應釜，熱處理得Bi2S3-TiO2納米管陣列；在Bi2S3-TiO2納米管陣列表面覆蓋FTO，引出電極，在未生成Bi2S3-TiO2納米管陣列的鈦箔上引出電極，將FTO與鈦箔及其Bi2S3-TiO2納米管陣列的接觸邊緣封裝即得本發明的光探測器。該方法能耗低，工藝、設備簡單；制得物適用光譜范圍大，適合做光譜分析；還可以做光敏開關等光電器件，具有廣闊的應用前景。