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本發(fā)明公開了一種高精度多通道溫度控制與記錄儀,屬于溫度控制技術(shù)領(lǐng)域,包括：溫度測量模塊、溫度采集模塊、控制單元、開關(guān)量輸入輸出模塊、顯示屏、電源供應(yīng)器、單相固態(tài)繼電器、接線柱及加熱帶；所述溫度測量模塊、溫度采集模塊等。

本項(xiàng)目提出一種快速高精度的人體溫度測量方法，基于集成微環(huán)諧振光譜的溫度敏感特性，通過對集成微環(huán)諧振芯片輸出光強(qiáng)與實(shí)際溫度建立對應(yīng)關(guān)系，實(shí)現(xiàn)快速準(zhǔn)確的人體溫度測量。其結(jié)構(gòu)包括一光源、一微環(huán)陣列、一探測器陣列、一信號(hào)后處理單元與一實(shí)時(shí)溫度顯示單元。通過對不同結(jié)構(gòu)的微環(huán)諧振腔參數(shù)優(yōu)化和設(shè)計(jì)，能夠在30-45℃溫度范圍，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)快速的人體體溫測量，響應(yīng)時(shí)間優(yōu)于50μs，測量精度優(yōu)于±0.03℃。

實(shí)驗(yàn)上測量了800nm和400nm園偏振激光與Xe原子相互作用作用的多光子電離過程，通過冷靶電子離子動(dòng)量譜儀，實(shí)現(xiàn)光電子能譜和動(dòng)量譜的高精度測量。實(shí)驗(yàn)上，發(fā)現(xiàn)在400nm波長條件下，測量到可分辨多光子特征的電子能譜和動(dòng)量譜結(jié)構(gòu)。由于Xe原子具有很強(qiáng)的自旋軌道耦合效應(yīng)，實(shí)驗(yàn)上觀測到3/2P（紅色箭頭）和1/2P（白色箭頭）引起的能級(jí)分裂的動(dòng)量分布和能量分布.而對于1/2P能級(jí)，在園偏振激光作用下，可以選擇性性激發(fā)自旋向下或自旋向上的電子 [圖1（d）]，因此，可以通過1/2P能級(jí)可以實(shí)現(xiàn)高自旋極化度的光電子。

本實(shí)用新型涉及一種高平穩(wěn)、高精度細(xì)胞培養(yǎng)振蕩器,包括底座，在底座上設(shè)有振蕩箱體，底座的四角處均設(shè)有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括旋轉(zhuǎn)電機(jī)，旋轉(zhuǎn)電機(jī)的輸出軸連接轉(zhuǎn)動(dòng)輪，轉(zhuǎn)動(dòng)輪的邊緣處設(shè)有固定軸，固定軸與其上方的轉(zhuǎn)動(dòng)盤的中心連接，轉(zhuǎn)動(dòng)盤位于振蕩箱體的底部并與振蕩箱體的底部接觸，四角處的四個(gè)旋轉(zhuǎn)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)頻率一致，四個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)盤與轉(zhuǎn)動(dòng)輪采用偏心的連接方式帶動(dòng)振蕩箱體以一個(gè)平穩(wěn)的速度在水平面內(nèi)朝同一個(gè)方向晃動(dòng)，提高了震蕩培養(yǎng)的質(zhì)量。

采用激光反射和散射測量原理，激光照射被測物，經(jīng)被測物表面反射和散射的光由探測頭內(nèi)部的硅光電池接收，再經(jīng)電路處理由軟件將接收到的信號(hào)值轉(zhuǎn)換為Ra，即被測物的表面粗糙度。 儀器屬于非接觸測量，不會(huì)對產(chǎn)品表面造成破壞；可消除在高級(jí)別粗糙度測量時(shí)測尖無法進(jìn)入谷底而帶來的測量誤差，特別適用于對超精加工后工件表面粗糙度的測量，以及內(nèi)孔內(nèi)壁的測量；非機(jī)械測量，不會(huì)有探針的損耗，降低了使用成本；可靠性、重復(fù)性高；采用數(shù)值標(biāo)定，同一類平面只需標(biāo)定一次，不需要重復(fù)標(biāo)定，降低了標(biāo)定成本，并且提高生產(chǎn)效率；由于激光的相干性好，測量系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，免去了一般光源干涉測量儀器視場過小帶來的諸多不便。 儀器操作簡單，可用于平面和圓柱面等多種被測材料，如：金屬、塑料、陶瓷以及磁性介質(zhì)等的測量，LCD直觀顯示。 主要性能指標(biāo)：測量范圍：0.01mm～0.1mm重復(fù)性：測量值的±1.0%準(zhǔn)確度：±0.006mm光點(diǎn)直徑：f3mm

已有樣品/n針對產(chǎn)業(yè)界對MEMS 代工的迫切需求，微電子所科研人員以高精度三軸加速度計(jì)開發(fā)為牽引展開攻關(guān)，致力于在現(xiàn)有8 英寸硅工藝線上實(shí)現(xiàn)與CMOS 工藝兼容的通用MEMS 加工平臺(tái)技術(shù)，成功開發(fā)出大深寬比MEMS 結(jié)構(gòu)刻蝕、MEMS 與ASIC 晶圓堆疊、TSV 電學(xué)連接及晶圓級(jí)蓋帽鍵合封裝等關(guān)鍵工藝技術(shù)的量產(chǎn)，最終實(shí)現(xiàn)了TSV的ASIC 晶圓、MEMS 結(jié)構(gòu)晶圓及蓋帽晶圓的三層鍵合工藝，并順利交付首款三軸加速度計(jì)產(chǎn)品。

本發(fā)明公開了一種高效高精度復(fù)合增材制造方法及裝置，采用 激光束與電子束復(fù)合實(shí)現(xiàn)。在高能束與金屬粉末作用的過程中，激光 束掃描熔化表面輪廓的金屬粉末，保證零件表面具有較好的表面質(zhì)量； 電子束高速熔化內(nèi)部粉末成形零件內(nèi)腔，以達(dá)到最快的成形效率。裝 置包括下部包括鋪粉輥、工作臺(tái)、送粉缸和工作缸；上部包括電子束 發(fā)生裝置、激光束發(fā)生裝置、底板、二根導(dǎo)軌、二根橫梁、同步帶輪 和伺服電機(jī)。電子束發(fā)生裝置、激光束發(fā)生裝置分別作為一

大屏幕高分辨率彩色顯示器，具有背光調(diào)節(jié)功能、使用數(shù)字/字母、符號(hào)按鍵操作 8檔量程自動(dòng)變頻、自動(dòng)轉(zhuǎn)換，一鍵標(biāo)定，自動(dòng)校準(zhǔn)電極常數(shù) 多參數(shù)測量，電導(dǎo)率、電阻率、TDS、鹽度、電導(dǎo)灰分、溫度 參比溫度、溫度系數(shù)、TDS系數(shù)、電導(dǎo)池常數(shù)可調(diào) 具有電極、方法、樣品管理、操作人員及權(quán)限管理功能 電極管理功能：電極ID管理、記錄電極常數(shù)、校準(zhǔn)信息 用戶管理功能：用戶ID和密碼管理，支持1000個(gè)用戶登陸密碼  方法管理功能：支持操作人員對不同測量需求建立單獨(dú)的方法 校準(zhǔn)管理功能：內(nèi)置10種電導(dǎo)率標(biāo)準(zhǔn)溶液，1種自定義溶液，有歐美和中國標(biāo)準(zhǔn)溶液可選擇  安全管理功能：斷電保護(hù)功能，支持用戶權(quán)限管理  界面管理功能：記錄關(guān)機(jī)前測量模式，再次開機(jī)則自動(dòng)進(jìn)入關(guān)機(jī)前的模式測量界面 測量模式：不補(bǔ)償、線性補(bǔ)償、非線性測量 讀數(shù)方式：實(shí)時(shí)測量、自動(dòng)測量、定時(shí)測量 非線性溫度補(bǔ)償測量實(shí)驗(yàn)室純水模式，特別適合電廠、微電子和制藥等行業(yè)的使用，實(shí)驗(yàn)室I、II、III級(jí)用水模式、制藥用純水模式、制藥用注射用水模式、電子級(jí)EW-I EW-II  EW-III 用水模式，均帶報(bào)警提示功能 具有強(qiáng)大的數(shù)據(jù)管理功能，時(shí)鐘和日期雙顯示，符合GLP標(biāo)準(zhǔn)，可追溯完整的信息 數(shù)據(jù)查閱：按樣品名稱查閱存貯數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)：儀器內(nèi)置軟件協(xié)議，將存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)直接傳輸電腦的office Excel、office Word或記事本等軟件文本中，方便用戶對測量數(shù)據(jù)進(jìn)行歸檔統(tǒng)計(jì)、分析、比較等操作 支持測量方法的查閱、創(chuàng)建、拷貝、編輯、刪除，1000套測量方法，3種數(shù)據(jù)輸出報(bào)告格式：簡單格式、普通格式、GLP格式

本發(fā)明公開了一種高精度的刀具偏離量在線測量裝置，包括固 定安裝于機(jī)床的主軸頭上的裝夾機(jī)構(gòu)，所述裝夾機(jī)構(gòu)上安裝有激光位 移測量裝置，所述激光位移測量裝置上連接有用于接收和處理其發(fā)出的信號(hào)的數(shù)據(jù)采集處理裝置，所述激光位移測量裝置包括兩個(gè)以上的 激光測量頭，激光測量頭均安裝在裝夾機(jī)構(gòu)上，每個(gè)激光測量頭上均 設(shè)有激光發(fā)射器和激光接收器。采用激光位移測量裝置測量切削過程 中刀具偏離量，信號(hào)采集頻率高，測量精度高；采用至少兩個(gè)激光測 量頭，可以同時(shí)測刀具的 X 軸方向和 Y 軸方向上的偏離量，并通過建 立幾何關(guān)系方程進(jìn)行誤差補(bǔ)償，外部干擾影響小，測量精度高。