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一種用于大型非平整表面沉積的裝置及方法
本發(fā)明公開了一種原子層沉積裝置，包括原子層沉積單元噴頭，所述單元噴頭包括高壓氣流入口，惰性隔離氣體入口通道，出氣口通 道，和兩種前驅(qū)體入口通道，其中所述高壓氣流入口噴出高壓氣體以 頂起整個沉積裝置，該裝置是微型開放式且可移動可擴(kuò)展，能夠適用 于大型非平整結(jié)構(gòu)表面薄膜沉積，并可直接經(jīng)過簡單多塊組合，增加 沉積效率。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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關(guān)于非鉛鈣鈦礦太陽能電池的研究
首次制備出了基于非鉛雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6的高質(zhì)量薄膜及其太陽能電池。對于傳統(tǒng)的鉛基鈣鈦礦材料，其結(jié)構(gòu)為APbX3, 如果用一個一價金屬和三價金屬來代替兩個鉛，即可形成結(jié)構(gòu)式為A2M+M3+X6的雙鈣鈦礦，又名冰晶石。雙鈣鈦礦是一個非常龐大的家族，理論計算可以形成這種組合的有超過9000種，目前有350種已經(jīng)被合成。根據(jù)計算，有11材料有潛力用于光伏器件。目前已經(jīng)被合成的有5種左右，但是鮮有雙鈣鈦礦電池報到。其主要原因在于很難制備高質(zhì)量的雙鈣鈦礦薄膜。通過自己搭建的低壓輔助設(shè)備首次制備出了高質(zhì)量的雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6薄膜，研究發(fā)現(xiàn)，該薄膜的熱穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于傳統(tǒng)的鉛基有機(jī)－無機(jī)雜化鈣鈦礦材料。將其用做吸光層，制備出了平面異質(zhì)結(jié)太陽能電池。基于該薄膜的電池在空氣中有很好的穩(wěn)定性，對于無空穴傳輸層的器件在空氣中放置超過4個月其效率沒有衰減。說明雙鈣鈦礦在太陽能電池的應(yīng)用中有非常大的潛力。相關(guān)成果發(fā)表在《Advanced Science》 （The Dawn of Lead-Free Perovskite Solar Cell: Highly Stable Double Perovskite Cs2AgBiBr6 Film, Adv. Sci. 2018, 5(3), 1700759）。
北京大學(xué)
2021-04-11
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便攜式高精度非接觸粗糙度測量儀
采用激光反射和散射測量原理，激光照射被測物，經(jīng)被測物表面反射和散射的光由探測頭內(nèi)部的硅光電池接收，再經(jīng)電路處理由軟件將接收到的信號值轉(zhuǎn)換為Ra，即被測物的表面粗糙度。 儀器屬于非接觸測量，不會對產(chǎn)品表面造成破壞；可消除在高級別粗糙度測量時測尖無法進(jìn)入谷底而帶來的測量誤差，特別適用于對超精加工后工件表面粗糙度的測量，以及內(nèi)孔內(nèi)壁的測量；非機(jī)械測量，不會有探針的損耗，降低了使用成本；可靠性、重復(fù)性高；采用數(shù)值標(biāo)定，同一類平面只需標(biāo)定一次，不需要重復(fù)標(biāo)定，降低了標(biāo)定成本，并且提高生產(chǎn)效率；由于激光的相干性好，測量系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，免去了一般光源干涉測量儀器視場過小帶來的諸多不便。 儀器操作簡單，可用于平面和圓柱面等多種被測材料，如：金屬、塑料、陶瓷以及磁性介質(zhì)等的測量，LCD直觀顯示。 主要性能指標(biāo)：測量范圍：0.01mm～0.1mm重復(fù)性：測量值的±1.0%準(zhǔn)確度：±0.006mm光點直徑：f3mm
北京航空航天大學(xué)
2021-04-13
高頻電磁感應(yīng)式非接觸位移傳感器
1、成果簡介 可以研發(fā)：各種非接觸位移傳感器等。 技術(shù)指標(biāo)：1、行程：10-300mm；線性度：1%2、應(yīng)用說明 主要應(yīng)用對象：智能閥門定位器、核能、機(jī)床、航空航天、汽車、船舶、包裝、石油化工、制藥、水泥、鋼鐵、能源等各領(lǐng)域中的首選傳感器。3、效益分析 高技術(shù)產(chǎn)品
北京航空航天大學(xué)
2021-04-13
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鐵磁性非晶合金結(jié)構(gòu)與功能材料制備及應(yīng)用
研制出了多個具有自主知識產(chǎn)權(quán)的鐵磁性非晶、納米晶軟磁合金材料，具有優(yōu)異的力學(xué)性能、軟磁性能、耐蝕性能及對染料廢水高效降解性能，具體研究成果包括：（1）高飽和磁感低損耗納米晶軟磁合金：研制了FeSiBPCu系列納米晶軟磁合金，飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度達(dá)1.8T以上，1.5T/50Hz條件下的鐵損僅為0.29W/kg，是高級取向硅鋼鐵損的1/2，技術(shù)性能遠(yuǎn)優(yōu)于日本主要生產(chǎn)和大力推廣的FINEMET納米晶合金系列產(chǎn)品，在高效節(jié)能電機(jī)、無線充電系統(tǒng)、新能源汽車等技術(shù)領(lǐng)域具有廣闊市場前景；（2）鐵磁性非晶合金構(gòu)件涂層：制備了厚度達(dá)9mm的非晶合金構(gòu)件涂層，非晶度90%以上，孔隙率低于1%，平均硬度達(dá)976HV，內(nèi)聚強(qiáng)度為237MPa；利用激光熔覆技術(shù)進(jìn)一步改善其力學(xué)性能，斷裂強(qiáng)度達(dá)1800Mpa，具有優(yōu)異的耐蝕性能和耐摩擦磨損性能，適用于各種功能構(gòu)件的在線修復(fù)；（3）鐵基非晶合金化學(xué)性能研究：研究了FePC(Cu)、FeSiBPCu、FeBC、FeCrNbYB等非晶/納米晶合金在對染料廢水的高效降解，發(fā)現(xiàn)合金表面的“自更新”行為可有效提高合金的重復(fù)利用性，同時良好的熱磁調(diào)諧性使合金便于降解后的自動回收，對于實現(xiàn)高效、低成本處理印染廢水，解決水污染問題具有重要的應(yīng)用價值。
東南大學(xué)
2021-04-13
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植物組培苗生長發(fā)育的非接觸檢測技術(shù)
項目簡介 針對傳統(tǒng)接觸式的檢測方法難在線獲取組培苗生長發(fā)育動態(tài)信息的缺點，本項目利 用圖像分析、近紅外光譜技術(shù)以及葉綠素?zé)晒饧夹g(shù)等物理方法建立了組培苗生長發(fā)育的 非接觸檢測技術(shù)體系。其工作原理為：組培苗的圖像像素點與組培苗生物量具有很好的 相關(guān)性，建立組培苗像素點與組培苗的生物量的關(guān)系模型，獲取待測組培苗的圖像信息， 建立組培苗的生物量隨時間變化的模型，獲取組培苗生長的動態(tài)信息，結(jié)合水分蒸（發(fā)） 騰模型，獲取組培苗蒸騰作用和水分利用率；依類似方法獲取組培苗根生長的動態(tài)信息。 利用培養(yǎng)
江蘇大學(xué)
2021-04-14
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非晶合金，高熵合金， 高性能鋼鐵材料和多孔金屬
在 Nature，Science，Physical Review Letters，Advanced Materials 等學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文 200 余篇，申請中國發(fā)明專利 65 件，授權(quán)發(fā)明專利 22 件。2010 年相關(guān)塊體非晶復(fù)合材料韌化的工作被 Nature-Asia Materials 做專題評述，多項其它工作還被 Science，Materials Today，Nature 等學(xué)術(shù)雜志做專題評述以及其它世界各國媒體報道。在新一代超高強(qiáng)鋼和先進(jìn)耐熱鋼研究上取得了國際水平的研究成果，其中關(guān)于超高強(qiáng)鋼的成果被國際權(quán)威給予很高的評價，同時被科技部評為“2017 年度中國科學(xué)十大進(jìn)展”并在央視新聞聯(lián)播報道。超高強(qiáng)鋼；先進(jìn)高熵合金；塊體非晶合金；非晶納米晶軟磁合金；非晶態(tài)耐磨耐蝕合金；非晶與高熵合金釬焊材料；高熵合金生物材料；高強(qiáng)耐蝕鎂合金。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
一種用于大型非平整表面沉積的裝置及方法
本發(fā)明公開了一種原子層沉積裝置，包括原子層沉積單元噴頭，所述單元噴頭包括高壓氣流入口，惰性隔離氣體入口通道，出氣口通道，和兩種前驅(qū)體入口通道，其中所述高壓氣流入口噴出高壓氣體以頂起整個沉積裝置，該裝置是微型開放式且可移動可擴(kuò)展，能夠適用于大型非平整結(jié)構(gòu)表面薄膜沉積，并可直接經(jīng)過簡單多塊組合，增加沉積效率。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性內(nèi)存系統(tǒng)及其管理方法
本發(fā)明公開了一種非易失性內(nèi)存系統(tǒng)及其管理方法，利用非易 失 PCM 存儲器件構(gòu)建非易失性內(nèi)存，并在主機(jī)內(nèi)存管理模塊中添加對 非易失內(nèi)存的管理，實現(xiàn)非易失內(nèi)存與傳統(tǒng) DRAM 內(nèi)存的統(tǒng)一管理， 能與傳統(tǒng) DRAM 內(nèi)存融合組成統(tǒng)一的內(nèi)存供主機(jī)處理器訪問。本發(fā)明 可以解決傳統(tǒng) DRAM 內(nèi)存的掉電數(shù)據(jù)丟失的問題、數(shù)據(jù)一致性等問 題，同時還能降低主機(jī)內(nèi)存的能耗。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種具有非極性吸收層的紫外探測器
本發(fā)明公開了一種具有非極性吸收層的紫外探測器，包括：自下而上依次設(shè)置的襯底、ＡｌＮ中間層、非摻雜ＡｌＧａＮ緩沖層、ｎ型ＡｌＧａＮ層、非極性ＡｌｘＧａ１?ｘＮ／ＡｌｙＧａ１?ｙＮ多量子阱吸收分離層、非摻雜ＡｌｚＧａ１?ｚＮ倍增層、ｐ型ＡｌＧａＮ層，在ｐ型ＡｌＧａＮ層上設(shè)置的ｐ型歐姆電極，在ｎ型ＡｌＧａＮ層上設(shè)置的ｎ型歐姆電極，其中０（ｘ（ｙ（ｚ（１。本
東南大學(xué)
2021-04-14