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中國傳媒大學非學歷教育管理系統采購項目競爭性磋商
中國傳媒大學非學歷教育管理系統采購項目競爭性磋商
中國傳媒大學
2022-06-23
人才需求；分布式存儲系統架構領域技術性人才，重刪領域技術性人才，資源調度領域技術性人才，非易失介質領域技術性人才，網絡領域技術性人才
1、機器學習領域技術性人才
2、存儲系統領域技術性人才
3、系統軟件領域技術性人才
4、分布式存儲系統架構領域技術性人才
5、分布式存儲系統重刪領域技術性人才
6、分布式存儲系統資源調度領域技術性人才
7、分布式存儲系統非易失介質領域技術性人才
8、分布式存儲系統網絡領域技術性人才
9、固態盤領域技術人才
浪潮集團有限公司
2021-06-16
關于電荷密度波序的高精度實驗探測
運用先進的相干共振X射線彈性散射，研究了經典的電荷密度波材料三碲化鋯（ZrTe3 ）中的雜質效應。
北京大學
2021-04-11
波與物質相互作用新形式的發現
以光與物質相互作用為例。在發光過程中，一直以來研究者都認為光源只能夠與其所處環境的電磁場模式的本征態相互作用，光源的出射強度和頻率等輻射特征由光源和這些本征態共同決定。這一觀念隨著對自發輻射的深入理解而逐漸形成。標志性的認識包括1930年V. Weisskopf and E. Wigner提出自發輻射是激發的電子與真空場相互作用引起的。1946年E. M. Purcell進一步指出自發輻射的速率是由光源和其所處環境的電磁場模式的本征態共同決定。對這一觀念的深刻理解使得我們可以通過構建和調控光學模式本征態來控制光與物質相互作用，從而對激光器、單光子源、光子晶體、超構材料等光物理與器件的興起與發展起到了舉足輕重的作用。2012年的諾貝爾物理學獎正是授予了在此基礎上發展起來的對單個粒子的量子調控。
北京大學
2021-04-11
一種易拆卸的板式消波裝置
本實用新型屬于消波技術研究領域，具體涉及一種易拆卸的板式消波裝置，包括支架和設置在支架上的雙片式消波板，所述支架包括一對平行的底梁以及配合設置在底梁上的前支架和后支架，每根底梁上的前支架和后支架鉸接配合，所述前支架與鉸接端相對的一端和設置在底梁上的一組凸耳通過栓桿可拆卸連接，所述的后支架與鉸接端相對的一端與底梁內側滑動配合。所述雙片式消波板呈梯形，由兩片對稱的含有窄端部的消波片組成，所述雙片式消波板外套在前支架和后支架上并通過卡箍將其窄端部緊固。本實用新型結構簡單，方便消波板的更換與傾角的調節，可適用于更廣的水深和波高范圍，具有良好的消波效果。
浙江大學
2021-04-13
通過超構表面實現對非線性倍頻光子的自旋、軌道角動量的同時調控
把具有C3旋轉對稱性的超構單元按照一定序構排列起來形成圓形的超構表面，超構表面攜帶的拓撲電荷為q，理論分析表明這類超構表面上產生的非線性諧波的自旋和軌道角動量分別為：s=±σ?；l n =(n?1) σq?。對應倍頻諧波情況：s=-σ?；l SHG =3σq?。因此，結合光的自旋角動量控制的非線性幾何相位與拓撲電荷的概念，可以通過超構表面上實現對非線性諧波輻射過程中光的自旋、軌道角動量的同時控制。了解了相關物理機制，為如何在微納尺度上產生并控制光的自旋、軌道角動量兩個維度，設計高密度、多功能光信息處理芯片等奠定重要科學與技術基礎。
南方科技大學
2021-04-13
中國科學技術大學實現新型自旋量子放大技術
中國科學技術大學中國科學院微觀磁共振重點實驗室彭新華研究組在自旋量子精密測量領域取得重要進展，首次提出和驗證了Floquet自旋量子放大技術，該技術克服了以往只在單個頻率處量子放大的局限性，實現了多頻段極弱磁場信號的量子放大，靈敏度達到了飛特斯拉水平。
中國科學技術大學
2022-07-11
一種磁隧道結單元及自旋電子器件
本發明公開了一種隧道結單元及磁隨機存儲器，包括依次連接 的第一電極、第一自由層、非磁性絕緣層、釘扎層和第二電極，還包 括連接在第一電極與第一自由層之間的第二自由層，第二自由層的橫 截面積小于自由層的橫截面積；第二自由層和第一自由層一起形成了 復合自由層結構；第二自由層用于聚集電流，使得第二自由層處的電 流密度大于第一自由層處的電流密度，從而使得第二自由層的磁矩先 于第一自由層發生翻轉；由于第二自由層和第一自由層之間的
華中科技大學
2021-04-14
一種磁隧道結單元及自旋電子器件
本發明公開了一種隧道結單元及磁隨機存儲器，包括依次連接 的第一電極、第一自由層、非磁性絕緣層、釘扎層和第二電極，還包 括連接在第一電極與第一自由層之間的第二自由層，第二自由層的橫 截面積小于自由層的橫截面積；第二自由層和第一自由層一起形成了 復合自由層結構；第二自由層用于聚集電流，使得第二自由層處的電 流密度大于第一自由層處的電流密度，從而使得第二自由層的磁矩先 于第一自由層發生翻轉；由于第二自由層和第一自由層之間的
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的
華中科技大學
2021-04-14