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一種制備納米顆粒增強鋁基復合材料的方法
本發明公開一種制備納米陶瓷顆粒增強鋁基復合材料的方法。 首先將納米陶瓷粉、微米級鋁或鋁合金粉混合粉末在真空或氬氣保護 下，通過干式高能球磨制備出納米陶瓷顆粒體積分數為 10～50％的毫 米級復合顆粒。然后將毫米級復合顆粒直接熔化或者添加到鋁或鋁合 金熔體中，并施加超聲振動，促進納米陶瓷顆粒在金屬熔體中的均勻 分散，制備出納米陶瓷顆粒增強鋁基復合材料。本發明中干磨法制得 的毫米級復合顆粒可以很容易地完全加入到金屬熔體中
華中科技大學
2021-04-14
全生物基呋喃聚合新材料及其關鍵中間體研發
發展綠色友好反應體系，通過核心過程的耦合，實現關鍵中間體 HMF 百噸級生產新工藝研發與中試；開發了基于 HMF 下游新型聚合單體的高選擇性合成，實現合成呋喃聚合材料單體的高效催化氧化新工藝，在提高反應濃度的同時提高了產物收率及選擇性，降低反應成本及三廢排放；開展并制備了呋喃基聚合材料，同時對材料的結構調控及結構性能關系進行研究，呋喃基聚酯材料 PEF 表現出優于石油基材料 PET的結構性能。
主要產品預期可實現參數指標：1） 建成千噸級呋喃基新材料單體 FDCA 產業化示范工程，單體 FDCA 純度達到聚合級，生產成本控制在 15 萬/噸以內；
2）建立呋喃基新材料產品質量標準和性能評價標準，對比傳統聚酯材料隔水性能提高 2 倍，隔氧性能提高10 倍；
3） 進行呋喃聚酯、聚酰胺材料工程應用實驗，完成 1-2 項終端應用產品設計開發。
中國科學技術大學
2023-05-17
聚合物基電子封裝材料用高性能助劑的制備技術
隨著電子封裝技術向著“高密度、薄型化、高集成度”不斷發展，對聚合物基電子封裝材料的各項性能提出了更高要求。目前，我國在先進電子封裝材料的研究和應用上與日本、韓國及歐美發達國家相比仍有較大差距。團隊通過與無錫創達新材料股份有限公司、無錫東潤電子材料科技有限公司等企業開展產學研合作，研發了一系列具備自主知識產權、高附加值以及高性能的電子封裝材料用關鍵助劑，包括環氧樹脂增韌劑、環氧樹脂固化促進劑、高性能有機硅樹脂等，并獲得江蘇省相關科技計劃項目及人才項目的立項支持。相關功能助劑的應用可有效提升電子封裝材料的性能，對突破國內高檔電子封裝材料研發生產的技術瓶頸，提升我國微電子封裝產業的國際競爭力，具有積極作用。
江南大學
2021-04-13
聚合物基電子封裝材料用高性能助劑的制備技術
隨著電子封裝技術向著“高密度、薄型化、高集成度”不斷發展，對聚合物基電子封裝材料的各項性能提出了更高要求。目前，我國在先進電子封裝材料的研究和應用上與日本、韓國及歐美發達國家相比仍有較大差距。團隊通過與無錫創達新材料股份有限公司、無錫東潤電子材料科技有限公司等企業開展產學研合作，研發了一系列具備自主知識產權、高附加值以及高性能的電子封裝材料用關鍵助劑，包括環氧樹脂增韌劑、環氧樹脂固化促進劑、高性能有機硅樹脂等，并獲得江蘇省相關科技計劃項目及人才項目的立項支持。相關功能助劑的應用可有效提升電子封裝材料的性能，對突破國內高檔電子封裝材料研發生產的技術瓶頸，提升我國微電子封裝產業的國際競爭力，具有積極作用。
江南大學
2021-04-13
錫納米晶為模板合成具有帶隙可調的錫鍺合金納米材料
通過精細調控Ge2+離子前驅體溶液與已制備的錫納米顆粒反應，合成帶隙可調的半導體錫鍺合金納米晶（0.51 eV至0.71 eV）。使用的錫納米晶模板可以大大降低反應的成核、結晶和生長的反應能壘。與以前報道的反應溫度（約300 ℃）相比，課題組的方法可以在較低的溫度下（60-180 ℃）得到錫鍺合金納米晶。課題組深入闡明了從錫到錫鍺合金納米晶的相變機理，清晰揭示了從不均勻核殼結構到均勻合金結構的演變過程。
南方科技大學
2021-04-13
一種利用壓力來調控貴金屬納米材料晶相含量的新策略
自然界中，貴金屬金（Au）的塊體只能以其熱力學穩定結構面心立方(fcc)相存在。只有在納米尺度，利用濕法化學合成方法，人們才能獲得具有獨特光學性質的，密排六方hcp-4H結構的Au納米材料。雖然通過配體交換或外延生長貴金屬的方式，可以在溶液中誘導4H相的Au變為fcc結構，獲得更多的結構信息。但是，具體的結構性質和相轉變過程仍然無法確定。本工作利用金剛石對頂砧（DAC）技術對4H相的Au納米材料進行研究，探索其結構和相變過程，達到高壓貴金屬相工程的目的。? 高壓X射線衍射表明，壓力在1.2 – 26.1 GPa之間，Au的4H結構逐漸轉變為fcc相。同時，該過程的不可逆性使得貴金屬高壓相工程成為了可能。即通過控制最高壓力，獲得不同4H/fcc相含量的Au納米材料。同時，相比純4H相的Au納米帶，具有4H與fcc相交替多相結構的4H/fcc Au納米棒更容易發生高壓相變。這主要是由于4H/fcc多相Au納米棒中大量相邊界提供的相變成核位點，可以促進4H-fcc的相變過程。此外，課題組通過高分辨透射電子顯微技術和密度泛函理論（DFT）計算的結合，首次觀測到了原子尺度的Au相變路徑。發現Au由4H-fcc的相變機理為（-112）4H晶面的整平，并伴隨著密堆積方向的改變。這與以往觀測到的金屬高壓hcp-fcc相的相變機制完全不同。該工作不僅對Au納米結構的穩定性和相變提出了新的見解，而且提供了一種利用壓力來調控貴金屬納米材料晶相含量的新策略，該策略可用于研究基于晶相的催化、表面增強拉曼散射、波導、光熱療法、傳感、清潔能源等領域中。
南方科技大學
2021-04-13
Au的傳統fcc晶相與4H晶相之間的轉變
采用了原位透射電鏡（in situ TEM）來表征相轉化過程，因其可在原子尺度下直接觀察樣品在外界作用下（力、熱、電、磁等）或化學反應過程中的微結構變化。動畫1展示了fcc晶相向4H晶相的動態轉變過程：首先fcc-Au納米粒子中的金原子被高能電子束激活，在CO氣體中擴散到界面區域，金原子擴散導致金顆粒燒結形成緊密接觸的界面，然后從兩相界面開始發生fcc-4H相變。此外，我們發現當fcc金納米顆粒位于納米棒的4H和fcc交界處時，位于4H區域的金轉變
南方科技大學
2021-04-14
一種非均勻材料連續分布力學參數場間接獲取方法
本發明公開了一種非均勻材料連續分布力學參數場間接獲取方法。本發明的方法包括步驟：
Ｓ１．非均勻材料梁的制作與固定；
Ｓ２．梁的模態試驗與試驗頻響函數獲取；
Ｓ３．力學參數正交多項式展開與計算頻響函數獲取；
Ｓ４．基于靈敏度分析的正交多項式系數識別；
Ｓ５．非均勻材料力學參數分布場重構。本發明能夠解決非均勻材料的力學參數獲取問題，為使用該類非均勻材料的結構力學建模與分析提供準確的參數。
東南大學
2021-04-11
基于二維材料的超短溝道非易失閃存器件及其制備方法
本發明屬于半導體存儲器技術領域，具體為一種基于二維材料的超短溝道非易失閃存器件及其制備方法。本發明通過原子級薄層溝道和柵疊層設計降低特征長度，從而促進器件尺寸微縮；該器件通過能帶設計和范德華堆疊高質量界面降低隧穿勢壘，實現十納秒級編程/擦除速度和非易失特性；器件的短溝道通過垂直沉積和傾斜沉積兩步法工藝實現，且溝道長度能夠通過改變電極厚度和沉積角度來調控。本發明能在不使用先進光刻技術前提下，實現亞10nm溝道長度，突破硅基閃存器件的溝道長度微縮瓶頸，為新型高速非易失存儲器的高密度集成提供新解決方案。
復旦大學
2021-01-12
高清非編系統
北極環影提供廣播級非線性編輯系統，為編輯提供更多創意選項，支持通用的SD、HD甚至4K和HDR格式的實時編輯，無需渲染；可實現全高清視頻編輯和處理，全面兼容格式多樣的媒體文件，實現超強度的編輯操作，比如畫面疊加、3D、多機位以及多軌道4K編輯，滿足用戶復雜節目包裝及圖文字幕發布需求。
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高清非線性編輯系統產品優勢：
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北京北極環影科技有限公司
北京市通州區保利·大都匯寫字樓7號樓9層
北京北極環影科技有限公司
2021-08-23