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揚州晶明專業(yè)提供應(yīng)變測試、振動測試整體解決方案，專業(yè)生產(chǎn)動態(tài)信號測試分析系統(tǒng)、無線遙測設(shè)備、動靜態(tài)應(yīng)變測試分析系統(tǒng)、模態(tài)測試分析系統(tǒng)、動靜態(tài)應(yīng)變儀、振動測試儀、信號激勵系統(tǒng)、傳感器等。我們的產(chǎn)品主要應(yīng)用于高等院校、科研院所、航空航天、國防軍工、交通橋梁、工礦企業(yè)的振動、噪聲、應(yīng)變、爆炸、沖擊等工程測試。我們能為用戶提供從信號源、 功率放大器、激振設(shè)備、傳感器、信號調(diào)理器、數(shù)據(jù)采集器到信號分析處理等全套設(shè)備，能為用戶提供測試和檢測完整的解決方案。 我們的無線應(yīng)變、無線加速度、無線振弦、無線電壓模塊、靜態(tài)應(yīng)變儀、動態(tài)應(yīng)變儀、電荷放大器、數(shù)據(jù)采集分析系統(tǒng)等產(chǎn)品已得到廣泛應(yīng)用和客戶的一致好評，在滿足試驗室測試需要外，重點為工程測試項目提供更輕便，靈活和耐用的專業(yè)測試儀器。揚州晶明在廣大客戶的支持下，將不斷研發(fā)新一代測試設(shè)備，為廣大客戶提供更新的測試技術(shù)，更好地回報廣大客戶對公司的支持。

了解更多產(chǎn)品詳情，請與我們聯(lián)系?180 6798 3675 公司官網(wǎng)：https://www.lierda.com

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隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，傳統(tǒng)計算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計算需求。與此同時，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實現(xiàn)計算能力的飛躍。 目前被廣泛使用的經(jīng)典馮·諾依曼計算架構(gòu)下數(shù)據(jù)存儲與處理是分離的，存儲器與處理器之間通過數(shù)據(jù)總線進行數(shù)據(jù)傳輸，在面向大數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用場景中，這種計算架構(gòu)已成為高性能低功耗計算系統(tǒng)的主要瓶頸之一：數(shù)據(jù)總線的有限帶寬嚴重制約了處理器的性能與效率，且存儲器與處理器之間存在嚴重性能不匹配問題。憶阻器存算一體系統(tǒng)把傳統(tǒng)以計算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu)，其直接利用阻變器件進行數(shù)據(jù)存儲與處理，通過將器件組織成為交叉陣列形式，實現(xiàn)存算一體的矩陣向量乘計算。憶阻器存算一體系統(tǒng)可以避免數(shù)據(jù)在存儲和計算中反復搬移帶來的時間和能量開銷，消除了傳統(tǒng)計算系統(tǒng)中的“存儲墻”與“功耗墻”問題，可以高效、并行的完成基礎(chǔ)的矩陣向量乘計算，未來極有潛力成為支撐人工智能等新興應(yīng)用的核心技術(shù)。 清華大學吳華強教授團隊實現(xiàn)了材料與器件、電路設(shè)計、架構(gòu)和算法的軟硬件協(xié)同等多方面原始創(chuàng)新，解決了系統(tǒng)精度損失等被廣泛關(guān)注的難題： 材料與器件創(chuàng)新。科研團隊選擇了電學特性穩(wěn)定的二氧化鉿作為憶阻層核心材料，提出了通過插入少量氧化鋁層來固定離子分布、抑制晶粒間界形成的新理論，提出了引入熱增強層的新原理器件結(jié)構(gòu)，成功抑制了憶阻器非理想特性的產(chǎn)生。 電路設(shè)計創(chuàng)新。開發(fā)了一套憶阻器與晶體管的混合電路設(shè)計方法，提出“差分電阻”設(shè)計思想，采取源線電流鏡限流設(shè)計，抑制了憶阻器電路中可能產(chǎn)生的各種計算誤差。 算法創(chuàng)新。提出了混合訓練算法，僅用小數(shù)據(jù)量訓練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)并只更新最后一層網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重，即可將存算一體硬件系統(tǒng)的計算精度達到與軟件理論值相同的水平。 “技術(shù)鏈”創(chuàng)新。從“單點技術(shù)突破”拓展到“技術(shù)鏈突破”，開發(fā)了針對憶阻器存算一體芯片的電子設(shè)計自動化（EDA）工具，打通了從電路模塊設(shè)計到系統(tǒng)綜合再到芯片驗證的設(shè)計全流程。 上述理論和方法發(fā)表于《自然》《自然·納米技術(shù)》《自然·通訊》等國際頂級期刊，以及被譽為“集成電路奧林匹克”的“國際固態(tài)電路大會”等頂級學術(shù)會議。研究成果被“國際半導體技術(shù)路線圖”和30多部綜述文章長篇幅引用。團隊已在該研究方向申請國內(nèi)外專利72項，其中30項已獲得授權(quán)，知識產(chǎn)權(quán)完全自主可控。 團隊已研制出全球首款憶阻器存算一體芯片和系統(tǒng)，集成了8個憶阻器陣列和完整的外圍控制電路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了計算設(shè)備的算力。全系統(tǒng)的計算能效比當前主流的人工智能計算平臺——圖形處理器（GPU）高兩個數(shù)量級。團隊還設(shè)計了一款基于130nm工藝研制的完整憶阻器存算一體芯片，在MNIST數(shù)據(jù)集上計算速度已超過市面上28nm工藝的四核CPU產(chǎn)品近20倍，能效有近千倍的優(yōu)勢。

項目成果/簡介:隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，傳統(tǒng)計算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計算需求。與此同時，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實現(xiàn)計算能力的飛躍。

現(xiàn)有的有機氮測定方法主要基于差減法，存在多方面測定的累加誤差，結(jié)果難免不夠精確和可靠。本發(fā)明技術(shù)是一種體積排阻色譜聯(lián)用型氮檢測器及應(yīng)用，其對有機氮的檢測原理在于通過體積排阻色譜柱實現(xiàn)有機氮和無機氮的分離，然后通過石英螺旋管結(jié)合紫外氧化的方式將有機氮轉(zhuǎn)變?yōu)橄鯌B(tài)氮，通過紫外檢測器檢查硝態(tài)氮在220nm的紫外吸收，實現(xiàn)定量分析。

本發(fā)明公開了一種井間并行電阻率 CT 測試方法，是對鉆孔間地質(zhì)條件及構(gòu)造特征進行探查的一種物探技術(shù)。通過在兩兩鉆井之間布置測試系統(tǒng)，形成 64 個電極的井間測線，采用并行電法數(shù)據(jù)采集技術(shù)進行單極或偶極供電與測試，獲得井間電性采集數(shù)據(jù)，形成井間不同電極間層析數(shù)據(jù)體。通過井間電阻率層析成像技術(shù)實現(xiàn)對測試區(qū)域電阻率及激電參數(shù)成像，進一步評價其巖層及構(gòu)造特征狀況，獲得地質(zhì)解釋成果及認識。該套測試系統(tǒng)可完成 1200m 深井的數(shù)據(jù)采集。

菊花晶和金銀花晶具有清熱去火的功效，目前市售的菊花晶和金銀花晶主要 以粉末狀的形態(tài)存在，外觀形狀較差，且溶解時所需的時間較長。本項目開發(fā)的 菊花晶和金銀花晶顆粒較大，溶解性較好。 溶解時間：熱水中 3 s 以內(nèi)全部溶解，不使用食品添加劑。 效益分析： 菊花和金銀花中的有效成分具有清熱去火等諸多功效，將其從菊花和金銀花 中提取出來制備成菊花晶和金銀花晶可以提高食用的方便。此外，將菊花晶和金 銀花晶與奶粉同時食用，可以有效降低嬰兒食用奶粉時引起的上火等問題。因此， 開發(fā)具有良好外觀形態(tài)和溶解性的菊花晶和金銀花晶具有較強的市場競爭力。

簡介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的

本項目開發(fā)了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術(shù)。它采用天然礦物和工業(yè)廢渣來取代高溫燒結(jié)法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時具有生產(chǎn)周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優(yōu)點。開發(fā)的原位受控晶化技術(shù)不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級，而且還可對晶相數(shù)量和結(jié)晶形狀進行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。