|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發器電路
本發明公開了一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及將憶阻器與定值電阻串聯構·721·成的分壓電路讀取模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現了 SR 觸發器的鎖存以及置位和復位功
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的帶寬可調的濾波電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的帶寬可調的低通濾波電路及其 操作方法，該電路由包含憶阻器的一階有源低通濾波電路以及憶阻器 的編程電路構成。本發明利用憶阻器的閾值電壓特性，將憶阻器的工 作模式劃分為模擬工作模式和編程工作模式，通過改變憶阻器的阻值 改變濾波電路的帶寬。編程電路由憶阻器、四個 NMOS 管以及四個 PMOS 管構成，一階有源濾波電路則由憶阻器、電容以及運算放大器 構成。本發明還公開了一種基于憶阻器的帶寬可調的
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法， 電路包括編碼電路和檢索電路；編碼電路可以根據事件本身及其相關 特征對事件進行編碼并存儲于電路中，通過擦除信號對已存信息進行 擦除，并將產生的記憶痕跡信號作為下級電路的輸入信號；檢索電路 能夠將記憶痕跡信號和檢索信號相互匹配進而產生相應的情景記憶行 為；本發明可以根據施加的相關脈沖操作，模擬生物的情景記憶行為。 完成人：繆向水、許磊、李祎、段念
華中科技大學
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導電復合薄膜及其制備方法
本發明屬于光電子技術領域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導電復合薄膜，該薄膜為三層復合結構，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構成的導電網絡，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導電網絡上的透明導電層，該柔性透明 導電復合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內保持高于 80％的透光率，該透明導電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發明還公開了該
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器實現計算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器實質蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網絡相連接。本發明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應的計算，并將計算結果用憶阻器的阻態來保 存，省去了傳統計算機系統中將計算結果輸出到存儲器的步驟，實現 計算與存儲的融合。通過通信網絡
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器實現計算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器實質蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網絡相連接。本發明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應的計算，并將計算結果用憶阻器的阻態來保 存，省去了傳統計算機系統中將計算結果輸出到存儲器的步驟，實現 計算與存儲的融合。通過通信網絡
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法， 可編程模擬電路包括：阻變元件、第一電阻、第二電阻、N 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻 變元件的一端與第一電阻的另一端連接，阻變元件的另一端作為可編 程模擬電路的第二端口；N 型 MOS 管的漏極和 P 型 MOS 管的漏極均 連接至阻變元件的另一端，N 型 MOS 管的源極和 P 型 MOS 管的源極 均
華中科技大學
2021-04-14
非晶合金，高熵合金，高性能鋼鐵材料和多孔金屬
在 Nature，Science，Physical Review Letters，Advanced Materials 等學術刊物上發表論文 200 余篇，申請中國發明專利 65 件，授權發明專利 22 件。2010 年相關塊體非晶復合材料韌化的工作被 Nature-Asia Materials 做專題評述，多項其它工作還被 Science，Materials Today，Nature 等學術雜志做專題評述以及其它世界各國媒體報道。在新一代超高強鋼和先進耐熱鋼研究上取得了國際水平的研究成果，其中關于超高強鋼的成果被國際權威給予很高的評價，同時被科技部評為“2017 年度中國科學十大進展”并在央視新聞聯播報道。 超高強鋼； 先進高熵合金； 塊體非晶合金； 非晶納米晶軟磁合金； 非晶態耐磨耐蝕合金； 非晶與高熵合金釬焊材料； 高熵合金生物材料； 高強耐蝕鎂合金。
北京科技大學
2021-02-01
新型納米晶種材料及其在輕合金中的應用
輕量化和綠色制造是實現航空航天和交通運輸等領域節能減排的重要手段，鋁合金是其輕量化首選，但傳統鋁合金服役性能不能滿足高端制造業發展的要求，制造過程也存在高污染、高能耗、質量不穩定等問題。以新思路、新原理、新材料、新工藝克服關鍵共性難題，突破鋁合金力學性能瓶頸、取代落后工藝是必然選擇。
本項目以多相熔體原子團簇演變調控為突破口，發明系列納米晶種材料，提出納米晶種技術，已成為大幅提升鋁合金的綜合性能和加工工藝性能的創新手段。
傳統鑄造鋁硅合金生產中通常添加磷鹽、赤磷或磷銅合金調控共晶及過共晶Al-Si合金中的初晶硅相的尺寸、形貌及分布，但存在磷量不可控、變質效果及產品質量不穩定、P2O5污染嚴重的問題。生產中通常采用傳統Al-Ti-B及Al-Ti-C細化劑鋁合金基體的α-Al枝晶，但是因Si“中毒”及Zr “中毒”，對含Si或含Zr鋁合金幾乎失去細晶強化作用。基于以上難題，山東大學發明了用于調控初晶硅相的Al-P系納米晶種材料及用于鋁合金晶粒細化的強效AlTiC-B系納米晶種材料。
Al-P系納米晶種：①節能減排：與傳統工藝相比，避免了P2O5有毒氣體排放，簡化工序，節能降耗。②產品質量提升：實現了初晶硅尺度及構型高效調控，鋁活塞鑄件抗拉強度提升0%，體積穩定性和可靠性顯著提高。③高純化：可將鋁熔體中Ca、Na、Sr含量分別由22 ppm、14ppm、14 ppm降低至1 ppm以下。
AlTiC-B系納米晶種：①解決了Si、Zr細化“中毒”等難題，有效調控基體相。②提升了Al-Cu系鋁熔體的流動性，解決了熱裂、澆不足等行業難題。③提升了鑄件性能：與傳統Al-Ti-B相比，使A356合金屈服強度提高15%，延伸率提高37%；使2024合金抗拉強度由398MPa提升至550MPa，延伸率由9.8%提升至15.5%。
獲獎情況:2016年度山東省技術發明一等獎，納米晶種合金系列產品與耐熱高強輕金屬材料的創制及應用2009年度山東省技術發明二等獎，硅-磷和鋁-磷合金研制與發動機活塞材料強化新技術2005年度山東省科技進步二等獎，富磷富碳中間合金的研究與應用2004年度教育部技術發明二等獎，高效Al-P中間合金及其變質處理
山東大學
2021-05-11
納米晶氮碳化鈦陶瓷超細粉的高溫碳氮化制備法
一種納米晶氮碳化鈦陶瓷超細粉的高溫碳氮化反應制備法,以納米氧化鈦和納米碳黑為原料,工藝步驟依次為配料、混料、干燥、裝料、高溫碳氮化、球磨、過篩。此法工藝簡單,成本較低,較一般碳熱還原法節約能源,容易實現規模化工業生產。通過控制反應溫度、保溫時間、氮氣壓力(或流量)、碳鈦配比等工藝因素可以合成各種氮含量的氮碳化鈦納米晶超細粉。用此法制備的氮碳化鈦粉末為球形,分散性較好,平均粒度為100～200NM,平均晶粒度為20～50NM,純度達99%以上。
四川大學
2021-04-11