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一種大量程范圍的折射
率
測量裝置及方法
本發明公開了一種折射率測量裝置,包括:單色角點光源照明 模塊,用于產生進行測量的兩束光束;參考光路模塊,其中一束作為 參考光入射到該參考光路模塊中,經全反射后出射帶有原始光場信息 的參考信息光;探測模塊,其與待測物接觸形成介質面,另一束光束 作為探測光入射到探測模塊并經介質面反射后出射耦合有待測物質折 射率信息的探測信息光;反射光能量收集模塊,分別接收參考信息光 和探測信息光,并轉換為電信號;以及圖像處理模塊,其對兩
華中科技大學
2021-04-14
一種基于近景攝影測量技術的半孔
率
統計方法
本發明公開了一種基于近景攝影測量技術的半孔率統計方法,采用近景攝影技術對爆后臺階預裂面 和光爆面進行快速非接觸測量,獲取預裂面和光爆面空間三維信息,建立臺階面三維 DEM 模型。通過 影像識別技術,劃分預裂孔和光爆孔的孔痕,并根據孔痕在預裂面和光爆面上的不平整度來劃分每一個 炮孔半孔的長度。統計所有炮孔的半孔信息,計算得出評價此次爆破效果的半孔率。優點是:本發明可 以極大地提高半孔率的統計精度,減小統計誤差,降低作業成本;采用數字近景攝影測量技術,可以獲 取更加完整的預裂面和光爆面信息,有利于爆區信息的存儲,同時也可以提高預裂和光爆效果評價的可 靠度
武漢大學
2021-04-13
巖心含油
率
2MHz核磁共振巖心分析儀
產品詳細介紹產品簡介: MicroMR系列2MHz核磁共振巖心分析儀是一款經典的巖心孔滲飽分析設備,可滿足石油勘探領域的孔隙度、滲透率、飽和度、可動流體飽和度、束縛流體飽和度等相關分析測試,測量結果客觀真實、精準度高、重復性好,儀器性能穩定,性價比高。技術指標:1、磁體類型:永磁體;2、磁場強度磁場強度:0.055±0.01T,儀器主頻率約:2MHz;3、探頭線圈直徑:25.4mm;應用解決方案:常規巖心孔隙結構及流體飽和度;應用案例一:玻璃珠孔隙模型測試(不同飽和度下T2弛豫圖譜分析)應用案例二:核磁共振T2圖譜與巖樣孔喉分布注:儀器外觀如有變動,以產品技術資料為準。
上海紐邁電子科技有限公司
2021-08-23
美國ThermoORION Star系列PH/ORP/ISE溶解氧/電導
率
儀
產品詳細介紹
廣州市博勒泰貿易有限公司
2021-08-23
梅特勒便攜式電導
率
儀FG3-B
產品詳細介紹 FiveGo 便攜式電導率儀參數與功能: 電導率:0.00us/cm~199.9ms/cm ; 總固體溶解量:0.00mg/L~199.9g/L ; 溫度:0~100℃; 自動終點鎖定;3種預設標準液;30組數據儲存,IP54防塵防水。 FiveGo pH 計主機,IP54套件,腕帶,電極夾,電池,操作手冊,快速指南等,不含電極
武漢宏錦
2021-08-23
ZT-P01砂石含水
率
便攜式監測儀
本產品主要用于砂石進廠時快速檢測含水率,便于材料扣點;亦可在實驗室中進行使用。 用戶按照本產品的操作手冊將待檢測的材料置于檢測區域內,本產品能夠迅速檢測出其合水率并顯示出來,提高了檢測效率,減少實驗人員的工作量,降低了勞動力成本。
中山艾尚智同信息科技有限公司
2021-11-01
一種碳納米球/NiCo2
O
4復合材料及其制備方法與應用
本發明涉及一種用于鋰離子電池、超級電容器的高能量密度的碳納米球/NiCo2O4 復合材料及其制備 方法與應用,所述的碳納米球/NiCo2O4 復合材料是粒徑為 100-300nm 的核殼結構納米微球,其內層是粒 徑為 50-200nm 的碳納米球,外層是厚度為 20~100nm 的 NiCo2O4 包覆層。其制備方法為:先將粒徑為 50-200nm 的碳納米球與油酸鈉混合后超聲分散均勻;然后加入弱堿、Co2+和 Ni2+,混合均勻后水熱處 理得
武漢大學
2021-04-14
一種 SiO2@MgSi0.84
O
2.68 核殼結構吸附劑及其制備方法和
本發明公開了一種 SiO2@MgSi0.84O2.68 核殼結構吸附劑及其制備方法和應用,將硅溶膠與活性氧化鎂按質量比 SiO2:MgO=5:1 混合均勻,加水攪拌至糊狀,再加入球形 SiO2 和水繼續攪拌,然后于旋轉攪拌機中以 1800rpm 的轉速攪拌 20min,120°C烘干,最后將干燥
武漢大學
2021-04-14
低成本非真空銅銦硒(CIGS)
薄膜
太陽電池制造技術
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高,無衰退、抗幅射、壽命長等特點,采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本,預計可達到0.3$/W。 本項目產品結構為:襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體,其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層,構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴,被 p-n 結的自建電場分離,從而輸出電能。工藝流程:普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理(RTP)→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積,等。
南開大學
2021-02-01
低成本非真空銅銦硒(CIGS)
薄膜
太陽電池制造技術
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高,無衰退、抗幅射、壽命長等特 點,采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本,預計可達到 0.3$/W。 本項目產品結構為:襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體,其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層,構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池 上產生電子與空穴,被 p-n 結的自建電場分離,從而輸出電能。工藝 流程:普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理(RTP)→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積,等。
南開大學
2021-04-11
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