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一種米粒狀Fe2O3納米粉末的制備方法
（專利號：ZL 201410445750.X） 簡介：本發(fā)明公開了一種米粒狀α-Fe2O3納米粉末的制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法首先采用Fe2(SO4)3和NaOH為原材料、十六烷基三甲基溴化銨(C19H42BrN)為表面活性劑，水熱法制備針狀的FeOOH粉末；然后將FeOOH粉末在馬弗爐中以10℃/min的升溫速率從室溫升到1000℃后直接冷卻，即得米粒狀的α-Fe2O3納米粉末。采用該方法所制備的α-Fe2O3呈現(xiàn)較為均
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
一種米粒狀Fe2O3納米粉末的制備方法
（專利號：ZL 201410445750.X） 簡介：本發(fā)明公開了一種米粒狀α-Fe2O3納米粉末的制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法首先采用Fe2(SO4)3和NaOH為原材料、十六烷基三甲基溴化銨(C19H42BrN)為表面活性劑，水熱法制備針狀的FeOOH粉末；然后將FeOOH粉末在馬弗爐中以10℃/min的升溫速率從室溫升到1000℃后直接冷卻，即得米粒狀的α-Fe2O3納米粉末。采用該方法所制備的α-Fe2O3呈現(xiàn)較為均
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點(diǎn)的全新二維半導(dǎo)體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應(yīng)晶體管器件、量子輸運(yùn)和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(yīng)(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達(dá)~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應(yīng)時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。
北京大學(xué)
2021-04-11
一種提高尖晶石鈷鐵氧體CoFe2O4矯頑力的方法
（專利號：ZL 201410446600.0） 簡介：本發(fā)明公開了一種可以顯著提高尖晶石CoFe2O4鐵氧體矯頑力的方法，屬于鐵氧體材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法利用水熱法分別制備CoFe2O4和SrFe12O19納米粉末，然后將少量SrFe12O19納米粉末(質(zhì)量比6％～10％)摻入CoFe2O4鐵氧體，均勻混合、壓片后在700℃～900℃的溫度下燒結(jié)2h。該方法利用了CoFe2O4和SrFe12O19兩納米晶相之間的交換耦合作用以及SrFe
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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智能控溫節(jié)能氧化釩（VO2）薄膜的制備
成果介紹智能控溫薄膜可以實(shí)現(xiàn)高溫下對紅外線的反射和低溫下對紅外線的透射，是一種無需能源的智能空調(diào)。技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)室溫可用（20℃-40℃）節(jié)能減排（無需能源）滿足了實(shí)時反饋的需求滿足了溫度控制的需求提出了在室溫下實(shí)現(xiàn)智能變色的可能性
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種多層柔性薄膜的剝離裝置及剝離方法
一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為 圓角多邊形的柱狀結(jié)構(gòu)，具有多個不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝 離面，使用時可根據(jù)不同的薄膜選擇不同剝離面進(jìn)行剝離加工，無須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進(jìn)一步運(yùn)用剝離刀的 幾何參數(shù)與剝離效果的關(guān)系理論，設(shè)計優(yōu)化得到最優(yōu)的剝離刀結(jié)構(gòu)， 得到最佳的剝離質(zhì)量和剝離效率，剝離裝置結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉，在 大面積柔性器件的封裝領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應(yīng)用，其中 該光子晶體水凝膠薄膜包括聚丙烯酰胺凝膠、以及分布在該聚丙烯酰 胺凝膠內(nèi)的 Fe3O4@C 納米粒子，其中所述 Fe3O4@C 納米粒子為 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的納米粒子，所述 Fe3O4@C 納米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝膠中沿某一方向呈鏈狀排列，該 Fe3O4@C 納米粒子 在該光子晶體水凝膠薄膜中的濃度為 1～50mg/mL。本發(fā)明通過對光子 晶體
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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一種Sn摻雜CrO2薄膜及其制備方法
小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應(yīng)用前景，然而，其化學(xué)性質(zhì)不夠穩(wěn)定，即使在室溫下也容易轉(zhuǎn)化為Cr2O3。本發(fā)明采用SnI4和CrO3作為前驅(qū)物，通過化學(xué)氣相沉積(CVD）成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜，使薄膜的熱穩(wěn)定性大大提升，從而解決了CrO2薄膜穩(wěn)定性的問題。
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法，屬于半導(dǎo)體光電材料與薄膜太陽能電池制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有化合物薄膜太陽能電池中所需材料在地殼中含量較少、價格昂貴、對人體有毒的問題。本發(fā)明的化合物薄膜太陽能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發(fā)明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高品質(zhì)大尺寸微波單晶石榴石薄膜材料
本項(xiàng)目共包括10項(xiàng)授權(quán)專利，其中高品質(zhì)微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項(xiàng)專利技術(shù)，同時將這種單晶薄膜應(yīng)用在微波器件/結(jié)構(gòu)、太赫茲結(jié)構(gòu)/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項(xiàng)專利技術(shù)。本項(xiàng)目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進(jìn)口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國第一條大尺寸磁
電子科技大學(xué)
2021-04-14