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產品詳細介紹 ZYT—DDC 單人單面紫外誘變臺（垂直）   這是一種供單人操作的通用型局部凈化設備，氣流形式為垂直層流，它可造就局部高清潔度空氣環境，同時又具備紫外誘變技術功能對生物研究、科技育種、科研制藥、農業科技等部門，紫外誘變臺是您最好的助手。 特點： 1、操作區為全不銹鋼。 2、外型美觀結構合理。 3、采用自定們上下推拉門系統。 4、風量可調，雙側電源插座。 5、紫外線單個控制，時間定時功能。 技術指標：   型號 ZYT--DDC 外形尺寸 900×800×1630 工作臺尺寸 870×650×570 潔凈等級 100級@≥0.5ｕm(美聯邦209E) 平均風速 0.3—0.5m/s(可調) 噪音 ≤65dB(A) 振動 XYZ方向≤2ｕm 照明燈具 20W*1 感光燈 20W*1  紫外燈 主峰波長254NM  15W*3 紫外燈 主峰波長285NM  15W*3 電源 220V  50HZ 消耗功率 450W 備注 不銹鋼臺面，雙側電源，上下推拉門  

基于磁致伸縮扭轉波檢測導磁構件缺陷的裝置，屬于超聲波無損檢測裝置，目的在于克服縱向模式導波衰減較大，存在明顯頻散效應的不足，檢測時無須對構件表面進行處理。本發明包括脈沖信號發生器、功率放大器、磁致伸縮扭轉波傳感器、信號預處理器、A/D 轉換器以及計算機；磁致伸縮扭轉波傳感器包括激勵單元和接收單元。計算機控制脈沖信號的產生，經功率放大器放大，通過激勵單元在構件中產生扭轉波，接收單元接收構件中傳播的扭轉波，經信號預處理器處理，通過 A/D 轉換器轉換為數字信號，通過計算機處理獲得構件的缺陷信息。本發明可

FCP磁場控制平臺產品概述： FCP磁場控制平臺是根據磁控原理設計的理想磁測量系統，磁場范圍超過3T，利用TESTIK475高斯計穩定磁場控制，適合各系列電磁鐵配置，連續可變的電磁氣隙，實心的和光學入口極帽，線型雙極，真實四象限電磁鐵電源。 FCP磁場控制平臺磁測量系統磁光測量儀器 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ TESTIK475型高斯計努力保持確切的磁場密度，用戶輸入的控制設定點，用G、T、Oe、A/m來表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場控制平臺集成了硬件和控制部件來形成一個變化的磁場平臺，可以被獨立的被利用或做為用戶設計的測量系統的一個基礎。FCP磁場控制平臺磁測量系統磁光測量儀器 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ FCP磁場控制平臺標準配置： TESTIK475有1個計算機接口：RS-232串口:。這個接口可以設置所有儀器參數和測量值得讀回。在磁場控制期間，接口的讀數率是額定每秒30個讀數。475的LabVIEW驅動是提供的（選配）。磁場控制平臺不含應用軟件。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。    

電流變液在具有廣泛的應用前景，但是目前的巨電流變液采用極性分子包覆的方法，壽命很短，無實 數值孔徑是光學透鏡最重要的基本參量，衡量著光學系統的收集光子能力。對于顯微物鏡，數值孔徑 用價值。本項目已制備出納米碳鑲嵌在二氧化鈦表面的顆粒，與硅油混合后得到屈服強度高、漏電流低、 越大，成像光斑越小，成像細節越清晰。常規油浸物鏡由于采用了特殊的高折射率匹配液，在高分辨率成 壽命長、溫度穩定性好的電流變液，達到實用的水平。計劃擴大生產量，并將電流變液應用在阻尼器上， 像和浸潤式光刻中更被廣泛應用。超構表面結構是一種具有橫向亞波長尺度的微納光學結構，可以在不 實現實用化。

以混合自適應人工智能優化程序設計出亞波長單晶硅超構表面結構，實現了相位的精確控制并減小了單晶硅結構在可見光的吸收。進一步使用該結構演示了浸鏡油浸沒下數值孔徑為1.48的高透過率超構光學透鏡。

中協高靈敏擴聲系統融合了二合一桌麥、新型隱藏麥、吊麥、手持麥和手機麥多種擴聲手段，融合先進的高靈敏擴聲技術，拾音距離廣，為高校教學創造更加高效、便捷、靈活的擴聲環境，有效滿足現代教學對聲音處理的需求。

中國科學技術大學李曉光團隊在前期研究基礎上，基于鐵電隧道結量子隧穿效應，實現了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構建存算一體人工神經網絡，該成果在線發表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）。基于隧道結能帶的設計，以及其對阻變速度、開關比、操作電壓的調控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機械硬盤的速度約為1ms, 固態硬盤的約為1-10ms）、開關比達2個數量級，且其600ps的阻變速度在85℃時依然穩定（工業測試標準）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態；寫入的信息預計可在室溫穩定保持約100年；可重復擦寫次數達108-109次，遠超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環境下仍能進行信息的寫入，可實現高溫緊急情況備用。

本發明公開了一種基于超材料的遠紅外單譜信號探測器，包括·798·自下而上依次設置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極。超材料層為具有周期性微納米結構的金屬開環共振單元陣列，所述金屬開環共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數，該圖形對于遠紅外電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環共振單元的結構和尺寸參數可以調控對應的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可

本發明公開了一種基于超材料的太赫茲單譜信號探測器，包括自下而上依次設置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結構的金屬開環共振單元陣列，金屬開環共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數，該圖形對于太赫茲電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環共振單元的結構和尺寸參數可以調控對應的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調控超材料層中金屬開環