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本實(shí)用新型公開了一種磁約束脈沖渦流傳感器，包括底座、永磁體、激勵(lì)線圈、接收線圈、航空插座和端蓋，其中底座呈上端開口下端封閉的筒體，且其開口端由端蓋予以封閉；永磁體呈圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其上下端面為磁極且極性相反，同軸設(shè)置在底座的底部；接收線圈同軸設(shè)置在永磁體的內(nèi)部，它的內(nèi)部繼續(xù)同軸設(shè)置激勵(lì)線圈；航空插座設(shè)置在端蓋上部，并分別用于實(shí)現(xiàn)激勵(lì)線圈和接收線圈與外部之間的電連接。通過本實(shí)用新型，能夠有效克服現(xiàn)有技術(shù)檢測靈敏度不高的缺點(diǎn)，同時(shí)具備結(jié)構(gòu)緊湊、便于操控和發(fā)熱量低等特點(diǎn)。

本實(shí)用新型公開了一種高溫超導(dǎo)線圈磁通泵設(shè)備，包括磁路、三相電繞組、直流電線圈、超導(dǎo)線圈定子和超導(dǎo)線圈，磁路首尾相連形成封閉線路，并依次被分為第一段、第二段、第三段和第四段，第一段和第三段上下對(duì)應(yīng)設(shè)置，第二段和第四段左右對(duì)應(yīng)設(shè)置，第一段上設(shè)有線圈繞槽，線圈繞槽位于磁路構(gòu)成的封閉線路內(nèi)側(cè)，三相電繞組繞制在線圈繞槽上，直流電線圈分別設(shè)置在磁路的第二段和第四段上，超導(dǎo)線圈設(shè)置在磁路外側(cè)與超導(dǎo)線圈定子相連并形成閉合回路，磁路的第三段從超導(dǎo)線圈定子與超導(dǎo)線圈構(gòu)成的封閉回路內(nèi)側(cè)穿過。解決高溫超導(dǎo)磁體在持續(xù)電流模式下運(yùn)行的難題，同時(shí)解決高溫超導(dǎo)磁體直流電源設(shè)備昂貴，制冷系統(tǒng)負(fù)擔(dān)大，制冷成本高的問題。

?電與磁實(shí)驗(yàn)箱 本套小學(xué)科學(xué)實(shí)驗(yàn)箱以國家最新修訂的科學(xué)課程標(biāo)準(zhǔn)為藍(lán)本。整合全國7套主要科學(xué)教材，使得這套小學(xué)科學(xué)實(shí)驗(yàn)箱可以在最大程度上滿足不同地區(qū)學(xué)校的科學(xué)實(shí)驗(yàn)需要。 實(shí)驗(yàn)箱分為教師用和學(xué)生用兩套，分別滿足老師教學(xué)需要和學(xué)生學(xué)習(xí)要求，同時(shí)加強(qiáng)了兩者之間的互動(dòng)，更加開放、更加靈動(dòng)、更加人性化。學(xué)生是科學(xué)學(xué)習(xí)的主體，這套實(shí)驗(yàn)箱滿足了基礎(chǔ)科學(xué)實(shí)驗(yàn)，以探究為核心，注重探究的過程，提高學(xué)生學(xué)習(xí)科學(xué)的樂趣，增強(qiáng)科學(xué)探究的能力，這樣在獲取科學(xué)知識(shí)的同時(shí)學(xué)會(huì)尊重事實(shí)，善于質(zhì)疑的科學(xué)態(tài)度。 箱子采用的是專業(yè)的儀器箱，特殊材料制造，結(jié)實(shí)耐用，并搭配專業(yè)的儀器箱架，方便管理和收納。并配備多種的顏色搭配不同的試驗(yàn)項(xiàng)目，減少做實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)備時(shí)間。 這套實(shí)驗(yàn)箱可以完成電與磁相結(jié)合的多組實(shí)驗(yàn)。 更多科學(xué)實(shí)驗(yàn)箱產(chǎn)品詳見上海東方教具有限公司網(wǎng)站http://www.dftco.net/

軟磁復(fù)合材料的共性技術(shù)研發(fā)難題，有關(guān)軟磁復(fù)合材料及應(yīng)用領(lǐng)域的人才

由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過了中國電子學(xué)會(huì)組織的現(xiàn)場鑒定。 由中國工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來自中國移動(dòng)、信通院、華為、中興、大唐電信和國內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會(huì)對(duì)該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場鑒定并給予了高度評(píng)價(jià)，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來無線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢，但其輸出功率相對(duì)較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過長達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問題。

本發(fā)明公開了提供的一種用于復(fù)合波片光軸對(duì)準(zhǔn)的裝夾裝置，該裝置包括電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)、固定波片卡盤和旋轉(zhuǎn)波片卡盤；波片支架安裝在電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)，固定波片卡盤與電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)基座連在一起，旋轉(zhuǎn)波片卡盤與電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)盤連在一起，使用時(shí)，將安裝有晶片的波片支架安裝在固定波片卡盤和旋轉(zhuǎn)波片卡盤上。本發(fā)明提供的裝夾裝置可以實(shí)現(xiàn)在對(duì)復(fù)合波片光軸進(jìn)行高精度對(duì)準(zhǔn)時(shí)，對(duì)組成復(fù)合波片的各晶片進(jìn)行夾持，并保證不同晶片間能產(chǎn)生高精度高分辨率的相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)。與現(xiàn)有波片夾具相比，本發(fā)明所提供的裝夾裝置不僅能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)兩片晶片的夾持和精確定位，而且能夠使兩片晶片間產(chǎn)生高精度高分辨率地相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)，更適合用于復(fù)合波片光軸的對(duì)準(zhǔn)過程。

本發(fā)明公開了一種具有良好吸波性能的納米晶稀土鐵基吸波材料及其制備方法，該材料的特征在于 將配比為重量百分比為2％～70％稀土元素與5％～98％的鐵以及少量摻雜元素熔煉成稀土-鐵基合金，再在 0-700℃的溫度范圍內(nèi)與氫氣反應(yīng)(氫爆方法)破碎成細(xì)小粉末或球磨成細(xì)小粉末，然后在100℃-1000℃ 溫度范圍內(nèi)與氫氣反應(yīng)生成主相為稀土氫化物(RHx)和α-Fe的復(fù)合材料，最后將上述復(fù)合材料在低溫 氧化或氮化或氮化加氧化，制備出稀土氧化物或氮化物/α-Fe為主的復(fù)合材料。這種材料具有吸波性能好， 屏蔽波段寬，耐腐蝕，抗氧化以及價(jià)格低廉的特點(diǎn)，可用于建筑電磁屏蔽、信息及通訊技術(shù)保密、軍事隱 身技術(shù)等領(lǐng)域。

本發(fā)明公開了一種高增益低副瓣的毫米波封裝天線，包括引線框架，引線框架上設(shè)有毫米波IC芯片和毫米波天線，毫米波IC芯片與毫米波天線之間實(shí)現(xiàn)高頻互連，還包括封裝罩，封裝罩將毫米波IC芯片與毫米波天線密封在引線框架內(nèi)，毫米波天線包括輻射單元，封裝罩上對(duì)應(yīng)毫米波天線輻射單元的位置處設(shè)有喇叭狀凹槽，喇叭狀凹槽的槽壁表面被金屬覆蓋。本發(fā)明通過在封裝罩上設(shè)計(jì)喇叭狀凹槽，能夠有效提升天線的增益，降低天線的副瓣電平，并且不影響回波損耗性能，從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、低成本和高性能的毫米波封裝天線。

本發(fā)明公開了一種電力系統(tǒng)故障錄波回放方法，采用雙 Picturebox 交互繪圖，其中畫布 Picturebox1 用于繪制波形圖， Picturebox2 用于繪制放大矩形框和定位光標(biāo)，并且采用雙緩沖技術(shù)， 在繪制多面板、多通道時(shí)，先將所有面板繪制在緩沖區(qū)里，然后一次 性在 Picturebox 上繪制；顯示全局圖時(shí)，減小采樣率；查看局部時(shí)， 按真實(shí)采樣點(diǎn)數(shù)繪制；波形放大平移后，只繪制用戶可見時(shí)間區(qū)間內(nèi) 的點(diǎn)。這樣可以避免在繪制放大矩形框或拖動(dòng)光標(biāo)時(shí)不斷重繪波形圖， 提高流暢度。