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本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn) TD-LTE-Advanced 中多流波束賦形的方法，包括：從 TD-LTE-Advanced 基站的上行探測(cè)參考信號(hào)獲取 4×8的信道矩陣，將信道矩陣 A1進(jìn)行分解，以得到兩個(gè) 4×4子信道矩陣，對(duì)每個(gè)子信道矩陣進(jìn)行 Household 變換，以生成上Hessenberg 矩陣，對(duì)上 Hessenberg 矩陣 J(1)進(jìn)行 Givens 旋轉(zhuǎn)，以將該矩陣 J(1)變換成對(duì)角矩陣，重復(fù)上述運(yùn)算達(dá)至少 5 次，其中上一次計(jì)算得到的矩陣又會(huì)作為下一次計(jì)算中所使用的Hessenberg 矩陣，將得到的右乘 Household 變換矩陣和得到的右乘Givens 矩陣疊乘，以得到一個(gè) 4*4 的矩陣。利用最大比傳輸算法對(duì)生成的矩陣 V 的每一列進(jìn)行加權(quán)處理，以生成最終的波束賦形權(quán)矢量。本發(fā)明能夠克服現(xiàn)有 EBB 算法的不足，準(zhǔn)確地計(jì)算多流波束賦形權(quán)矢量，并有效降低誤碼率。

成果描述：本發(fā)明公開一種浮置板軌道系統(tǒng)中的隔振器及其工作參數(shù)的確定方法，位于浮置板軌道系統(tǒng)的浮置板與軌道基礎(chǔ)之間，包括并行設(shè)置的鋼彈簧、阻尼液和可控庫侖阻尼件；在不考慮庫侖阻尼的情況下，建立車輛?浮置板軌道耦合動(dòng)力學(xué)時(shí)域分析模型，以浮置板和鋼軌最大垂向振動(dòng)位移為控制指標(biāo)，確定不考慮庫侖阻尼時(shí)的浮置板最小支承剛度Ka，再結(jié)合不考慮庫侖阻尼時(shí)浮置板最小支承剛度工況下的浮置板垂向振動(dòng)位移時(shí)程曲線特征，確定浮置板的位移閾值，確定庫侖阻尼力大小及其工作時(shí)段，最后，運(yùn)用車輛?可控庫侖阻尼隔振器浮置板軌道耦合動(dòng)力學(xué)時(shí)域分析模型，算出有庫侖阻尼情況下的浮置板最小支承剛度Kb。可以有效提高傳統(tǒng)鋼彈簧浮置板軌道的隔振效率。市場(chǎng)前景分析：軌道交通基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)領(lǐng)域。與同類成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：技術(shù)先進(jìn)，性價(jià)比較高。

本發(fā)明公開一種浮置板軌道系統(tǒng)中的隔振器及其工作參數(shù)的確定方法，位于浮置板軌道系統(tǒng)的浮置板與軌道基礎(chǔ)之間，包括并行設(shè)置的鋼彈簧、阻尼液和可控庫侖阻尼件；在不考慮庫侖阻尼的情況下，建立車輛?浮置板軌道耦合動(dòng)力學(xué)時(shí)域分析模型，以浮置板和鋼軌最大垂向振動(dòng)位移為控制指標(biāo)，確定不考慮庫侖阻尼時(shí)的浮置板最小支承剛度Ka，再結(jié)合不考慮庫侖阻尼時(shí)浮置板最小支承剛度工況下的浮置板垂向振動(dòng)位移時(shí)程曲線特征，確定浮置板的位移閾值，確定庫侖阻尼力大小及其工作時(shí)段，最后，運(yùn)用車輛?可控庫侖阻尼隔振器浮置板軌道耦合動(dòng)力學(xué)時(shí)域分析模型，算出有庫侖阻尼情況下的浮置板最小支承剛度Kb。可以有效提高傳統(tǒng)鋼彈簧浮置板軌道的隔振效率。

本發(fā)明公開了一種測(cè)量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達(dá)系統(tǒng)。該系統(tǒng)由發(fā)射單本發(fā)明 公開一種分辨 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的雙光柵光譜儀系統(tǒng)。包括信號(hào)饋入單元、光學(xué)色散單元和信號(hào)檢 測(cè)單元。信號(hào)饋入單元采用集束光纖將傳導(dǎo)的信號(hào)光饋入光學(xué)色散單元;光學(xué)色散單元包含兩組級(jí)聯(lián)的 準(zhǔn) Littrow 結(jié)構(gòu)布局的單光柵色散系統(tǒng);信號(hào)檢測(cè)單元分辨與記錄色散后的通帶范圍內(nèi)譜信號(hào)。在波長(zhǎng) 354.8nm 紫外激光輻射下，由 N2 分子產(chǎn)生的 Stokes 振轉(zhuǎn) Raman 譜中心波長(zhǎng)為 386.8nm，對(duì)稱分布在兩 側(cè)的 O 支與 S 支譜各譜線在頻譜上等間距;本發(fā)明能提取 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜 O 支及 S 支各分立譜 線信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì) N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的分辨與檢測(cè)，同時(shí)能對(duì) 354.8nm 附近光信號(hào)產(chǎn)生大幅抑制。

本發(fā)明公開了雙邊LCC網(wǎng)絡(luò)的WPT系統(tǒng)恒流恒壓輸出可調(diào)的參數(shù)設(shè)置方法，屬于無線電能傳輸?shù)募夹g(shù)領(lǐng)域。該方法通過設(shè)置一組LCC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)和輸入電壓值，在給定變壓器參數(shù)情況下，無需改變電路結(jié)構(gòu)和參數(shù)，調(diào)整不同的工作頻率即可實(shí)現(xiàn)所需的恒流輸出或恒壓輸出，滿足電池充電需求，系統(tǒng)無論恒流輸出還是恒壓輸出一直能夠?qū)崿F(xiàn)輸入近似零無功功率，減小器件應(yīng)力，同時(shí)實(shí)現(xiàn)開關(guān)器件軟開關(guān)，提高傳輸效率，輸出恒流或恒壓可調(diào)，靈活性高，減少對(duì)變壓器參數(shù)的依賴，避免后級(jí)變換器的二次調(diào)壓或調(diào)流，簡(jiǎn)化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高效率。

本發(fā)明公開了一種用于捕獲循環(huán)腫瘤細(xì)胞的微流道結(jié)構(gòu)及其制 造方法，該方法包括：（1）在單晶硅片表面勻膠、光刻得到光刻膠掩膜；（2）基于光刻膠掩膜，使用感應(yīng)耦合等離子體反應(yīng)刻蝕技術(shù) ICP 在單晶硅片上刻蝕出微米級(jí)別的凹槽及槽內(nèi)均勻分布的硅微米柱陣 列；（3）在微米柱表面制備納米線陣列；（4）對(duì)凹槽進(jìn)行封裝。按 照本發(fā)明，可以獲得一種用于循環(huán)腫瘤細(xì)胞檢測(cè)的微納復(fù)合微流道結(jié) 構(gòu)，這種檢測(cè)結(jié)構(gòu)具有靈敏度高、效率高等特點(diǎn)。