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本發(fā)明公開了一種基于雙層熱電堆結(jié)構(gòu)的風速風向傳感器及檢測方法，該傳感器結(jié)構(gòu)簡單，且易于測量，具有高靈敏度。所述基于雙層熱電堆結(jié)構(gòu)的風速風向傳感器，所述風速風向傳感器包括硅襯底、位于硅襯底上方的二氧化硅層，以及位于二氧化硅層中的加熱電阻、上層熱電堆組和下層熱電堆組；上層熱電堆組和下層熱電堆組上下布設(shè)；加熱電阻分別與第一加熱電阻接觸塊和第二加熱電阻接觸塊連接。

本發(fā)明公開了一種寬帶小型化基片集成同軸線壓控諧振器，包括從上往下依次層疊的第一金屬層、第一介質(zhì)層、第二金屬層、第二介質(zhì)層、第三金屬層、第三介質(zhì)層和第四金屬層。本發(fā)明可以實現(xiàn)對諧振頻率的寬調(diào)諧功能，同時，與相同結(jié)構(gòu)的微帶、基片集成波導結(jié)構(gòu)相比，實現(xiàn)了結(jié)構(gòu)的小型化，這就使得以基片集成同軸線諧振器為基礎(chǔ)的濾波器或者振蕩器實現(xiàn)寬調(diào)諧和小型化成為可能。

本發(fā)明公開了一種基于多傳感器技術(shù)的葡萄水分脅迫診斷方法及系統(tǒng)，方法包括以下步驟：（1）采集建模葡萄樣本的冠層覆蓋率值、冠層溫度特征值和冠層光合有效輻射值；（2）以冠層覆蓋率值、冠層溫度特征值和冠層光合有效輻射值為輸入變量，冠層水分脅迫等級為輸出變量建立檢測模型；（3）按照步驟（1）的方法采集待測葡萄樣本的冠層覆蓋率值、冠層溫度特征值和冠層光合有效輻射值，代入檢測模型計算出待測葡萄樣本的冠層水分脅迫等級。本發(fā)明通過引入多光譜成像技術(shù)、熱紅外成像技術(shù)以及多信息的數(shù)據(jù)融合技術(shù)，可實現(xiàn)葡萄水分脅迫程度的早期、快速、實時檢測，提高檢測精度。

本發(fā)明公開了一種微氣泡發(fā)生器，包括氣泡噴口、流體芯、外殼和端蓋；所述的外殼或端蓋上開設(shè)有進水口。流體芯呈中空梭形結(jié)構(gòu)，且在橫截面直徑最大處環(huán)繞開設(shè)有排氣孔；流體芯放置于氣泡發(fā)生器外殼內(nèi)；外殼一端由端蓋密封，另一端為與外界相連的氣泡噴口?；跀U壓破碎技術(shù)的萬噸級船舶微氣泡發(fā)生裝置，包括進水管、過濾裝置、水泵、連接軟管、微氣泡發(fā)生器、進氣管和鼓風機；進水管與水泵相連，且進水管上設(shè)有過濾裝置；水泵通過連接軟管與微氣泡發(fā)生器的進水口相連；微氣泡發(fā)生器的進氣口通過進氣管與鼓風機相連。本發(fā)明克服了現(xiàn)有氣幕減阻技術(shù)中存在的難以同時滿足氣泡直徑小和氣量大以及制造成本高、制造困難的問題。

本芯片采用動態(tài)追蹤算法等專利技術(shù),可以高效能的對生物電信號及物聯(lián)網(wǎng)(LoT)中傳感器信號進行模數(shù)轉(zhuǎn)換,適合便攜式傳感器設(shè)備中ADC的需求。同時,芯片集成了對心電信號特征參數(shù)提取處理模塊,用最小的設(shè)計開銷達到便攜式心電信號監(jiān)護設(shè)備的基本要求。

本發(fā)明公開了一種壓力傳感器，包括襯底、薄膜、永磁體、金屬線圈和導體懸臂梁，永磁體固定連接在襯底的底面，襯底的上部設(shè)有空腔，薄膜生長在襯底的頂面，且薄膜覆蓋在空腔的上方；金屬線圈固定連接在薄膜的頂面，導體懸臂梁固定連接在襯底的頂面，且導體懸臂梁位于金屬線圈上方。該壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡單，且利用電磁原理實現(xiàn)壓力測量，過程簡單。同時，本發(fā)明還提供壓力傳感器的工作方法，易于實現(xiàn)。

本發(fā)明屬于流化床和多相流領(lǐng)域，特別涉及一種強化載氧體氧化再生的化學鏈燃燒空氣反應器；包括反應室、第一提升管、復合式內(nèi)構(gòu)件和第二提升管；所述反應室的側(cè)壁設(shè)置給料口，底部設(shè)置空氣入口；所述反應室和第一提升管之間采用第一漸縮管連接；所述第一提升管與第二提升管之間安裝有復合式內(nèi)構(gòu)件；所述復合式內(nèi)構(gòu)件包括第二漸縮管、環(huán)形內(nèi)構(gòu)件、導向管、支撐板和傾斜式環(huán)形內(nèi)構(gòu)件；解決了現(xiàn)有技術(shù)中提升管內(nèi)載氧體徑向分布不均、氧化再生效率不高的問題，可以有效延長載氧體的停留時間，提高大粒徑載氧體的氧化再生效率，從而提高化學鏈燃燒效率。

本項目屬光、機、電、材一體化技術(shù)領(lǐng)域，具有多學科綜合的特點。半導體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單、能將電能直接轉(zhuǎn)換為激光能、功率轉(zhuǎn)換效率高、便于直接調(diào)制、省電等優(yōu)點，因此應用領(lǐng)域日益擴大。半導體激光技術(shù)已成為一種具有巨大吸引力的新興技術(shù)并在工業(yè)中得到了廣泛的應用。高功率半導體泵浦激光器是半導體激光技術(shù)中最具發(fā)展?jié)摿Φ念I(lǐng)域之一。 半導體激光器最大的缺點是激光性能受溫度影響大，光束的發(fā)散角較大。封裝成本占半導體激光器組件成本的一半，封裝技術(shù)不僅直接影響泵浦激光器組件的可靠性，而且直接關(guān)系到泵浦激光器芯片的性能能否充分發(fā)揮。本項目對非致冷高功率980nm泵浦激光器的封裝技術(shù)進行了研究，整個封裝技術(shù)涉及光學、電學、熱學、機械等，精度達微米數(shù)量級。通過采用激光器芯片的倒裝貼片技術(shù)，小型化、全金屬化無膠封裝技術(shù)，最終滿足了光纖放大器對泵浦激光器小體積、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合則采用透鏡光纖直接耦合，最大限度地減小耦合系統(tǒng)的元件數(shù)和相關(guān)損耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用雙光纖光柵波長鎖定技術(shù)，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的邊模抑制比和波長穩(wěn)定性。項目組通過采用這些技術(shù)，最終解決了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關(guān)鍵技術(shù)。 經(jīng)國家光學儀器質(zhì)量監(jiān)督檢測中心測試，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技術(shù)指標如下：    1. 管殼尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作溫度：0-70℃    3. 中心波長：980nm    4. 譜 寬：1nm    5. 閾值電流：24mA    6. 輸出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本項目的研究成果，通過與相關(guān)企業(yè)開展產(chǎn)學研合作，經(jīng)過近五年的技術(shù)研發(fā)和不斷改進，非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關(guān)鍵技術(shù)研究成果已成功應用于相關(guān)產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，為企業(yè)創(chuàng)造了較好的經(jīng)濟效益。在社會效益方面，填補了我國非致冷高功率半導體泵浦激光器方面的不足，對行業(yè)技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級起到了積極的推動作用。 耦合封裝是對精度要求非常高的一系列工藝過程，這注定它很難實現(xiàn)自動化技術(shù)。因此，小型化泵浦激光器封裝技術(shù)的研究成果，特別適合在中國這樣人力成本低且技術(shù)基礎(chǔ)好的環(huán)境。通過對小型化980nm泵浦激光器封裝技術(shù)的研究，實現(xiàn)了封裝技術(shù)的源頭性創(chuàng)新，有助于向其他半導體泵浦激光器和光電器件的耦合封裝拓展。該技術(shù)在光電子器件的應用方面具有廣闊的市場潛力和廣泛的推廣應用前景，將成為形成光電子器件封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要技術(shù)支撐。

本發(fā)明公開了一種集成加熱部件的微型氣敏傳感器的制作工藝，步驟為：①在基底上勻膠和光刻顯影，形成叉指形狀的光刻膠圖形； ②將基底在保護氣氛下進行熱解，形成玻碳叉指電極；③在玻碳叉指 電極上勻膠并光刻顯影；④再次熱解，得到具有氣體敏感材料和加熱 部件的叉指電極氣敏傳感器。本發(fā)明利用光刻和熱解技術(shù)先制作完成 加熱部件和氣敏部分，不需要另外加上檢測電路，以及另外旋涂敏感 材料。本工藝的特點是將氣體敏感材料部分和加熱器件集成為一體， 而且制作的工藝就是常規(guī)的光刻、熱解等工藝，相對于現(xiàn)有的氣敏傳 感器的加熱部件具有尺寸小，耗費能量小，制作簡單的優(yōu)點。 

本發(fā)明公開了一種測量滾動直線導軌與阻尼器間油膜厚度的裝 置，其包括機架，還包括多個支撐滾筒，多個相互平行的支撐滾筒位于機架寬度方向的棱邊上并與之平行，用于支撐其上面的滾動直線導 軌。還包括多個測量單元，其均位于導軌夾具底部，一個測量單元包 括位于導軌夾具底部的磁力座和與磁力座相固定的位移傳感器，位移 傳感器從導軌夾具底部測量滾動直線導軌與其上部阻尼器間的油膜厚 度。本發(fā)明裝置可同時測量多個位置的油膜厚度，其成本低、測量效 率高、操作簡便。