|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
低C/N比城市污水連續流脫氮除磷工藝與過程控制技術
北京工業大學
2021-04-14
TiO2/g-C3N4納米復合物用于可見光產氫
課題組依據共價鍵、靜電吸引力、范德華力三種不同作用力類型，構筑了三類TiO 2
南方科技大學
2021-04-14
一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統
本發明公開了一種測量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達系統。該系統由發射單本發明 公開一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統。包括信號饋入單元、光學色散單元和信號檢 測單元。信號饋入單元采用集束光纖將傳導的信號光饋入光學色散單元;光學色散單元包含兩組級聯的 準 Littrow 結構布局的單光柵色散系統;信號檢測單元分辨與記錄色散后的通帶范圍內譜信號。在波長 354.8nm 紫外激光輻射下，由 N2 分子產生的 Stokes 振轉 Raman 譜中心波長為 386.8nm，對稱分布在兩 側的 O 支與 S 支譜各譜線在頻譜上等間距;本發明能提取 N2 分子振轉 Raman 譜 O 支及 S 支各分立譜 線信號，實現對 N2 分子振轉 Raman 譜的分辨與檢測，同時能對 354.8nm 附近光信號產生大幅抑制。
武漢大學
2021-04-13
提升結晶小分子半導體在n型有機薄膜晶體管柔性方面的研究
該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現了晶粒間的粘合作用。
南方科技大學
2021-04-14
由Egr-1 基因啟動子調控CD/TK 雙自殺基因治療骨肉瘤技術
骨肉瘤是一種青少年常見的惡性骨腫瘤，目前治療手段主要是外科切除加化療，這種治療方式存在很多不足。該課題擬通過放射與基因手段聯合應用進行治療骨肉瘤研究，依據可信，立項充分。自殺基因CD/5-FC 和HSV-TK/GVC 系統基因治療臨床試驗方案已經得到了一定程度地開展，并且取得了不錯的結果，而本課題通過輻射誘導基因Egr-1 啟動子調控雙自殺基因CD/TK，治療骨肉瘤，從一個新的角度開展治療骨肉瘤的研究，立體新穎，如果該方法被驗證可行，將會為骨肉瘤的治療提供一種新的治療手段。該課題組已經構建出GFP 做標志的Egr-1 調控CD/TK 雙自殺融合基因的腺病毒載體pAdEgr-1-CD/TK，而且已經證明其序列正確以及Egr-1 的活性，因此在此基礎上進一步研究其對骨肉瘤的治療效果，實驗方法可行，預計能夠按時完成課題項目。
四川大學
2016-04-26
一種基于子空間融合和一致性約束的準稠密匹配擴展方法
本發明公開了一種基于子空間融合和一致性約束的準稠密匹配擴展方法。首先獲取可靠的種子匹配，在種子匹配周圍選定待擴展區域。然后對區域內的所有待擴展像素點進行稠密 SIFT 特征提取，并通過子空間學習將待擴展點的特征信息和位置信息進行融合。在尋找匹配時，利用一致性約束學習一個局部非剛體變換，該變換與仿射變換·748·等模型相比可以更好地描述非平面復雜場景。每一次擴展完成之后，對擴展結果進行優化，剔除不好的匹配
華中科技大學
2021-04-14
高速鐵路高強度及防污閃型腕臂支撐絕緣子的研制及應用
本成果來自省部級科技計劃項目，2012年獲中國鐵道學會鐵道科技二等獎（主持）。其創新性如下：①首次研究高速條件下電氣化鐵路腕臂支撐絕緣子抗彎強度特性；②首次研究高速條件下過電壓與絕緣子閃絡特性；③首次研究高速條件下絕緣子機械特性與電氣特性之間的內在聯系。經濟指標如下：①給出高速動車組運行條件下絕緣子抗彎強度容量選擇建議值；②高速鐵路過牽引供電系統過電壓與絕緣子閃絡間的關系，以及不同污穢等級區域絕緣子爬距的建議值；③為高速鐵路腕臂支撐絕緣子的設計、制造、安裝、維護提供建議規則，提高設計可靠性。
西南交通大學
2016-06-27
一種Si3N4/SiCw復相結合SiC耐火材料及其制備方法
小試階段/n本發明涉及一種Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料及其制備方法。其技術方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結合劑，攪拌均勻，機壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時；干燥后的坯體在氮氣氣氛中燒成，隨爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時；然后升溫至在1
武漢科技大學
2021-01-12
利用亞甲基自轉移反應制備 N-甲基化烏洛托品鹽的方法
本發明提供一種制備 N-甲基烏洛托品鹽的方法，將烏洛托品和質子酸生成的質子化烏洛托品鹽在適 宜條件下直接轉化成 N-甲基烏洛托品鹽。其原理為:烏洛托品質子化后生成含 N-H 鍵的叔胺陽離子; 陽離子的生成使與質子化氮原子相連的烏洛托品骨架上的亞甲基活化，繼之在適宜條件下發生斷鏈、轉 移和插入 N+-H 鍵的反應，最終生成 N-甲基烏洛托品陽離子，在這種亞甲基轉移反應中，陰離子一般不 參與反應。該制備方法不用其它甲基化試劑，涉及化學
武漢大學
2021-04-14