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本發明相對于傳統的OFDM系統發射機模型，添加了一個N點IDFT運算，不需要太多額外的復雜度和硬件開銷。相對于傳統的OFDM，本發明大大降低了發送信號的PAPR，使發送信號功率分配更加均勻，降低了發射機功放的設計難度。本發明提出對添加Nzero個0后的N維信號進行CI擴展，相對于現有技術直接對N-Nzero調制符號進行CI擴展，保持了子載波的正交性，使得發射信號的PAPR獲得了進一步的降低。

本發明公開了一種基于重復子結構的復合材料有限元建模方法，包括以下步驟：建立復合材料精細化的多組分單胞有限元模型；基于上述精細化的多組分單胞有限元模型，建立復合材料重復子結構模型；對重復子結構進行縮聚，然后將特征矩陣裝配到單胞殘余結構，得到全復合材料分析模型；此方法在保證計算精度的同時簡化了復合材料精細化建模工程，極大的提高建模效率，具有十分重要的工程意義。

該成果獲2018年度國家科學技術獎自然科學類二等獎，該成果系統地開展了摩擦的聲子耗散以及聲子在界而和多層膜結構內的輸運規律的研究，在摩擦的聲子粍散機理研宄方面，發現摩擦粍能與聲子主導頻率的定量關系；在國際上最早給出超晶格結構導熱系數最小值出現的條件：率先提出聲子沿石墨法向輸運的自由程遠大于經典理論預測的10nm左右：實現了描述聲子輸運的玻爾茲曼方程的數值解，在國際上率先發現多層膜之間的范德華力能夠提髙聲子在多層膜結構面內的平均自由程。該項0組的研究成果主要發表在Nano Letters、Physical Review B、Nature Nanotechnology等國際學術期刊上，其中8篇代表性論文獲Science、Nature Nanotechnology、Nature Materials、Advanced Materials等重要國際學術期刊論文SCI他引509篇次，單篇最髙SCI他引U5次，研宂成果在國際上產生了重要的學術影響。

本實用新型公開了一種懸式絕緣子在線監測系統，包括：應力監測裝置、污穢檢測裝置和導線風偏 監測裝置，用來實時監測瓷柱式絕緣子的應力數據、污穢數據和導線風偏數據；應力監測裝置、污穢檢 測裝置和導線風偏監測裝置的輸出均連接 A/D 轉換電路，A/D 轉換電路的輸出連接數字處理電路，數字 處理電路用來將 A/D 轉換電路輸出的數字信號遠距離傳輸到移動終端；移動終端連接數據存儲器；太陽 能電池用來供電；控制電路與應力監測裝置、污穢檢測裝置、導線風偏監測裝置、A/D 轉換電路、數字 處理電路和移動終端均相連。本實用新型可實現高壓輸電線路上瓷柱式絕緣子的遠程實時監控，從而及 時發現并排除絕緣子的安全隱患。 

本實用新型公開了一種多功能瓷柱式絕緣子在線監測系統，包括：泄漏電流采集裝置，用來實時監 測瓷柱式絕緣子的泄露電流數據；Sensor-應力監測裝置，用來實時監測瓷柱式絕緣子的應力數據；污穢 檢測裝置，用來實時監測瓷柱式絕緣子的污穢數據；控制器通過信號線與泄漏電流采集裝置、Sensor-應 力監測裝置和污穢檢測裝置均相連；控制器用來收集數據，并將收集的數據通過發射天線發送出去，信 號接收器通過接收天線接收數據，信號接收器和終端機信號連接；太陽能電池用來供電。本實用新型設 計精簡，成本低廉，可很大程度保證瓷柱式絕緣子的正常運行，從而預防事故發生，確保輸電線路的安 全和穩定運行。 

本實用新型涉及多自由度壓電超聲電機技術，具體涉及基于準田字形壓電振子驅動的平面電機，包 括定子組件、動子組件、支座組件和預緊組件，采用準田字形定子組件，且通過預緊組件與支座組件連 接；動子組件分別連接定子組件和支座組件。電機通過激發準田字形定子組件的面外一階對稱彎曲振動、 左右圍桿面內一階彎曲振動、前后圍桿面內一階彎曲振動三種模態的振動或近共振復合出兩相橢圓運動 軌跡，據此推動動子組件交替地沿 x、y 向移動。可實現微米甚至更高精度級平面運動；

本實用新型提供一種測量絕緣子結構高度的裝置，包括基座(1)、吊框(2)，所述吊框(2)包括 橫梁(21)與立柱(22)，所述橫梁(21)與所述立柱(22)垂直，所述立柱(22)與所述基座(1)的 底面垂直，所述立柱(22)上有測量刻度，所述橫梁(21)上設置有懸掛件(3)，所述懸掛件(3)包 括連成一體的懸掛部(31)和連接部(32)，所述懸掛部(31)與所測量的絕緣子(4)的鋼腳的形狀相 同。所述基座(1)上可以設有水平儀(11)，底部還可以設有 3 個調平支腳(12)，本裝置

課題組采用基于密度泛函理論的晶格動力學方法研究了碲化鎘(CdTe)材料的聲子譜（見圖1(a)），通過系統分析發現在具有閃鋅礦結構的II-VI半導體碲化鎘中存在理想的第二類外爾聲子（見圖1(b)），并且發現這樣的準粒子激發發生于聲學支和光學支的交匯處。課題組隨后根據二階力常數矩陣構造類似于電子系統的Wannier緊束縛Hamiltonian，從而可以

本發明公開了一種智能光伏電站模擬儀的匯流箱電路.本發明包括控制電路,供電電路,接口電路,通信電路和外圍電路.本發明可以用于光伏發電系統與陣列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及陣列板.本發明可以實現8塊太陽能電池板的電壓以及電流匯總輸出.

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節能、環保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態冷光源。隨著其價格的不斷降低,發光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現了廣泛的應用前景。業界普遍認為,半導體燈取代傳統的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發光物理學原理,LED發光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩定可靠及成本低等優點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優點，但是發光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數大公司手中。 現在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率。現有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發展前景。