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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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新型光電材料與器件
東南大學(xué)
2021-04-13
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柔性電子新器件新材料
微電子器件的發(fā)展方向和趨勢(shì)使人與信息的交互融合并推動(dòng)微電子器件柔性化。柔性電子技術(shù)是將有機(jī)材料/無(wú)機(jī)薄膜電子器件附著于柔性基底上的新興電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)可變形、便攜、輕質(zhì)、可大面積應(yīng)用等特性，并通過(guò)大量應(yīng)用新材料和新工藝產(chǎn)生出大量新應(yīng)用。它顛覆性改變傳統(tǒng)器件剛性的物理形態(tài)，實(shí)現(xiàn)信息與人／物體／環(huán)境的高效共融。
浙江大學(xué)
2021-04-10
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CdZnTe高能射線探測(cè)材料與器件
內(nèi)容介紹： 本項(xiàng)目圍繞探測(cè)器用CdZnTe晶體的制備與開(kāi)發(fā)應(yīng)用，釆用改進(jìn)的垂直 布里奇曼技術(shù)，通過(guò)合理設(shè)計(jì)成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探 索了優(yōu)化的晶體生長(zhǎng)和退火改性工藝，生長(zhǎng)出滿足探測(cè)器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對(duì)X射線和y射線等不同能量射線檢測(cè)及應(yīng)用的要求， 解決了探測(cè)器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題，建立了探測(cè)器用CdZnTe晶片的篩選機(jī)制和生產(chǎn)線
西北工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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新型高密度存儲(chǔ)材料與器件
已有樣品/n“新型高密度存儲(chǔ)材料與器件”面向大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的需求，研究相變、阻變、鐵電等新型存儲(chǔ)材料和器件的設(shè)計(jì)與制備關(guān)鍵技術(shù)，發(fā)展用于高密度存儲(chǔ)陣列的選通器件及三維集成技術(shù)，研制兼具信息存儲(chǔ)、邏輯、運(yùn)算、編解碼等多功能的新型原型器件以及柔性阻變存儲(chǔ)器原型器件，將為我國(guó)發(fā)展具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型高性能存儲(chǔ)材料與器件奠定技術(shù)基礎(chǔ)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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二維半導(dǎo)體材料與器件
提出了層數(shù)調(diào)制、柵極電壓調(diào)制和自組裝單分子層調(diào)制等物理、化學(xué)改性策略，顯著調(diào)控了MoS2載流子濃度和功函數(shù)，為開(kāi)發(fā)低接觸電阻的高性能納電子器件提供了手段，研究成果發(fā)表于ACS Nano、APL等知名期刊，應(yīng)邀為Adv. Mater.撰寫(xiě)綜述一篇。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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二維材料中紅外發(fā)光器件
中紅外光譜技術(shù)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療診斷、軍事偵察、工業(yè)控制、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。其中，中紅外光源是實(shí)現(xiàn)中紅外技術(shù)的核心部件之一。作為二維層狀材料家族的新興成員，黑磷（BP）已因其獨(dú)特的性能而得到廣泛研究。
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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一種閃存器件的軟信息提取方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓(xùn)練 與在線運(yùn)行兩部分，在離線狀態(tài)下，對(duì)目標(biāo)閃存器件進(jìn)行先驗(yàn)性實(shí)驗(yàn)， 實(shí)驗(yàn)測(cè)試內(nèi)容包括對(duì)閃存器件內(nèi)部物理塊的存儲(chǔ)單元進(jìn)行大量重復(fù)的 擦除、寫(xiě)入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測(cè)試周期內(nèi)的外部 特征量；然后進(jìn)行數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，建立閃存內(nèi)部存儲(chǔ)單元物理狀態(tài)與外 部特征量之間的關(guān)聯(lián)；在線運(yùn)行狀態(tài)下，對(duì)正在在線運(yùn)行的閃存物理 狀態(tài)進(jìn)行識(shí)別，并預(yù)估錯(cuò)誤率，并計(jì)算軟信息。本發(fā)明所提
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種閃存器件的軟信息提取方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓(xùn)練 與在線運(yùn)行兩部分，在離線狀態(tài)下，對(duì)目標(biāo)閃存器件進(jìn)行先驗(yàn)性實(shí)驗(yàn)， 實(shí)驗(yàn)測(cè)試內(nèi)容包括對(duì)閃存器件內(nèi)部物理塊的存儲(chǔ)單元進(jìn)行大量重復(fù)的 擦除、寫(xiě)入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測(cè)試周期內(nèi)的外部 特征量；然后進(jìn)行數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，建立閃存內(nèi)部存儲(chǔ)單元物理狀態(tài)與外 部特征量之間的關(guān)聯(lián)；在線運(yùn)行狀態(tài)下，對(duì)正在在線運(yùn)行的閃存物理 狀態(tài)進(jìn)行識(shí)別，并預(yù)估錯(cuò)誤率，并計(jì)算軟信息。本發(fā)明所提出的方法 不僅不依賴于閃存內(nèi)部的特殊命令，而且可以方便地集成進(jìn)自主閃存 控制器中，與
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高效有機(jī)磷光發(fā)光材料及OLED器件
高效有機(jī)磷光發(fā)光材料及OLED器件，2012年12月獲四川省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利12項(xiàng)（5項(xiàng)授權(quán)）。項(xiàng)目中所制備的銥配合物磷光電致發(fā)光材料在四川虹視顯示技術(shù)有限公司的3款OLED器件（1.1英寸、分辨率為96×64；1.8英寸、分辨率為128×64；2.2英寸、分辨率為160×128）樣品中使用，該項(xiàng)目研究成果，填補(bǔ)了我國(guó)在新型平板顯示器件---高效有機(jī)磷光電致發(fā)光材料及OLED器件方面的材料制備和器件化工藝的空白。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
基于重復(fù)子結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料建模方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于重復(fù)子結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料有限元建模方法，包括以下步驟：建立復(fù)合材料精細(xì)化的多組分單胞有限元模型；基于上述精細(xì)化的多組分單胞有限元模型，建立復(fù)合材料重復(fù)子結(jié)構(gòu)模型；對(duì)重復(fù)子結(jié)構(gòu)進(jìn)行縮聚，然后將特征矩陣裝配到單胞殘余結(jié)構(gòu)，得到全復(fù)合材料分析模型；此方法在保證計(jì)算精度的同時(shí)簡(jiǎn)化了復(fù)合材料精細(xì)化建模工程，極大的提高建模效率，具有十分重要的工程意義。
東南大學(xué)
2021-04-11