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產(chǎn)品詳細介紹 【多路圖像采集卡特點簡介】 MV-E8800 PCI-E多路圖像采集卡 高清圖像采集卡 高分辨率圖像采集卡是對系統(tǒng)開發(fā)商進行多路視頻圖像開發(fā)的PCI-E圖像采集卡,它采用PCI-E X1總線作為數(shù)據(jù)存取通道，（獨立帶寬，高于PCI共享帶寬模式），總線數(shù)據(jù)傳輸速率可達250MByte/S,實時并行處理技術使圖像采集速度更快，可以采集到更多通道和更大尺寸的視頻圖像。解決了PCI總線視頻圖像采集卡大尺寸多路圖像采集拉絲的問題 ，采用超強的10bit AD轉(zhuǎn)換芯片,相對于8bit、9bit AD轉(zhuǎn)換來說,不管是圖像質(zhì)量還是顏色的飽和度方面都要強很多,它具有的4線3D梳狀濾波器能自動消除噪點,它的圖像質(zhì)量要更好. 采樣頻率更高,運動圖像軟件處理不拉毛、不拉絲、不托影,圖像質(zhì)量得到最大增強,性能更為穩(wěn)定。 MV-E8800 PCI-E 8通道多路圖像采集卡 高清圖像采集卡 高分辨率圖像采集卡用于交通路口電子警察，工業(yè)圖像檢測,大屏幕視頻顯示、多路圖像同時抓拍，并提供給您方便的二次開發(fā)包（DLL），甚至還能根據(jù)用戶要求直接修改底層軟件，令我們的圖像卡更好地配合您的系統(tǒng)。 【高清圖像采集卡性能指標】 l       8路PAL，NTSC彩色或黑白視頻信號同時輸入，同時顯示。  l      MV-E8800 8通道多路圖像采集卡 高清圖像采集卡 高分辨率圖像采集卡用10bit高清晰度圖像芯片，圖像色彩更真實，清晰度更高。  l      圖像分辨率最高：768 X 576 X 32BIT; NTSC 640 X 480 X 32BIT。 l      支持任意形狀的圖像采集。支持裁剪與比例壓縮模式。 l      MV-E8800 8通道實時圖像采集卡支持計算機內(nèi)容與圖像同屏顯示。  l      MV-E8800 8通道實時圖像采集卡亮度、對比度、色調(diào)、色飽和度軟件可調(diào)。 l      MV-E8800 8通道多路圖像采集卡 高清圖像采集卡 高分辨率圖像采集卡可在圖象上實時疊加字符、圖形、文字功能  l      MV-E8800 8通道實時圖像采集卡支持單場、單幀、連續(xù)場、連續(xù)幀的采集方式，支持單機多卡。  l      軟件功能豐富完善、開發(fā)簡單方便，在Microvison圖像采集卡中容易移植； l     MV-E8800 8通道多路圖像采集卡 高清圖像采集卡 高分辨率圖像采集卡可在外部視頻上疊加文字和圖像，實時顯示在計算機屏幕上； l      底層程序穩(wěn)定，功能豐富、開發(fā)簡便、便于程序移植，供貨穩(wěn)定，無需擔心停產(chǎn)。 l      硬件兼容性能好，工作穩(wěn)定可靠。可在兼容機、原裝機/工控機上，甚至在高溫、電弧焊接、石油勘探現(xiàn)場等惡劣環(huán)境下都能良好地穩(wěn)定工作。 【高分辨率圖像采集卡開發(fā)工具】 l     操作系統(tǒng)支持：Windows 2000、XP、Vista。 l     SDK支持：VC、VB、Delphi。提供演示程序及演示程序源代碼！ l     驅(qū)動支持：WDM、VFW、DirectX、OpenCV、Matlab、LabView、Halcon、MIL。 【典型應用】 工業(yè)檢測、智能交通、醫(yī)學影像、車牌抓拍、工業(yè)監(jiān)控、儀器儀表、大屏幕顯示、機器視覺等領域。

物聯(lián)網(wǎng)智能電源管理系統(tǒng)是各類音視頻工程“最佳合作伙伴”。它具有可編程電源管理器系統(tǒng)，可做實景數(shù)據(jù)反饋監(jiān)測及控制，采用電工標準，專業(yè)的電氣結(jié)構(gòu)設計；單路輸出為30A，總輸出電流100A，6路空開，其中3路配置應急備份；比傳統(tǒng)空開具備更好的短路保護、漏電保護、過流保護。附帶Web網(wǎng)頁界面，可實時查詢每路電流、電壓、溫度、開/關狀態(tài)、斷路、用電量等數(shù)據(jù)。附帶Web功能控制網(wǎng)關端口為RJ45，可選配定義API控制級聯(lián)端口為RS485。開放特有的開發(fā)接口，可供客戶進行二次開發(fā)，完美融入各大系統(tǒng)和平臺。

物聯(lián)網(wǎng)智能電源管理系統(tǒng)是各類音視頻工程“最佳合作伙伴”。它具有可編程電源管理器系統(tǒng)，可做實景數(shù)據(jù)反饋監(jiān)測及控制，采用電工標準，專業(yè)的電氣結(jié)構(gòu)設計；單路輸出為20A，總輸出電流100A，15路空開；比傳統(tǒng)空開具備更好的短路保護、漏電保護、過流保護。附帶Web網(wǎng)頁界面，可實時查詢每路電流、電壓、溫度、開/關狀態(tài)、斷路、用電量等數(shù)據(jù)。附帶Web功能控制網(wǎng)關端口為RJ45，可選配定義API控制級聯(lián)端口為RS485。開放特有的開發(fā)接口，可供客戶進行二次開發(fā)，完美融入各大系統(tǒng)和平臺。

本平臺屬于工業(yè)機器人的綜合技能訓練培訓的教學設備，結(jié)構(gòu)緊湊，功能豐富，可實現(xiàn)工業(yè)機器人的搬運、碼垛、立體倉儲、打磨和模擬焊接等功能。 平臺采用工業(yè)標準件設計。各組件均安裝在高強度鋁合金型材桌面上;機械結(jié)構(gòu)，電氣控制、執(zhí)行機構(gòu)相對獨立，可以實現(xiàn)對工件的螺絲擰緊，搬運、碼垛、裝配等操作和模擬仿真，通過此平臺進行SCARA機器人結(jié)構(gòu)，運動學，算法分析與設計，控制原理、力傳感原理、PLC控制原理與編程以及系統(tǒng)之間的通訊，檢測，交互控制理論，機器人基礎操作、I/O 通訊，程序數(shù)據(jù)，程序編寫、硬件連接、力覺調(diào)試、通訊方式設定等多方面操作學習。

主要應用領域：國防以及電力部門 特點： ？ 體積小 ？ 抗電磁干擾 （一）ns級電磁脈沖場測量系統(tǒng) 主要技術指標：能夠?qū)ι仙龝r間、半寬均為ns量級的電磁脈沖（如核電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 V/m到超過100 kV/m，帶寬范圍從100 kHz到1 GHz。 （二）μs級電磁脈沖場測量系統(tǒng) 主要技術指標：能夠?qū)ι仙龝r間、半寬均為μs量級的電磁脈沖（如雷電電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 kV/m到1000 kV/m。 （三）連續(xù)波電場測量系統(tǒng) 主要要技術指標：帶寬范圍從100 kHz到18 GHz，靈敏度達20 mV/m。

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學器件，部分取代電子學集成電路中的信號處理和互聯(lián)器件，這就要求光子學器件具有像電子學集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時具有和電子學集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰(zhàn)，是一個世界性的難題。 光學所張家森教授團隊與信息科學學院彭練矛教授團隊合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實現(xiàn)光子學和電子學的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統(tǒng)和存儲系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現(xiàn)三維光電混合集成，可以實現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。 上述實驗結(jié)果近期發(fā)表于最新一期《自然 電子學》雜志。 相關文獻：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

成果描述：針對微鉆在使用過程中失效的主要形式和原因，納米粉在燒結(jié)成微鉆硬質(zhì)合金的過程中，出現(xiàn)WC晶粒異常長大，帶來性能的明顯降低這個問題，研究了添加特種晶粒長大抑制劑的作用和燒結(jié)過程優(yōu)化研究。現(xiàn)已能批量生產(chǎn)Ф3.75標準微鉆生產(chǎn)用納米晶硬質(zhì)合金棒材，該棒材強度高、硬度高、壽命長、加工性能好、實物質(zhì)量水平已達同類產(chǎn)品（三菱、東芝、SANDVICK）的先進水平。市場前景分析：硬質(zhì)合金生產(chǎn)廠家生產(chǎn)納米硬質(zhì)合金制品，特別是為國內(nèi)需求量巨大的高密度印制電路板鉆孔用微鉆的硬質(zhì)合金棒材的生產(chǎn)。 2005年消耗量超過1000萬只的PCB企業(yè)有16家，超過500萬只的企業(yè)近40家。國內(nèi)PCB行業(yè)2005年消耗微鉆總量在4億只以上，采購資金超過40億元，微鉆使用壽命短和鉆機換刀頻繁已成為制約整個PCB業(yè)提升利潤空間和產(chǎn)出效率的瓶頸。市場迫切需要鉆孔質(zhì)量好、使用壽命高、價格適中的PCB微鉆產(chǎn)品。目前國內(nèi)PCB微鉆生產(chǎn)用硬質(zhì)合金棒材每年需求量約200萬公斤，一半以上需要進口，需求量巨大。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：橫斷面彎曲強度 /MPa≥3500 硬度/HRA≥92.5 WC晶粒度/μｍ﹤400nm 金相組織為A02B00C00 密度 /g/cm3≥14.4 國內(nèi)領先。

通過對懸浮劑制備、貯存過程中存在質(zhì)量問題的研究，確定出 優(yōu)化了的懸浮劑穩(wěn)定配方，解決了懸浮劑貯存過程中分層、析水率不合格、奧 氏熟化、結(jié)塊等問題，并通過系統(tǒng)研究懸浮劑穩(wěn)定體系構(gòu)建、探討懸浮劑穩(wěn)定 機理、加工工藝及影響因素，集成了懸浮劑的研發(fā)應用技術，為農(nóng)藥懸浮劑生 產(chǎn)企業(yè)的產(chǎn)品開發(fā)和推廣應用提供指導，從而能夠應用于農(nóng)業(yè)的病蟲草害防治 領域。研究成果在配方篩選方法、穩(wěn)定體系構(gòu)建、加工工藝以及藥效研究等方 面取得了多項創(chuàng)新，為開發(fā)新型環(huán)保穩(wěn)定的懸浮劑產(chǎn)品提供了先進的指導，必青島農(nóng)業(yè)大學科技成果介紹 2017 －58－ 將推動農(nóng)藥懸浮劑的可持續(xù)發(fā)展。 本項目經(jīng)專家鑒定達到國際先進水平。利用農(nóng)藥懸浮劑穩(wěn)定體系構(gòu)建與集 成應用技術開發(fā)相應懸浮劑產(chǎn)品，對農(nóng)藥制劑行業(yè)的發(fā)展以及綠色農(nóng)業(yè)發(fā)展具 有重要指導意義。 

該項目是精神病學與精神衛(wèi)生學臨床、軟件工程和數(shù)據(jù)工程交叉方向，探討臨床研究業(yè)務過程與數(shù)據(jù)一體化集成平臺的建設與實施，優(yōu)化臨床研究數(shù)據(jù)采集、存儲、交換、可視化和分析決策，為臨床研究提供更科學更高效的支撐方法與手段。

利用大規(guī)模集成硅基納米光量子芯片技術，實現(xiàn)對高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調(diào)控和量子測量。 （圖一）基于硅納米光波導的大規(guī)模集成光量子芯片(可實現(xiàn)對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量)       集成光學量子芯片技術，基于量子力學基本物理原理，使用半導體微納加工工藝實現(xiàn)單片集成光波導量子器件（包括單光子源、量子操控和測量光路，以及單光子探測器等），可以實現(xiàn)對量子信息的載體單光子進行處理、計算、傳輸和存儲等。集成光學量子芯片具有集成度高、穩(wěn)定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優(yōu)點。因此，該技術被普遍認為是一種實現(xiàn)光量子信息應用的有效技術手段。      利用硅基納米光波導技術實現(xiàn)的光量子芯片具有諸多獨特優(yōu)點，例如與傳統(tǒng)微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強、以及工作波長與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復雜度僅限于小規(guī)模的演示，如集成少數(shù)馬赫-曾德干涉儀對光子態(tài)進行簡單操控。因此，我們迫切需要擴大集成量子光路的復雜性和功能性，增強其量子信息處理技術的能力，從而推進量子信息技術的應用。       相干且精確地控制復雜量子器件和多維糾纏系統(tǒng)是量子信息科學和技術領域的一項難點。相對于目前普遍采用的二維體系量子技術，高維體系量子技術具有信息容量大、計算效率高、以及抗噪聲性強等諸多優(yōu)點。最近，多維度量子糾纏系統(tǒng)已分別在光子、超導、離子和量子點等物理體系中實現(xiàn)。利用光子的不同自由度，如軌道角動量模式、時域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態(tài)。然而，實現(xiàn)高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態(tài)操控和量子測量，依然面臨很多困難和挑戰(zhàn)。       針對上述問題，英國布里斯托爾大學、北京大學、丹麥技術大學、德國馬普研究所、西班牙光學研究所和波蘭科學院的科研人員密切合作，并取得了突破性進展。研究團隊提出并實現(xiàn)了一種新型的多路徑加載高維量子態(tài)方式，即每個光子以量子疊加態(tài)的形式同時存在于多條光波導路徑，從而實現(xiàn)了一個高達15×15的高維量子糾纏系統(tǒng)。通過可控地激發(fā)16個參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復系數(shù)的高維度量子糾纏態(tài)。通過單片集成通用型線性光路，可對高維量子糾纏態(tài)進行任意操控和任意測量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時，團隊充分利用集成光路的高穩(wěn)定性和高可控性，實現(xiàn)了高保真度的高維量子糾纏態(tài)，如4、8和12維度糾纏態(tài)的量子態(tài)層析結(jié)果分別為96、87% 和 81%保真度，遠超其他方式制備的高維量子糾纏態(tài)性能。       更重要的是，團隊通過硅基納米光子集成技術，實現(xiàn)了目前集成度最復雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個光量子元器件，包括16個全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個光學移相器、122個光束分束器、256個波導交叉結(jié)構(gòu)以及64個光柵耦合器，從而達到對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量。       研究進一步利用該高維光量子芯片技術，驗證高維度量子糾纏系統(tǒng)的強量子糾纏關聯(lián)特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導引不等式等，證明量子物理和經(jīng)典物理定律的重要區(qū)別。例如，對4維度量子糾纏態(tài)，實驗觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數(shù)，不僅成功違背經(jīng)典物理定律61.9個標準差，而且超過普通二維糾纏體系的最大可到達值的2.8個標準差。研究還首次實現(xiàn)高維量子系統(tǒng)的貝爾自檢測和量子隨機放大等新功能，例如，對3維度最大糾纏態(tài)和部分糾纏態(tài)的自檢測保真度約為76%，對14維以下糾纏態(tài)均實現(xiàn)了量子隨機放大功能。