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當(dāng)系統(tǒng)處于FFLO類型的超導(dǎo)配對時，在超導(dǎo)的渦旋線激發(fā)中出現(xiàn)手征無能隙馬約拉納態(tài)，且進一步表明，該手征特性的馬約拉納模不能由在二維空間定義的第一陳數(shù)保護。在原本的三維真實空間上，以超導(dǎo)相位作為參數(shù)空間，引入人工維度，進而研究由真實空間加人工維度形成的人造四維空間拓撲特性。他們計算發(fā)現(xiàn)在該四維空間中，系統(tǒng)的第二陳數(shù)非零，且提供了對前述渦旋線中手征馬約拉納態(tài)的拓撲保護。這個結(jié)論存在一系列非平凡推論，其中最有趣的是當(dāng)考慮渦旋環(huán)結(jié)構(gòu)時，該手征馬約拉納態(tài)可滿足3-loop型的3D非阿貝爾統(tǒng)計。這對于研究高維空間的非阿貝爾統(tǒng)計性質(zhì)以及新型拓撲物態(tài)提供了實際物理平臺。

本發(fā)明公開了一種基于逆向子結(jié)構(gòu)的有限元模型修正方法。該 方法包括以下步驟：首先，測量實際工程結(jié)構(gòu)的試驗?zāi)B(tài)，建立整體 結(jié)構(gòu)的試驗?zāi)B(tài)；通過獨立子結(jié)構(gòu)試驗?zāi)B(tài)參數(shù)和整體結(jié)構(gòu)試驗?zāi)B(tài) 參數(shù)之間的關(guān)系，將整體結(jié)構(gòu)的試驗?zāi)B(tài)分解為獨立子結(jié)構(gòu)的試驗?zāi)?態(tài)；然后，基于獨立子結(jié)構(gòu)的試驗?zāi)B(tài)建立目標(biāo)函數(shù)，調(diào)整獨立子結(jié) 構(gòu)參數(shù)，使目標(biāo)函數(shù)最小化，獲取子結(jié)構(gòu)最優(yōu)結(jié)構(gòu)參數(shù)，根據(jù)所述最 優(yōu)結(jié)構(gòu)參數(shù)修正獨立子結(jié)構(gòu)有限元模型；最后，根據(jù)結(jié)構(gòu)損傷前后有 限元模型結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化完成結(jié)構(gòu)損傷識別。本發(fā)明通過修正獨立子 結(jié)構(gòu)模型，避免

該成果提供一種快速、準(zhǔn)確鑒別翹嘴鱖、斑鱖及其雜交子一代的分子標(biāo)記方法。在鱖類種質(zhì)鑒定和保護、遺傳育種和養(yǎng)殖生產(chǎn)中有極大的應(yīng)用價值。 分子鑒定方法包括以下步驟：基因組DNA的提取、DNA目的片段的擴增、PCR產(chǎn)物的電泳及銀染色鑒定。方法中還包括一對特異微衛(wèi)星引物和標(biāo)準(zhǔn)圖譜。本發(fā)明的分子鑒定法能快速、有效地鑒別出翹嘴鱖、斑鱖及其雜交子一代，具有客觀、快速、準(zhǔn)確、經(jīng)濟的優(yōu)點。 該成果采用微衛(wèi)星標(biāo)記技術(shù)對翹嘴鱖、斑鱖及其雜交子一代進行鑒別，其反應(yīng)穩(wěn)定，重復(fù)性好，具有廣泛的適用性，與傳統(tǒng)的形態(tài)學(xué)鑒定相比具有檢測準(zhǔn)確性高的優(yōu)點。本發(fā)明通過一個微衛(wèi)星位點、進行一次PCR鑒別出翹嘴鱖、斑鱖及其雜交子一代，減少了檢測時間和降低了檢測成本。 該成果有較高的產(chǎn)業(yè)化前景，實際操作性強，簡便、準(zhǔn)確，價格適中。 成果完成時間：2017年2月

據(jù)李榮鵬教授介紹，人類基因組中編碼功能蛋白的基因僅占基因總量的2%，其余98%的基因轉(zhuǎn)錄產(chǎn)物為非編碼RNA，過去這類RNA一直被認為是冗余，其相關(guān)功能研究一直是空白。近年來，非編碼RNA的研究逐漸成為國際熱點，大量實驗證據(jù)證明，非編碼RNA控制著幾乎所有的細胞生理功能。李榮鵬教授的研究在國際上首次證實了母系遺傳的長鏈非編碼RNA MEG3的4號轉(zhuǎn)錄產(chǎn)物，在肺部感染免疫過程中能夠特異性表達，然后通過調(diào)節(jié)炎癥因子IL-1b的表達水平，精準(zhǔn)控制宿主的免疫反應(yīng)。在感染過程中，肺泡巨噬細胞通過降低MEG3-4的表達量，釋放出游離的小分子非編碼RNA miR-138，然后miR-138結(jié)合到細胞因子IL-1b的mRNA 5‘UTR區(qū)域，形成剪切復(fù)合體降解mRNA，以維持IL-1b在體內(nèi)的較低水平，防止過度的炎癥反應(yīng)殺傷細胞。這一結(jié)果深層次解析了MEG3-4調(diào)節(jié)宿主感染免疫的分子機制，同時也為推進MEG3-4作為RNA藥物的應(yīng)用提供了理論基礎(chǔ)。

本發(fā)明公開了一種基于塊的子圖構(gòu)建及分布式圖處理方法，其子圖構(gòu)建方法，包括圖分割、對子圖中的頂點重新貼標(biāo)簽、將區(qū)間與數(shù)據(jù)片關(guān)聯(lián)、分塊和構(gòu)建子圖的步驟；采用啟發(fā)式的、輕量級的 SGP方法進行圖分割，采用用戶定義的啟發(fā)式函數(shù)把頂點按順序指派到 P個子圖，具有性能高，邊的切割率較低的特點，并且可以兼顧子圖工作負載平衡問題；其分布式圖處理系統(tǒng)，塊分割之后，子圖之間以整個內(nèi)存塊為單位進行通信；與現(xiàn)有技術(shù)的細粒度通訊方式相比，本發(fā)

化工、制藥、印染、造紙等行業(yè)廢水排放量大、污染物濃度高，并且這些重污染行業(yè)排放的廢水一般都含有難降解生物、甚至有毒害作用的污染物質(zhì)，常規(guī)的物化、生化處理工藝很難把這些行業(yè)的廢水處理到國家一級排放標(biāo)準(zhǔn)。為此，很多企業(yè)不得不通過稀釋手段來實現(xiàn)COD達標(biāo)排放的目標(biāo)。但是，隨著節(jié)能減排計劃的實施，各地都加大了對COD總量的控制力度。同時，地方政府也給企業(yè)下達了COD減排任務(wù)。此外，一些地方政府還頒布了高于國家廢水排放標(biāo)準(zhǔn)的地方標(biāo)準(zhǔn)。為了完成COD減排任務(wù)或達到更加嚴格的廢水排放標(biāo)準(zhǔn)，大部分企業(yè)都必須對現(xiàn)有污水處理設(shè)施進行技術(shù)改造。華東理工大學(xué)環(huán)境工程研究所針對化工、制藥、印染、造紙等行業(yè)廢水的特點，研究開發(fā)了多項難降解有機廢水處理技術(shù)，包括各種預(yù)處理技術(shù)、生物處理技術(shù)、深度處理技術(shù)，及多項處理技術(shù)的組合與集成。目前，這些技術(shù)已成功應(yīng)用于多個化工、精細化工、制藥企業(yè)的廢水改造工程或新建工程，為這些企業(yè)解決了高COD、高鹽分、高氨氮廢水處理的難題，使企業(yè)在較低的成本下實現(xiàn)了達標(biāo)排放的目的，并超額完成了COD減排任務(wù)。（1）處理有機廢水的BCB組合工藝，授權(quán)發(fā)明專利，專利號：ZL200510024414.6（2）一種氧化反應(yīng)催化劑可循環(huán)使用的廢水處理方法，授權(quán)發(fā)明專利，專利號：ZL200610030562.6

提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實現(xiàn)光子學(xué)和電子學(xué)的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復(fù)用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學(xué)模塊、電子學(xué)信號處理系統(tǒng)和存儲系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學(xué)集成和電子學(xué)集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學(xué)器件尺度可以和電子學(xué)器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現(xiàn)三維光電混合集成，可以實現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學(xué)集成回路在速度上的瓶頸。

項目采用了中山大學(xué)自主研發(fā)的低損耗低應(yīng)力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關(guān)鍵 器件

近年來，隨著市場對油品質(zhì)量要求的提高和原油質(zhì)量的下降，國內(nèi)煉化企業(yè)對加氫工藝逐步重視。對油品的深加工已從原有的脫碳型逐步轉(zhuǎn)向加氫型，加氫工藝逐漸已經(jīng)成為主流的深加工工藝。企業(yè)內(nèi)氫氣資源的供需矛盾日益突出。隨著氫氣資源的緊張和價格的攀升，采用先進的優(yōu)化技術(shù)對煉化企業(yè)的氫氣系統(tǒng)進行優(yōu)化，最大限度地合理利用氫氣資源已經(jīng)成為提高企業(yè)效益，節(jié)能降耗的重要途徑之一。 本項目目的在于為煉化企業(yè)氫氣系統(tǒng)提供系統(tǒng)分析和優(yōu)化集成的方案。根據(jù)用氫裝置實際需求的氫氣壓力和氫氣純度確定和設(shè)置氫氣梯級分配網(wǎng)絡(luò)的中間等級，提高氫氣分配網(wǎng)絡(luò)的可拓展性和操作柔性，使氫氣分配網(wǎng)絡(luò)中局部用氫裝置的增減和操作變動不改變氫氣分配網(wǎng)絡(luò)的整體結(jié)構(gòu)和操作特性。