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一、技術(shù)簡介 食用菌標準化生產(chǎn)技術(shù)集成，是我校多年研究成果的積累和綜合，從菌種選育、設(shè)施建設(shè)、栽培和采收等各個環(huán)節(jié)，進行全程標準化控制，圍繞著節(jié)能減排，以拉動北京遠郊地區(qū)，特別是溝域山區(qū)的低碳化經(jīng)濟發(fā)展，開展了大量的研究工作。重點研究了低碳化食用菌品種的選育，成功獲得了適宜低溫生長的菌種，包括元蘑、雙孢蘑菇和金針菇等。針對食用菌培養(yǎng)料的制備過程中能源消耗過大，采用了雙孢蘑菇培養(yǎng)料微生物工程處理技術(shù)，減少了高溫滅菌等環(huán)節(jié)大量的能源消耗。對于不同的食用菌

該成果 2014 年獲江蘇省農(nóng)業(yè)技術(shù)推廣一等獎。該技術(shù)建立了江蘇機插稻品種區(qū)域化布局；明確了機插稻高產(chǎn)生育精確診斷實用指標；建立了機插稻標準化壯秧指標及其培育技術(shù)；提出了機插稻基本苗、栽插規(guī)格定量技術(shù)；建立了 Stanford 差值法定氮及其減少基肥、 增施蘗肥和穗肥的“一減兩增”的定量運籌技術(shù)； 建立了“淺水與露田交替促活棵、 淺水勤灌活水促分蘗、 80%夠苗早擱輕擱控蘗、 中后期干濕交替強根抗逆”的水分定量管理模式； 構(gòu)建了以“標秧、 精插、 穩(wěn)發(fā)、 早擱、 攻中、 強后”為內(nèi)涵的水稻機插

CSM4A系列多功能C-V測試系統(tǒng)，經(jīng)國家“七五”、“八五”兩屆重點科技攻關(guān)，已在我校研制成功，并被多個半導體集成電路生產(chǎn)廠家和研究所使用。該項目由陳光遂教授主持完成。原電子工業(yè)部鑒定認為：該C-V測試系統(tǒng)具備八項測試功能，數(shù)據(jù)可靠，實用性強，人機界面良好。總體水平已達到九十年代國際先進水平，并有獨創(chuàng)性，可以替代進口設(shè)備。主要測試功能有：MOS高頻CV，M

可以量產(chǎn)/n成果簡介：本成果總結(jié)提出了柑橘品種快速更新的高接換種技術(shù)規(guī)程，實際應用中取得了高接換種樹當年恢復樹冠、第2年開花結(jié)果、第3年恢復產(chǎn)量的效果。并在高效生態(tài)橘園建設(shè)中集成應用生草（百喜草）覆蓋栽培、蓄水節(jié)水灌溉、施用生物有機肥、病蟲害生物（釋放捕食螨防治紅蜘蛛）和物理（懸掛頻振式殺蟲燈誘殺害蟲和黃色粘蟲板捕殺蚜蟲和粉虱）綜合防治等技術(shù)，形成了以"施有機肥、空中掛燈、樹上掛蟲、地面種草、田頭建池"等為主要內(nèi)容的柑橘高效生態(tài)栽培技術(shù)體系。應用前景：柑橘品種更新和高效生態(tài)栽培技術(shù)集成既能做到快速更

造紙工業(yè)在我國國民經(jīng)濟中占有重要地位，但屬于高物耗、高能耗的污染大戶，廢水排放量占全國工業(yè)廢水排放量的17%以上。實現(xiàn)廢水綜合治理，減少尾水排放量，已成為造紙行業(yè)發(fā)展迫切。本項目技術(shù)采用膜集成技術(shù)實現(xiàn)了造紙尾水的凈化處理，實現(xiàn)了水的分級回用，項目已經(jīng)建成萬噸級工程2項，經(jīng)濟效益好。 專利情況：在申請3項；已授權(quán)3項， 成熟度：量產(chǎn) 合作方式：技術(shù)入股、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務 創(chuàng)新要點： 1）高效預處理技術(shù)實現(xiàn)尾水雜質(zhì)深度凈化； 2）雙膜法尾水的脫鹽和降COD技術(shù)； 3）低成本濃鹽水處理技術(shù)。 技術(shù)指標：水回收率可以實現(xiàn)95%，85%和75%等不同工藝，經(jīng)濟性好。其中，回用95%時，水處理成本低于5元/噸水。本工藝已建成了4萬噸/年和1萬噸/年等應用示范工程。

該項目是由江南大學教育部針織技術(shù)工程研究中心自主設(shè)計開發(fā)，經(jīng) 10 多年研究，逐步完善并升級。系統(tǒng)梳櫛橫移由柔性電子凸輪控制，并配備了高剛性橫移機架，機速可達 850r/min 以上；適用于大花高的復雜花型編織花高最高可達 8000 橫列以上，配以最新的 Piezo 賈卡裝置，可高效實現(xiàn)各類提花三明治和毛絨的編織；擁有極強的在線花型編輯與顯示功能，實時顯示并且可以進行在線式花型修改；可配置 4-8 軸多速送經(jīng)與電子橫移控制、1-3 把賈卡梳提花控制和多速牽拉/卷曲控制系統(tǒng)；具有停電保護功能，保證重新上電時花型能連續(xù)編織。 關(guān)鍵技術(shù) （1）高動態(tài)響應柔性橫移技術(shù)，實現(xiàn)對大慣量導紗梳櫛進行高頻啟停和高精定位； （2）高精度隨動多速送經(jīng)技術(shù)，實現(xiàn)送經(jīng)與主軸頻率和橫移曲線的快速跟隨； （3）高速率存取賈卡提花技術(shù)，實現(xiàn)對賈卡提花數(shù)據(jù)的大容量靜態(tài)存儲與高速率動態(tài)存取； （4）高分辨掃描在線監(jiān)測技術(shù)，實現(xiàn)織物圖像的高速掃描與識別。 知識產(chǎn)權(quán)及項目獲獎情況 1、發(fā)表 CSCD 論文 46 篇； 2、申請專利 8 項，授權(quán) 6 項； 3、獲 2014 年中國紡織工業(yè)聯(lián)合會科學技術(shù)一等獎、2010 年國家科技進步二等獎、2009 年江蘇省科技進步二等獎。 項目成熟度 批量生產(chǎn)階段 5 投資期望及應用情況 已得到江蘇潤源、晉江佶龍、常州弘毅、常熟欣鑫、南京裕源和泉州福聯(lián)等多家公司的認可

天津市新中環(huán)系統(tǒng)集成技術(shù)有限公司，成立于1996-02-28，注冊資本為10萬人民幣，法定代表人為熊允亨，經(jīng)營狀態(tài)為遷出，工商注冊號為1201931001138，注冊地址為南開區(qū)鞍山西道佳音里4號樓1門101室，經(jīng)營范圍包括技術(shù)開發(fā)、咨詢、服務、轉(zhuǎn)讓（電子與信息的技術(shù)及產(chǎn)品）；計算機及外圍設(shè)備、文化辦公用機械零售。  

化工、制藥、印染、造紙等行業(yè)廢水排放量大、污染物濃度高，并且這些重污染行業(yè)排放的廢水一般都含有難降解生物、甚至有毒害作用的污染物質(zhì)，常規(guī)的物化、生化處理工藝很難把這些行業(yè)的廢水處理到國家一級排放標準。為此，很多企業(yè)不得不通過稀釋手段來實現(xiàn)COD達標排放的目標。但是，隨著節(jié)能減排計劃的實施，各地都加大了對COD總量的控制力度。同時，地方政府也給企業(yè)下達了COD減排任務。此外，一些地方政府還頒布了高于國家廢水排放標準的地方標準。為了完成COD減排任務或達到更加嚴格的廢水排放標準，大部分企業(yè)都必須對現(xiàn)有污水處理設(shè)施進行技術(shù)改造。華東理工大學環(huán)境工程研究所針對化工、制藥、印染、造紙等行業(yè)廢水的特點，研究開發(fā)了多項難降解有機廢水處理技術(shù)，包括各種預處理技術(shù)、生物處理技術(shù)、深度處理技術(shù)，及多項處理技術(shù)的組合與集成。目前，這些技術(shù)已成功應用于多個化工、精細化工、制藥企業(yè)的廢水改造工程或新建工程，為這些企業(yè)解決了高COD、高鹽分、高氨氮廢水處理的難題，使企業(yè)在較低的成本下實現(xiàn)了達標排放的目的，并超額完成了COD減排任務。（1）處理有機廢水的BCB組合工藝，授權(quán)發(fā)明專利，專利號：ZL200510024414.6（2）一種氧化反應催化劑可循環(huán)使用的廢水處理方法，授權(quán)發(fā)明專利，專利號：ZL200610030562.6

提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實現(xiàn)光子學和電子學的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統(tǒng)和存儲系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現(xiàn)三維光電混合集成，可以實現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。

項目采用了中山大學自主研發(fā)的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關(guān)鍵 器件