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解析了MFN1片段在不同GTP水解狀態(tài)下的晶體結(jié)構(gòu)，闡明了MFN1水解GTP的機(jī)制，并提出了MFN1介導(dǎo)線(xiàn)粒體外膜栓連的模型。這為進(jìn)一步闡明線(xiàn)粒體外膜的融合機(jī)制以及線(xiàn)粒體形態(tài)的變化和相應(yīng)生理功能的正常發(fā)揮之間的關(guān)系提供了研究基礎(chǔ)。同時(shí)，還為研究相關(guān)神經(jīng)退行性疾病和癌癥的發(fā)病機(jī)制以及干預(yù)手段提供了信息。

西安交通大學(xué)能源與動(dòng)力工程學(xué)院金屬增材制造設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)性磋商

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種帶有平行翅片迂回流道的雙效太陽(yáng)能平板集熱裝置，包括有外殼、玻璃蓋板和位于外殼內(nèi)的集熱板，集熱板上分布有集熱水管，集熱水管上連接進(jìn)水口、出水口，外殼的兩端設(shè)有空氣進(jìn)口、空氣出口，空氣出口通過(guò)管道與風(fēng)機(jī)相連接，集熱板上位于集熱水管的縫隙處焊接有多個(gè)平行翅片，各平行翅片的上沿與玻璃蓋板接觸。本實(shí)用新型可以實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能集熱器同時(shí)給水和空氣進(jìn)行加熱，具有綜合集熱效率高、運(yùn)行穩(wěn)定、節(jié)省空間，成本低等優(yōu)點(diǎn)。

本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)，具體涉及一種基于 FPGA 以電阻應(yīng)變片為稱(chēng)重傳感器的簡(jiǎn)易電子秤，包 括機(jī)械結(jié)構(gòu)和電路部分；電路部分包括線(xiàn)性電源和基準(zhǔn)電壓模塊；機(jī)械結(jié)構(gòu)包括支架、懸臂梁和秤盤(pán)， 懸臂梁一端固定在支架上，秤盤(pán)懸掛于懸臂梁另一端；電路部分還包括電阻應(yīng)變傳感器、信號(hào)放大模塊、 低通濾波器、A/D 轉(zhuǎn)換器、FPGA 及鍵盤(pán)控制模塊和 LCD 顯示模塊；電阻應(yīng)變傳感器與信號(hào)放大模塊、 低通濾波器、A/D 轉(zhuǎn)換器、FPGA 依次相連，鍵盤(pán)控制模塊、

采用核技術(shù)方法，利用高能離子束輻照，對(duì)PtPb/Pt二維納米片進(jìn)行了原子尺度結(jié)構(gòu)調(diào)控和修飾，極大地提高了納米片的催化活性。在線(xiàn)輻照和原位透射電子顯微鏡（TEM）結(jié)果表明：通過(guò)入射高能離子與納米片中靶原子相互作用，精確地控制納米片微觀(guān)結(jié)構(gòu)的變化，利用鍵長(zhǎng)變化和電子軌道雜化等機(jī)制來(lái)修飾表面原子的電子結(jié)構(gòu)，從而增加催化反應(yīng)活性位點(diǎn)，增強(qiáng)催化性能。同時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)入射離子的劑量大小，可以有效地控制缺陷產(chǎn)生的數(shù)量及演化，得到具有不同催化活性的PtPb/Pt二維納米片材料。

本發(fā)明涉及納米材料、催化及分析化學(xué)領(lǐng)域，具體包括一種基于多肽作生物模板合成二氧化錳納米片的制備方法及其在催化及分析化學(xué)方面的應(yīng)用。該方法利用多肽的納米結(jié)構(gòu)特征及其官能團(tuán)的性質(zhì)，將多肽與二價(jià)錳離子混合，加入氫氧化鈉后常溫反應(yīng)以使二氧化錳納米片在多肽的穩(wěn)定下生成。該材料具有仿酶催化特性，使其在分析化學(xué)、環(huán)境工程和催化領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。該方法以生物材料為模板，制備工藝簡(jiǎn)單，反應(yīng)條件溫和環(huán)保，納米結(jié)構(gòu)易控。

本發(fā)明屬于銑削加工相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種五軸加工軌 跡中刀具圓環(huán)體向三角片的邊投影的算法，其包括以下步驟:(1)判斷 刀具圓環(huán)體向三角片的邊投影的特殊情況，若存在特殊情況，則轉(zhuǎn)至 步驟(5)，否則轉(zhuǎn)至步驟(2);(2)根據(jù)第一幾何約束條件來(lái)確定初始迭代 角度;(3)基于第二幾何約束條件及第三幾何約束條件來(lái)計(jì)算及離散初 始迭代角度區(qū)域，以確定較優(yōu)初始迭代角度;(4)基于第二幾何約束條 件及第三幾何約束條件，采用割線(xiàn)法搜索最優(yōu)角度，若成功則轉(zhuǎn)至步 驟(5)，否則結(jié)束;(5)依據(jù)搜索到的所述最優(yōu)角度計(jì)

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

本發(fā)明涉及一種 Fe2O3 層狀納米陣列、具有層狀結(jié)構(gòu)的 Fe2O3/PPy 柔性復(fù)合材料及其二者的制備方法和應(yīng)用，屬于材料領(lǐng)域。 該 Fe2O3 層狀納米陣列利用特定規(guī)格的 ZnO 納米棒模板作為原料制 備，該 Fe2O3/PPy 柔性復(fù)合材料采用氣相原位化學(xué)聚合法復(fù)合 Fe2O3 層狀納米陣列和 PPy 得到。氣相原位聚合方法更為簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn)，可 控性較好。Fe2O3 層狀納米陣列具有特殊的層狀結(jié)構(gòu)，具有比表面高

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????